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GICEP Grupo de Investigación en Calidad de la Energía y Electrónica de potencia
Profesor: Armando Jaime Ustariz Farfán
E-Mail: [email protected]
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GICEP Grupo de Investigación en Calidad de la Energía y Electrónica de potencia
Profesor: Armando Jaime Ustariz Farfán
E-Mail: [email protected]
CAPÍTULO 1: Introducción a la electrónica de potencia
1.1. Introducción
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Electrónica de Potencia: Introducción
La apuesta por las redes inteligentes y el auto-
eléctrico se topan con la falta de ingenieros
cualificados
El principal problema: Es la falta de personal experto en electrónica de potencia, disciplina
clave para desarrollar estos proyectos
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Electrónica de Potencia: Introducción
Electrónica
de potencia
Teoría de
control
Teoría de
circuitos
Procesamiento
de señales
Electrónica
Sistemas de
potencia
Maquinas
eléctricas
Simulación y
computación
Naturaleza interdisciplinaria
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Electrónica de Potencia:
2. Control de iluminación
+ - v(t)
Lámpara
incandescente
+ - v(t)
fs
Lámpara
incandescente
1. Control de flujo de agua
Bomba de agua
Entrada de agua
Salida de agua
Motor
Fuente
eléctrica
Bomba de agua
Entrada de agua
Salida de agua
Variador de
velocidad Fuente
eléctrica
Introducción
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• Aplicaciones de baja potencia (< 10kW) – Domésticas
– Equipos de Oficina
• Aplicaciones de media potencia (10kW - 1MW) – Industriales
– Telecomunicaciones
• Aplicaciones de alta potencia (> 1MW) – Tracción
– Transmisión
Electrónica de Potencia: Aplicaciones
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CAPÍTULO 1: Introducción a la electrónica de potencia
1.2. Circuitos Transitorios
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Circuitos Primer Orden: Fuente D.C.
v(t) i(t)
t=to
R
L
v t V
n fi t i t i t
RL
t
ni t Ae
f
Vi t
R
RL
t Vi t Ae
R
0A i t
+
( ) 1
( )di t R
i t v tdt L L
Ecuación diferencial:
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Circuitos Primer Orden: Fuente A.C.
sinmv t V t
n fi t i t i t
RL
t
ni t Ae
sinf mi t I t
sinRL
t
mi t Ae I t
0A i t
v(t) i(t)
t=to
R
L
1
22
; tanmm
V LI
RR L
( ) 1
( )di t R
i t v tdt L L
Ecuación diferencial:
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Circuitos Segundo Orden: Respuesta natural
t=to
+ - v(t)
i(t)
R L
vC(t)
+
-
C
2
2
( ) ( ) 1( ) 0
d i t R di ti t
dt L dt LC
Ecuación diferencial:
2
2
2 2
1,2
10;
1
2 2r
Rs s
L LC
R Rs
L L LC
1 2
t
ni t e A A t
2 21: rCaso
1 2
1 2
s t s t
ni t Ae A e
2 22: rCaso
2 23: rCaso
*
1 1
1 2
s t s t
ni t Ae A e
1,2 0 0;L cA i t v t
( ) 1
( ) ( )tdi t
Ri t L i t dt v tdt C
2
2
( ) ( ) 1( )
dv td i t R di ti t
dt L dt LC dt
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Estado Transitorio y Estacionario: Circuitos eléctricos
Obtener las diferentes respuestas (natural y forzada) de los siguientes
circuitos (con fuentes DC o AC, conectados en serie o en paralelo). Esto le
ahorrará mucho tiempo al resolver los talleres y los parciales.
• Circuito R
• Circuito L
• Circuito C
• Circuito RL
• Circuito RC
• Circuito LC
• Circuito RLC
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E-Mail: [email protected]
CAPÍTULO 1: Introducción a la electrónica de potencia
1.3. Valores medios y eficaces
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Valores medio y eficaces: Circuitos monofásicos
Potencia Instantánea:
( ) ( ) ( )p t v t i t
Potencia Promedio:
1( )
TP p t
T dc dcP V I
Valor Eficaz:
21( )rms
TV v t
T rms dcV V
Caso sinusoidal
sinm Vv t V t
sinm Ii t I t
Caso DC
dcv t V
dci t I
DEFINICIONES
( ) dc dcp t V I ( ) 1 cos(2 ) sin(2 )p t P t Q t
cosrms rms V IP V I
2
mrms
VV
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Potencia Aparente: 2 2
rms rmsS V I P Q
Potencia Reactiva: 2 2Q S P
Factor de Potencia: cos V I
PFP
S
Valores medio y eficaces: Circuitos monofásicos
Caso sinusoidal
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CAPÍTULO 1: Introducción a la electrónica de potencia
1.4. Calidad de la potencia (forma de onda)
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CASO IDEAL:
Es la presencia de una onda sinusoidal pura de tensión y corriente en
todos los puntos del sistema eléctrico
P
Q
S
2 2 2S P Q
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 -1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Generalidades:
Calidad de la forma de onda Calidad de la potencia: Forma de onda
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Generalidades:
Calidad de la forma de onda
Forma de onda Distorsión de la forma de onda
Parámetros que definen la onda Perturbaciones que les afecta
Amplitud Variación de amplitud
Frecuencia Variación de frecuencia
Simetría (sistemas trifásicos) Asimetrías y desequilibrio
Amplitud
Período
Tiempo
Tensión
Generalidades:
Calidad de la forma de onda Calidad de la potencia: Forma de onda
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Distorsión de forma de onda:
Descripción
Distorsión de forma de onda
Duración: Permanente (estado estable).
Causas: Cargas no-lineales de tipo electrónicas
(Computadores, CFL, Variadores de Velocidad, etc.).
Desviación de la forma de onda respecto
de la componente fundamental
1. Componente directa
2. Componentes armónicas
3. Componentes inter-armónicas
4. Muescas de tensión
5. Ruido
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 -1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
Tiempo (s)
Te
nsió
n (V
) Generalidades:
Calidad de la forma de onda Calidad de la potencia: Forma de onda
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Distorsión de forma de onda:
Definición y caracterización
Componente directa
Caracterizado por: _1 1 12dc mv t V V sin t
Te
nsió
n [V
]
Tiempo [s]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
Generalidades:
Calidad de la forma de onda Calidad de la potencia: Forma de onda
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Distorsión de forma de onda:
Definición y caracterización
Componentes Armónicas
0.1 0.1083 0.1167 0.125 0.1333 0.1417-4
-2
0
2
4
0 5 10 15 20 25 300
5
10
15
20
25
Co
rrie
nte
[A]
Tiempo [s] Armónico [orden]
Ma
gn
itu
d [%
]
Forma de onda Espectro
Te
nsió
n [V
]
Caracterizado por: _1 1 1 _ 1
2
2 2N
m m h h
h
v t V sin t V sin h t
Generalidades:
Calidad de la forma de onda Calidad de la potencia: Forma de onda
0.1 0.1083 0.1167 0.125 0.1333 0.1417-4
-2
0
2
4
0 5 10 15 20 25 300
5
10
15
20
25
Co
rrie
nte
[A]
Tiempo [s] Armónico [orden]
Ma
gn
itu
d [%
]
Forma de onda Espectro
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Distorsión de forma de onda:
Definición y caracterización
Generalidades:
Calidad de la forma de onda Calidad de la potencia: Forma de onda
SERIES DE FOURIER
t( )x t
00f 02 f
03 f04 f
05 f06 f
0
0 0
1
( ) cos sin2
h h
h
ax t a h t b h t
Series de Fourier trigonométricas
0 0
1
( ) sinh h
h
x t A A h t
Forma compacta
0 0
0
0 0
0 0
0
0
2 2( ) ; ( )cos( )
2( )sin( )
hT T
hT
a x t dt a x t h t dtT T
b x t h t dtT
2 200
1
;2
tan
h h h
hh
h
aA A a b
b
a
Función en MATLAB
« fft(x) »
Bloque en SIMULINK
« fourier »
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Potencia Instantánea:
( ) ( ) ( )p t v t i t
Potencia Promedio:
1( )
TP p t
T
Valor Eficaz:
21( )rms
TV v t
T
DEFINICIONES
_2
2
21
m h
NV
rms dc
h
V V
Calidad de la potencia: Forma de onda
_ 1 _sindc m h V hv t V V h t
_ 1 _sin ; 1,2,3,....,dc m h I hi t I I h t h N
Valores medios y eficaces en régimen no-sinusoidal
1 1( ) 1 cos(2 ) sin(2 )dc dc h h mnp t V I P h t Q h t D m n
_ _ _ _
1
cos( )N
dc h dc dc rms h rms h V h I h
h
P P P V I V I
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Potencia Aparente: 2 2
rms rmsS V I P Q
Potencia Reactiva: 2 2Q S P
Factor de Potencia: P
FPS
Factor de Desplazamiento: _1 _1cos( )V IFD
Calidad de la potencia: Forma de onda
Otros valores en régimen no-sinusoidal:
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Distorsión Armónica:
2 22 2 2_
_12
_1 _1
N
dc rms hrms rms dch
V
rms rms
V VV V V
THDV V
Calidad de la potencia: Forma de onda
Medida de desviación del Lado AC:
Factor de Rizado:
2
2 2_
1
N
rms h
h rms dc
V
dc dc
VV V
FRV V
Medida de desviación del Lado DC:
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Profesor: Armando Jaime Ustariz Farfán
E-Mail: [email protected]
CAPÍTULO 1: Introducción a la electrónica de potencia
1.5. Interruptores de estado sólido
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Interruptores de estado sólido: Diodos de potencia
• Dispositivo sin control (por parte del usuario)
• Encendido y apagado, controlado por el circuito de potencia
a) símbolo
A K
Dv
Di
c) Ideal i-v
Di
Dv
b) Característica i-v
Di
Dv
FV
FI
RV
DIODO : “Silicon Controled Rectifier”
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Interruptores de estado sólido: Tiristor - SCR
• Dispositivo semi-controlado (por parte del usuario)
• Encendido, solo si hay señal de puerta (impulso de corriente)
• Apagado, controlado por el circuito de potencia
a) símbolo
A K
AKv
Ai
G
Gi
c) Ideal i-v
Ai
AKv
off on
b) Característica i-v
Ai
AKv
FVRV
EI
MI
SCR : “Silicon Controled Rectifier”
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Interruptores de estado sólido: Transistor - IGBT
• Dispositivo totalmente-controlado (por parte del usuario)
• Encendido y apagado por puerta
c) Ideal i-v
Ci
CEvoff
on
IGBT : “Insulated Gate Bipolar Transistor”
b) Característica i-v
Ci
CEv
GEv
a) símbolo
G
E
GEv
Ci
C
CEv
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Interruptores de estado sólido: Nombres y Ejemplos
Sin control
• DIODOS
• DIODOS RÁPIDOS
Solo con control de encendido
• SCR : «silicon-controlled rectifier»
• TRIAC: «Triode for Alternating Current»
Con control de encendido y apagado
• BJT «Bipolar Junction Transistor»
• IGBT « insulated-gate bipolar transistor»
• MOSFET «Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor»
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Interruptores de estado sólido: Comportamiento
Tensión
Corriente
Frecuencia
de conmutación
Tiristor-SCRs
Tiristor-GTOs
IGBTs
BJTs
MOSFETs
500 A 1000 A 1500 A 2000 A 2500 A
1 kHz
10 kHz
100 kHz
1 MHz
5000 V
4000 V
3000 V
2000 V
1000 V