+ All Categories
Home > Documents > 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

Date post: 26-Mar-2015
Category:
Upload: owen-foster
View: 213 times
Download: 1 times
Share this document with a friend
Popular Tags:
22
1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p
Transcript
Page 1: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

1

Tecnologia CMOS

I passi principali per la realizzazione

di transistori a canale n e a canale p

Page 2: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

2p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

input

outputGND VDD

Page 3: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

3

input

outputGND VDD

p substrate

n-wellp+p+ p+n+n+ n+

+SiO2

+SiO2

Page 4: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

4

p substrate

SiO2

photoresist

n-well mask

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 5: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

5

p substrate

SiO2

photoresist

n-well

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 6: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

6

p substrate

n-well

Nitride

active mask

photoresist

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 7: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

7

p substrate

channel stop mask

n-well

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 8: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

8

p substrate

n-well

n-well mask

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 9: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

9

p substrate

n-well

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 10: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

10

p substrate

n-wellgate oxide

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 11: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

11

p substrate

n-well

polysilicon

mask

polysilicon

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 12: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

12

p substrate

n-welln+n+ n+

p substrate

n-well

n+ mask

gates

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 13: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

13

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

p+ mask

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 14: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

14

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 15: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

15

contact mask

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 16: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

16

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

metal1 mask

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 17: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

17

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

l w

l R =

t w= RS

l w

= R

l w t

input

outputGND VDD

Page 18: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

18

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 19: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

19

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 20: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

20

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

input

outputGND VDD

Page 21: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

21

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+

Page 22: 1 Tecnologia CMOS I passi principali per la realizzazione di transistori a canale n e a canale p.

22

p substrate

n-wellp+p+ p+

p substrate

n-welln+n+ n+


Recommended