SEMICONDUCTORES

Alexandra Maroto Romero

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Rectificador, zener, túnel, fotodiodo, led.

DIODOS

RECTIFICADOR

Aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas características son las que permite a este tipo

de diodo rectificar una señal. Tipo PN.

ZENER

Este tipo de diodo conduce, tanto hacia adelante (+) y hacia atrás(-). Cuando se lleva a cabo en la dirección hacia atrás

funciona como un regulador de tensión. Cuando se lleva a cabo en la dirección de avance funciona como un diodo rectificador.

FOTODIODO

Este semiconductor es sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo

que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células

fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. De unión PN.

LED

Un led es un componente opto electrónico pasivo y, más concretamente, un diodo que

emite luz.

BJT, FET, MOSFET, SCR, TRIAC, DIAC, IGBT.

TIRISTORES

BJT (bipolar junction transistor = transistor de unión bipolar)

Dispositivo semiconductor de 3 capas NPN o PNP, y sus funciones son múltiples como amplificar, switchar, oscilar etc

Amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patas (base), el entregará por otra (emisor) , una cantidad mayor a ésta, en

un factor que se llama amplificación. Entonces:

Ic = β * Ib- Ie. Las corrientes dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc.

FET (transistor de efecto campo)

Transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en

gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. 

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de

cargas, y por tanto, son unipolares.

MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor)

Utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato

(B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos

MOSFET de tres terminales. se construye con una capa de silicio policristalino.

SCR (Rectificador Controlado de Silicio)Dispositivo semiconductor biestable formado por tres

uniones pn con la disposición pnpn. Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción

entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi

ideal, rectificador y amplificador a la vez.

TRIAC (Triodo para Corriente Alterna)

Dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. Es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de

conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 y puerta. El disparo del TRIAC se realiza

aplicando una corriente al electrodo puerta.

DIAC (diodo de corriente alterna)

Dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un componente

electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensión de cebado o de disparo. Se emplea normalmente en circuitos

que realizan un control de fase de la corriente del triac.

IGBT (transistor bipolar de puerta aislada)

Dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los FET con la capacidad de alta

corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como

interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.