高価格の要因

解決策

ZnSについて

ミストCVD法について

実験目標

利点　：低消費電力　　　　長寿命

問題点：高価格

LED(Light Emitting Diode)

LEDについて

研究背景

解決策

ZnSについて

ミストCVD法について

実験目標

LEDについて

高価格の要因

現在、LEDに用いられているIn GaN(窒化インジウムガリウム)

作製方法が有機金属化学気相成長法↓

真空を用いるため装置が複雑で大規模

要因①(材料)

が希少金属

要因②(作製方法)

研究背景

ZnSについて

ミストCVD法について

実験目標

LEDについて

高価格の要因

解決策

希少金属の代わりにZnS(硫化亜鉛)

…資源が多く安価

大気圧で作製可能なミストCVD法(ミスト化学気相成長法)

解決策①(材料)

解決策②(作製方法)

研究背景

研究背景

解決策

ミストCVD法について

実験目標

LEDについて

高価格の要因

ZnSについて

ZnS(硫化亜鉛)・資源が豊富で安価・励起子結合エネルギーが大きい

: 37meV(室温のエネルギー以上)

・バンドギャップが広い : 3.54eV(閃亜鉛鉱構造) 3.8eV(ウルツ鉱構造)

・２種類の結晶構造を持つ

閃亜鉛鉱構造 ウルツ鉱構造

SS

S

S

S

S

Zn

S

SZn

S

SSS

Zn

SS

Zn

S

S

S S

S S

Zn Zn

SS

S

Zn

S

ZnS

Zn

S

ZnS

Zn

S

S

Zn

S

S S

S

Zn Zn

解決策

ZnSについて

実験目標

LEDについて

高価格の要因

ミストCVD法について

ミストCVD法(ミスト化学気相成長法)

電気炉(ヒーター)

石英炉ファインチャネル方式

基板

超音波振動子

溶液ボトル

ミスト化 キャリアガス

排気

原料溶液

研究背景

解決策

ZnSについて

ミストCVD法について

実験目標

LEDについて

高価格の要因

ミストCVD法で作製したZnSを用いて

低価格LEDを実現する!

ミストCVD法で単結晶のZnSを作る今回の目標

最終目標

→最適条件を調査する。

研究背景