Date post: | 07-Apr-2016 |
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EletrônicaAula 04
CIN-UPPE
Transistores Figura do primeiro transistor de germânio
– John Bardeen and Walter Brattain at Bell Laboratories.
Transistor
Tipos– BJT – Transistor de juncao bipolar
• Biplor (eletrons e buracos)– MOS – Metal Oxido Silicio
• Unipolar (eletrons)
Transistor de Junção (BJT) - NPN
E
C
B
Transistor de Junção (BJT) - PNP
E
C
B
Transistor (NPN) Quando o transistor é polarizado no modo de operação
normal, a tensão na base é ligeiramente positivo em relação a tensão no emissor (aproximadamente 0.7 V para o silício).
A tensão no coletor é positiva com a tensão bem superior a tensão de base.
Transistor (NPN) A região de depleção na junção polarizada reversamente entre
a base e o coletor aumenta e pode suportar a mudança de potencial elétrica.
Correntes no transistor
IE = IB + IC
Modelo convencional
IC
IE
IB
Modelo Real
IC
IE
IB
O que torna o transistor interessante e útil é o fato de que a corrente de coletor é bem maior que a corrente de base.
Para um transistor típico, 95% a 99% dos portadores da carga do emissor são emitidos pelo coletor e constituem-nos quase toda a corrente de coletor.
Transistor
α 0.95 α = IC / IE
IC e ligeiramente menor do que IE
O ganho de corrente de um transistor é definido como a correntedo coletor dividida pela corrente da base
= IC / IB
Transistor - característcas
Transistores de baixa potência têm ganho de corrente da ordem de 100 a 200.
Transistores de alta potência têm ganho de corrente da ordem de 20 a 100.
Características EC CC BC
Ganho de potência sim sim sim
Ganho de tensão sim não sim
Ganho de corrente sim sim sim
Resistência de entrada 3.5K 580K 30K
Resistência de saída 200K 3.5K 3.1M
Mudança de fase da tensão sim não não
Transistor - Configurações
Emisor comum Coletor comum Base comum
Transistor – Emissor comum - características
IE = IB + IC
VCE = VC – VE
VCB = VC – VB
IB = (VBB - VBE )/RB
0.7V
Curva da base
Transistor – Curvas do coletor
Tensão de ruptura
Joelho da curva
Região de saturação
VBE =VIB > 0IC/IB <
Região de corte
VBE < VIB = 0IC IE 0
Corrente IC constante
(região ativa) VBE =VIB > 0IC/IB = constante
Transistor – regiões de operação
Modo de operação
Junção EB Junção BC Aplicações
Zona ativa Polarização direta
Polarização inversa
Amplificadores
Zona de corte Polarização inversa
Polarização inversa
Interruptores, Portas Lógicas,Circuitos TTL,
etc.Zona de saturação
Polarização direta
Polarização direta
Transistor – Região de saturação Região de saturação
– Está região representa a região no qual a corrente do coletor cresce bastante com o aumento da tensão entre o coletor e emissor (0 a 1 V).
– Nesta região o diodo coletor base está diretamente polarizado.– O valor de resistência da carga deve ser pequena bastante para levar o transistor para a saturação, de forma
que quase toda a tensão da fonte é aplicada na carga.
carga
VBE =VIB > 0IC/IB <
Transistor – Região de corte Região de corte
– Nesta região a corrente de base é nula. – Existe apenas nesta configuração uma pequena corrente de fuga do
coletor.
VBE < VIB = 0IC IE 0
Transistor – Região ativa Região ativa
– Está região representa a operação normal do transistor. Nesta região o diodo emissor está polarizado diretamente e o diodo coletor inversamente polarizado.
– Nesta região, o coletor captura praticamente todos o elétrons que o emissor está jogando na base.
VBE =VIB > 0IC/IB = constante
Transistor – Reta de carga - Polarização A reta de carga possui todos os pontos de operação do circuito,
considerando as características do transistor. Ponto de saturação – ponto onde a reta de carga intercepta a região de saturação das curvas do coletor. Ponto de corrente Ic máxima do circuito
Ponto de corte – corrente Ic mínima do circuito
Ponto Q
Polarização de amplificadores
emissor comum
Transistores BJT
BJT – Polarização de amplificadores base comum
Neste tipo de configuração a necessidade de mudança de transistores, por exemplo, o 2N3904, que pode ter ganho entre 130-200, pode acarretar mudanças significativas na amplificação do sinal.
Observe que a tensão de saída depende diretamente de (ganho do transistor). O transistor pode ir da região ativa para a de saturação.
http://www.eng.fsu.edu/~ejaz/EEL3300L/lab8.pdf
Tensão de saída em função da tensão de entrada. Vout muda linearmente com a mudança de Vin, desde que os outros parâmetros são constantes.
Transistor – Ponto de operação (região ativa)
10 V 10 V
Considere VBE = 0,7V ; = 100
IB = (10-0,7)V/300K= 31A
IC = . IB => IC = 3,1 mA
VCE = 10-IC.RC => VCE = 10-3,1= 6,9 V
RB = 300K
6,9
3,1
Transistor - região ativa
Operação em Região ativa
Laboratório
Se um sinal senoidal de amplitude 10A é aplicado à base com o transistor neste ponto de operação:IB + IB = 10 A + 5 cos(t)
Se IB varia, VBE também varia e conseqüentemente IC e VCE. Assim, com valor central no ponto de operação:IC + CE = 1.0 + 1.5 cos(t)VCE + VCE = 5.0 – 2.5 cos(t)
5 7.52.5
10 5
15
No ponto de operação:IB = 10 AIC = 1 mAVCE = 5 V
IB = 10 A + 5 A
IB = 10 A - 5 A
Laboratório
Polarização – (fonte de tensão comum)
O ponto de operação do circuito (ponto Q) pode ser calculado a partirdo cálculo de RB, RC, VCC e ganho .VCE depende de diretamente.
Exemplo - Laboratório
Calcular no circuito abaixo os valores de RC, RB, considerando = 100, VCC = 15 V, de forma que no ponto de polarização (Q), IC = 25 mA e VCE = 7.5 V.
Considerando os resultados obtidos acima, qual será o novo ponto Q quando = 200.
BJT – Polarização de amplificadores emissor comum
Se introduzimos assim, um resistor no emissor, de valor elevado, em relação ao da base, a mudança de Bf() pode ser quase imperceptível.
Tensão de entrada
Corrente de emissor
Corrente de coletor
com
considerandotemos que:
Assim, Vout pode ser dado por:
BJT – Polarização com divisor de tensão
Equivalente Thevenin
Encontrar VBB e RBB
VBB
Resistência equivalente
Considerando: IE IC IB
IB deve ser pequena para não afetar a polarização
Tensão na base
IB
Polarização com realimentação Em geral, devemos escolher um valor RB << RE para termos uma condição de
realimentação efetiva, ou seja, fazer com que a corrente do coletor, e conseqüentemente VCE, independam (muito) do ganho do transistor, assim:
=>
Observe que VCE independe do ganho
=>
Polarização com realimentação
Cálculo do valor para VE: Observe que VBE pode variar (0.6 a 0.8 V) para o silício,
principalmente com o aumento da temperatura. Assim para que esta oscilação VBE interfira no circuito de
polarização, devemos fazer com que a tensão no emissor seja imune a está variação. Assim, se considerarmos a variação de 0.1 V, teríamos:
Se VBE oscila em torno e 0.1 V, VE = IE.RE >> 0.1 V or VE > 10*0.1 = 1V
Polarização
Se ou temos:
BE
I1 = IC+IB , como IC>>IB
I1 IC
Desde que IC é independente de o ponto de operação é estável.
Cálculo de VCE (verificação do ponto de operação)
BE BE
Laboratório Projetar um circuito estável, com realimentação, com um ponto Q de IC = 2.5mA e VCE = 7.5V. Considere entre 50 e 200. Considere que o ponto Q se localiza no meio da curva da região ativa e que VCC = 2*VCE
Para:– na configuração realimentação simples via emissor;– na configuração realimentação divisor de tensão na base;– na configuração realimentação coletor-base.
7.5
2.5