Product Standards

MOS FET

FCAB21490L

Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C 1,2,4,5. Source1(FET1) 3. Gate1 (FET1)

6,7,9,10. Source2(FET2) 8. Gate2 (FET2)

Source-source Voltage

Gate-source Voltage

Channel Temperature

Storage Temperature Range

Note *1 Mounted on FR4 board ( 25.4 mm 25.4 mm t1.0 mm )

using the minimum recommended pad size (36mm Copper ).

*2 Mounted on Ceramic substrate (70 mm 70 mm t1.0 mm).

*3 t = 10 ms, Duty Cycle 1 %

Page

Packaging

Source-source ON resistance:RSS(on) typ. = 2.2 mW（VGS = 3.8 V)

CSP(Chip Size Package)

Unit: mm

A

A

A

W

VSS

Marking Symbol: 7F

Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1)

FCAB21490LGate resistor installed Dual N-channel MOS FET

For lithium-ion secondary battery protection circuits

Features

10

Parameter

PD2

IS2 29

12

VGS 8

PD1

Source Current

DC *1

DC *2

Pulse *3

Total Power DissipationDC

*1

DC *2

of 51

0.54

000 pcs / reel (standard)

Symbol Rating Unit

135

IS1 13.5

Embossed type (Thermo-compression sealing) :

V

ISp

V

W3.5

Panasonic TCSP1530011-N1

JEITA ―

Code ―

Equivalent circuitTch 150 C

Tstg -55 to +150 C

8(G2) 6,7,9,10(S2)

3(G1)

FET2

FET1

1,2,4,5(S1)

Doc No. TT4-ZZ-01990 Revision. 1

Established : 2016-05-02 Revised : ####-##-##

Product Standards

MOS FET

FCAB21490L

Electrical Characteristics Ta = 25 C 3 C

Body Diode Forward Voltage

Note Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring methods for transistors.

*1 Guaranteed by design, not subject to production testing

*2 Measurement circuit for Turn-on Delay Time / Rise Time / Turn-off Delay Time / Fall Time

Note2:Measurement circuit

Page of

VDD = 6.0 V, VGS = 4.0 to 0 V

Fall Time *1,*2 tf

Gate-drain Charge *1

pF

ms

Total Gate Charge *1 Qg

Gate-source Charge *1 Qgs

6

12

IS = 6.0 A

6.1

2.75

25

0.7 VDD = 6.0 V, VGS = 0 to 4.0 V

6.7

4.1

nC

IF = 6.0 A, VGS = 0 V

2.1 IS = 6.0 A, VGS = 4.5 V

VGS = 8 V, VSS = 0 V

IS = 6.0 A, VGS = 3.1 V

1.5

Gate-source Threshold Voltage Vth

2.4

3570

RSS(on)2 IS = 6.0 A, VGS = 3.8 V 1.6 2.2

RSS(on)4

VF(s-s) 0.6

RSS(on)1

IS = 1.11 mA, VSS = 10 V

tr

Turn-on delay Time *1,*2

VSS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 kHzOutput Capacitance *1

CissInput Capacitance *1

Qgd

VDD = 6.0 V

VGS = 0 to 4.0 V,

IS = 6.0 A

Reverse Transfer Capacitance *1

IS = 6.0 A

td(on)

Coss

Crss

Turn-off delay Time *1,*2 td(off)

Rise Time *1,*2

1.55

Zero Gate Voltage Source Current ISSS VSS = 12 V, VGS = 0 V

Source-source Breakdown Voltage VSSS

Source-source On-state ResistanceRSS(on)3

IS = 6.0 A, VGS = 2.5 V

1.65

0.35 1.4

Gate-source Leakage Current

1.9 3.1

1.0IGSS

VGS = 5 V, VSS = 0 V

2

V

1.0 mA

V

5

mA

0.90

410

460

10

mW

1.2

3.95

2.85

ms

V

Unit IS = 1.0 mA, VGS = 0 V 12

Parameter Symbol Conditions Min Typ Max

10 %

90 %

90 %

10 %

90 %

10 %

td(on) tr td(off) tf

Vout

RL = 1 W

VDD = 6.0 V

Vin

S1

G1

50 W

Rg

G2

Rg

S2

IS = 6.0 A

PW = 10 ms

D.C. 1 %

0 V

4.0 V

Vin

Vout

Doc No. TT4-ZZ-01990 Revision. 1

Established : 2016-05-02 Revised : ####-##-##

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MOS FET

FCAB21490L

Page

IS - VSS RSS(on) - IS

IS - VGS RSS(on) - VGS

IF - VF IGS - VGS

3 of 5

0

2

4

6

8

10

12

0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05

2.5 V

VGS = 4.5 V 3.8 V

3.1 V

0.01

0.1

1

0 0.5 1 1.5

85 ºC

－40 ℃

25 ºC

0.01

0.1

1

10

0 0.2 0.4 0.6 0.8

25 ºC

85 ºC

- 40 ºC

※Pulse measurement

1.E-09

1.E-08

1.E-07

1.E-06

1.E-05

1.E-04

0 5 10 15

25 ºC

85 ºC

- 40 ºC

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

1 2 3 4 5 6 7 8

3.1 V

VGS = 4.5 V

3.8 V

2.5 V

So

urc

e-S

ou

rce

On-r

esis

tan

ce

R

SS

(on)

( m

Ω )

S

ourc

e-s

ourc

e O

n-r

esis

tance

R

SS

(on)

( m

Ω )

Sourc

e C

urr

ent

, IS

( A

)

Sourc

e C

urr

ent

, IS

( A

)

Gate-source Voltage , VGS ( V ) Gate-source Voltage , VGS( V )

Source Current , IS ( A ) Source-source Voltage , VSS(V)

Ga

te-s

ou

rce

Le

aka

ge

Cu

rren

t

IGS

( A

)

Gate-source Voltage , VGS ( V )

Dio

de F

orw

ard

Curr

ent

, IF

( A

)

Body Diode Forward Voltage , VF ( V )

※Pulse measurement ※Pulse measurement

※Pulse measurement

※Pulse measurement

0

2

4

6

8

10

12

0.5 1.5 2.5 3.5 4.5 5.5 6.5 7.5

※Pulse measurement

25 ºC

85 ºC

－40 ℃

IS = 6. A

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MOS FET

FCAB21490L

Page 5

Thermal Response

ISS - VSS Dynamic Input / Output Characteristics

Rth - tsw Safe Operating Area

4 of

1.E-10

1.E-09

1.E-08

1.E-07

1.E-06

1.E-05

1.E-04

1.E-03

0 5 10 15 200.0

1.0

2.0

3.0

4.0

0 5 10 15 20 25 30

VDD = 6.0 V IS = 6.0 A

25 ºC

85 ºC

- 40 ºC

0.1

1

10

100

1000

0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000

Zero

Gate

Voltage

Sourc

e C

urr

ent

ISS

( A

)

Source-source Voltage , VSS ( V ) Gate Charge , Qg ( nC ) G

ate

-sourc

e V

oltage

, V

GS

( V

)

Pulse Width , tsw ( s )

Therm

al R

esis

tance , R

th (

ºC

/ W

)

Source-source Voltage , VSS ( V )

※Pulse measurement

Pulse Width , tsw ( s )

Square Wave Pulse Duration ( s )

0.001

0.01

0.1

1

10

0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000

Duty Cycle = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

Single Pulse

Ta = 25 ºC,

Mounted on FR4 board (25.4 mm×25.4 mm×t1.0 mm). using the minimum recommended pad size(36 mm Copper) .

Norm

aliz

ed E

ffective T

ransie

nt T

herm

al Im

peda

nce

0.01

0.1

1

10

100

1000

0.1 1 10 100

1 ms

DC 1 s

11 ms

100 ms

3 ms

limited by RSS(on) (VGS = 3.8 V)

Ta = 25 ºC,

Mounted on FR4 board

(25.4 mm×25.4 mm×t1.0 mm). using the minimum recommended pad size(36 mm Copper) .

Absolute Maximum

Sourc

e C

urr

ent,

IS (

A )

Ta=25 ºC

(A) Mounted on FR4 board (25.4 mm×25.4 mm×t1.0 mm).

using the minimum recommended pad size (36 mm Copper) .

(B) Mounted on Ceramic substrate (70 mm×70 mm×t1.0 mm).

(A)

(B)

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MOS FET

FCAB21490L

Unit: mm

Unit: mm

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Outline

5

Land Pattern (Reference)

5 of

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ある用途 － 特定用途(車載機器、航空・宇宙用、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、医療機器、安全装置など)でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上、使用条件等に関して別途、文

書での取り交わしをお願いします。文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては、当社は一切の責任を負いません。

(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承くだ

さい。したがって、 終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に 新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。

(5) 設計に際しては、絶対 大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきま

すようお願いいたします。特に絶対 大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の故障、欠陥については当社として責任を負いません。また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考

慮の上、当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。

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レス）による故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません。また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に

取り決めた条件を守ってご使用ください。

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No.010618