Date post: | 01-May-2015 |
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Impiantazione ionica
Rp projected rangeRp standard deviationN’ implanted dose [cm-2]
Implant dose monitor
Projected standard deviation vs energy
Projected range vs. energy
Projected range vs. energy
L R Dtp' 2 42
Profilo dopo impiantazione:
C xN
L
x R
Lp( ) exp
'
' '
FHG
IKJ
LNMM
OQPP
2
profilo dopo redistribuzione:
Profilo di drogaggio impiantato (teorico)
Profili delle impurezze impiantate (teorici e reali)vs. energia
Dispositivo: resistore diffuso o impiantato
dG(x) =qp(x)p(x)W/Ldx
jx
p dxxpxqL
WG
0
)()(
jx
p Dt
x
L
W
Dt
qNG
0
2'
4exp
R = L/W 1/(qN’pp)
R = n. quadrati X resistenza per quadro
Resistore diffuso o impiantato
Diffusione laterale
Tecniche di crescita epitassiale
Crescita di materiale sopra (epi-) la superficie del semiconduttore, con lostesso ordine (taxis) cristallografico del materiale sottostante
servono per crescere materiale meno drogatodel substrato, o materiale con drogaggioassolutamente uniforme
omoepitassia e eteroepitassia
Tecniche di epitassia
VPE
LPE - crescita lenta, strati sottili 0.2 um
MBE - controllo a livello atomico, crescitalenta 0.001 um/min - 0.3 um/min
MOCVD - deposizione chimica in fase vaporeda composti metallo-organici (es trimetilgallioGa(CH3)3; basse temperature di crescita, ottimo controllo degli strati cresciuti, rapidavelocità di crescita)
Epitassia da fase liquida (LPE)
Epitassia da fascio molecolare (MBE)
Epitassia da fase vapore (VPE)