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MCP14700デュアル入力同期整流MOSFETドライバ

特徴

• ハイサイドとローサイドとのゲート駆動用に各々独立した PWM 入力制御を持つ

• 入力論理レベルしきい値は 3.0 V TTL 互換

• 同期整流アプリケーション向けのデュアル出力MOSFET 駆動

• 高ピーク出力電流 : 2 A (typical)• 内部ブートストラップブロックデバイス

• +36 V ブートピン最大定格

• 低消費電流 : 45 µA (typical)• 大容量性負荷駆動能力 :

- 10.0 ns で 3300 pF ( 標準 )• 入力電圧の低電圧ロックアウト保護

• 過熱防止回路

• 省スペースパッケージ : - 8 ピン SOIC- 8 ピン 3x3 DFN

アプリケーション

• 3 相 BLDC モータ制御

• 高効率同期整流式 DC/DC 降圧型コンバータ

• 高電流 - 低出力電圧同期整流式 DC/DC 降圧型コンバータ

• 高入力電圧同期整流式 DC/DC 降圧型コンバータ

• マイクロプロセッサへのコア電圧供給

概要説明

MCP14700 は、ハイサイドおよびローサイドの N チャンネル MOSFET を最適に駆動する事を目的として設計された高速同期整流式 MOSFET ドライバです。MCP14700 は PWM 入力を 2 つ備え、外部 N チャンネル MOSFET を別々に制御できます。内部クロスコンダクション防止回路がないため、外付け MOSFETのデッドタイムを細かく制御できます。これにより、さらに効率の良いシステムまたはユニークなモータ制御アルゴリズムを実現できます。

PWM 入力の遷移しきい値は、PWM 入力信号立ち上がりで 1.6 V (typ.)、立ち下がりで 1.2 V (typ.) です。そのため、MCP14700 は 3.0 V TTL/CMOS 論理を用いるコントローラに最適です。 PWM 入力は内部的にローにされるため、入力がフローティング状態の場合でも、出力駆動信号はローとなります。

MCP14700 デバイスの HIGHDR と LOWDR のピークソース電流容量は、2 A (typ.) です。HIGHDR は 2 A(typ.) ピーク電流をシンクできるのに対し、LOWDR は3.5 A (typ.) ピーク電流をシンクできます。低抵抗のプルアップおよびプルダウン駆動により、MCP14700 は3300 pFの負荷に10 ns (typ.)という高速で遷移できます。ハイサイド駆動用のブートストラップ回路を内部に実装しているため、システムコストと設計の複雑さを低減できます。

MCP14700 は、標準的なヒステリシスを 500 mV とした低電圧ロックアウト機能 (UVLO) を備えています。また、ヒステリシスを設けた過熱防止回路も備えています。

パッケージタイプ

MCP147003x3 DFN*

PWMLO

PWMHI

GND

BOOTVCC

1

2

34

8

7

65 LOWDR

HIGHDRPHASE

* 露出サーマルパッド (EP) を含む。表 3-1 を参照。

EP9

MCP14700SOIC

PWMLO

PWMHI

GND

BOOTVCC

1

234

8

765 LOWDR

HIGHDRPHASE

© 2009 Microchip Technology Inc. DS22201A_JP - p. 1

MCP14700

代表的なアプリケーションの回路図

HIGHDR

LOWDR

PHASE

VCC

PWMLO

BOOT

GND

PWMHI

VBUCK = 30 V

VCC = 5.0 VCBOOT

dsPIC33FJ06GS101

CURRENTSENSE

CURRENTSENSE

PWM1L

PWM1H

AN0

AN1

MCP14700

同期整流降圧アプリケーション

HIGHDR

LOWDR

PHASE

VCC

PWMLO

BOOT

GND

PWMHI

HIGHDR

LOWDR

PHASE

VCC

PWMLO

BOOT

GND

PWMHI

HIGHDR

LOWDR

PHASE

VCC

PWMLO

BOOT

GND

PWMH

PWM2

PWM1

VCC

PWM4

PWM3

VCC

PWM6

PWM5

VCC

24 V 24 V

24 V

SENSENODE

VREF

PWM1PWM2PWM3PWM4PWM5PWM6

dsPIC

MCP14700 MCP14700

SENSENODE

MCP14700

3 相 BLDC モータ制御アプリケーション

SENSENODE

DS22201A_JP - p. 2 © 2009 Microchip Technology Inc.

MCP14700

機能ブロック図

BOOT

HIGHDR

PHASE

LOWDR

VCC

PWMHI

PWMLO

GND

LevelShift

Input

Protection

LogicVCC

Circuitry

CircuitryGND

VCC


MCP14700
NOTES:

MCP14700

1.0 電気的特性

絶対最大定格 †VCC......................................................... -0.3 ～ +7.0 VVBOOT................................................... -0.3 ～ +36.0 VVPHASE......................... VBOOT - 7 V ～ VBOOT + 0.3 VVPWM...........................................-0.3 V ～ VCC + 0.3 VVHIGHDR ...................VPHASE - 0.3 V ～ VBOOT + 0.3 VVLOWDR .......................................-0.3 V ～ VCC + 0.3 V全ピンの ESD 保護 ....................................2 kV (HBM)...................................................................400 V (MM)

† 注記 : 左記の「最大定格」を超える条件は、デバイスに恒久的な損傷を生じる可能性があります。これはストレス定格です。本仕様書の動作セクションに示す条件または上記から外れた条件でのデバイスの運用は想定していません。長期間にわたる最大定格条件での動作や保管は、デバイスの信頼性に影響する可能性があります。

DC 特性電気的仕様 : 特に明記しない限り、VCC = 5.0 V、TJ = -40 ～ +125 °C とします。

パラメータ記号最小値代表値最大値単位条件

VCC 供給要件

VCC 動作レンジ VCC 4.5 5.0 5.5 V

バイアス電源電圧 IVCC — 45 — µA PWMHI および PWMLO ピンフローティング

UVLO ( 立ち上がり VCC) VUVLO — 3.50 4.00 V

UVLO ヒステリシス VHYS — 500 — mV

PWM 入力要件

PWM 入力電流 IPWM — 7.0 10 µA VPWM = 3.0 V

PWM 入力電流 IPWM — 1.0 — nA VPWM = 0 V

PWMLO および PWMHI立ち上がりしきい値

PWMHI_TH 1.40 1.60 1.80 V VCC = 5.0 V

PWMLO および PWMHI立ち下がりしきい値

PWMLO_TH 1.10 1.20 1.30 V VCC = 5.0 V

PWM 入力ヒステリシス PWMHYS — 400 — mV VCC = 5.0 V

出力要件

高出力電圧 (HIGHDR およびLOWDR)

VOH VCC - 0.025 — — V VCC = 5.0 V

低出力電圧 (HIGHDR およびLOWDR)

VOL — — 0.025 V VCC = 5.0 V

ハイ駆動ソース抵抗 RHI_SRC — 1.0 2.5 Ω 500 mA ソース電流、 Note1ハイ駆動シンク抵抗 RHI_SINK — 1.0 2.5 Ω 500 mA シンク電流、 Note1ハイ駆動ソース電流 IHI_SRC — 2.0 — A Note1ハイ駆動シンク電流 IHI_SINK — 2.0 — A Note1ロー駆動ソース抵抗 RLO_SRC — 1.0 2.5 Ω 500 mA ソース電流、 Note1ロー駆動シンク抵抗 RLO_SINK — 0.5 1.0 Ω 500 mA シンク電流、 Note1ロー駆動ソース電流 ILO_SRC — 2.0 — A Note1ロー駆動シンク電流 ILO_SINK — 3.5 — A Note1Note 1: このパラメータは特性上確保されている値であり、生産試験で検証した値ではありません。

2: パラメータの定義については、図 4-1 および図 4-2 を参照してください。


MCP14700

スイッチング時間

HIGHDR 立ち上がり時間 tRH — 10 — ns CL = 3.3 nF、Note1、Note2LOWDR 立ち上がり時間 tRL — 10 — ns CL = 3.3 nF、Note1、Note2HIGHDR 立ち下がり時間 tFH — 10 — ns CL = 3.3 nF、Note1、Note2LOWDR 立ち下がり時間 tFL — 6.0 — ns CL = 3.3 nF、Note1、Note2HIGHDR ターンオフ伝播遅延 tPDLH 20 27 36 ns 負荷なし、Note1、Note2LOWDR ターンオフ伝播遅延 tPDLL 10 17 25 ns 負荷なし、Note1、Note2HIGHDR ターンオン伝播遅延 tPDHH 20 27 36 ns 負荷なし、Note1、Note2LOWDR ターンオン伝播遅延 tPDHL 10 17 25 ns 負荷なし、Note1、Note2保護要件

サーマルシャットダウン TSHDN — 147 — °C Note1サーマルシャットダウンヒステリシス

TSHDN_HYS — 20 — °C Note1

DC 特性 ( 続き )電気的仕様 : 特に明記しない限り、VCC = 5.0 V、TJ = -40 ～ +125 °C とします。

パラメータ記号最小値代表値最大値単位条件

Note 1: このパラメータは特性上確保されている値であり、生産試験で検証した値ではありません。

2: パラメータの定義については、図 4-1 および図 4-2 を参照してください。

温度特性特に明記しない限り、全てのパラメータには条件 VCC = 5.0 V を適用します。

パラメータ記号最小値代表値最大値単位備考

温度レンジ

最高接合部温度 TJ — — +150 °C

保管温度 TA -65 — +150 °C

仕様温度レンジ TA -40 — +125 °C

パッケージ熱抵抗

熱抵抗、8L-3x3 DFN θJA — 64 — °C/W 標準的な 4 層ボード ( グランドプレーンへのスルーホール付き )

θJC — 12 — °C/W

熱抵抗、8L-SOIC θJA — 163 — °C/WθJC — 42 — °C/W


MCP14700

2.0 代表的な性能データ

Note: 特に明記しない限り、VCC = 5.0 V で TA = +25 °C とします。

図 2-1: 容量性負荷に対する立ち上がり時間

図 2-2: 温度に対する HIGHDR 立ち上がり /立ち下がり時間

図 2-3: 温度に対する HIGHDR 伝播遅延

図 2-4: 容量性負荷に対する立ち下がり時間

図 2-5: 温度に対する LOWDR 立ち上がり /立ち下がり時間

図 2-6: 温度に対する LOWDR 伝播遅延

Note: 以下のグラフと表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり、情報の提供のみを目的としています。ここに記載されている性能特性は検証されておらず、保証されません。一部の図表には、仕様動作レンジ外で計測したデータも含まれます ( 例 : 仕様レンジ外の電源を使用 )。従ってこれらのデータは保証範囲外です。

0

5

10

15

20

25

0 1500 3000 4500 6000 7500Capacitive Load (pF)

Ris

e Ti

me

(ns)

tRL

tRH

立ち上

がり時

間(n

s)

容量性負荷 (pF)

6789

1011121314

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

Temperature (oC)

Tim

e (n

s)

tRH

tFH

CLOAD = 3,300 pF

時間

(ns)

温度 (°C)

202224262830323436

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

Temperature (oC)

Prop

agat

ion

Del

ay (n

s) tPDLH

tPDHH

CLOAD = 3,300 pF

伝播

遅延

(ns)

温度 (°C)

0

24

68

1012

1416

0 1500 3000 4500 6000 7500Capacitive Load (pF)

Fall

Tim

e (n

s)

tFL

tFH

立ち

下が

り時間

(ns)

容量性負荷 (pF)

56789

1011121314

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

Temperature (oC)

Tim

e (n

s)

tRL

tFL

CLOAD = 3,300 pF時

間(n

s)

温度 (°C)

10

12

14

16

18

20

22

24

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

Temperature (oC)

Prop

agat

ion

Del

ay (n

s) tPDHL

tPDLL

CLOAD = 3,300 pF

伝播

遅延

(ns)

温度 (°C)


MCP14700
Note: 特に明記しない限り、VCC = 5.0 V で TA = +25 °C とします。
図 2-7: 周波数に対する消費電流図 2-8: 温度に対する消費電流

0

10

20

30

40

50

60

70

100 1000 10000Frequency (kHz)

Supp

ly C

urre

nt (m

A)

CLOAD = 3,300 pF

消費

電流

(mA

)

周波数 (kHz)

404142434445464748

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

Temperature (°C)

Supp

ly C

urre

nt (µ

A)

PWM = 1

PWM = 0

CLOAD = 3,300 pF

消費

電流

(mA

)

温度 (°C)


MCP14700

3.0 ピンアサイン

ピンアサインの詳細を表 3-1 に示します。

3.1 スイッチノード (PHASE)PHASE ピンは、ハイサイドゲートドライバにリターンパスを提供します。ハイサイドパワー MOSFET のソースと、ローサイドパワーMOSFET のドレインは、このピンに接続します。

3.2 ハイサイド PWM 制御入力信号(PWMHI)

ハイサイドパワー MOSFET を制御する PWM 入力信号は、PWMHI ピンに印加します。PWMHI ピンを論理HIGH にすると、HIGHDR ピンも HIGH に遷移します。

3.3 ローサイド PWM 制御入力信号(PWMLO)

ローサイドパワー MOSFET を制御する PWM 入力信号は、PWMLO ピンに印加します。PWMLO ピンを論理HIGHにすると、LOWDRピンもHIGHに遷移します。

3.4 グランド (GND)GND ピンは MCP14700 内部回路のグランドに接続されています。GND ピンは、バイアス電源ソースに対して低インピーダンス接続でリターンを提供します。ローサイドパワー MOSFET がターンオフされると、高ピーク電流は GND ピンから流出します。

3.5 ローサイドゲート駆動 (LOWDR)LOWDR ピンは、ローサイドパワー MOSFET を制御するゲート駆動信号を提供します。ローサイドパワーMOSFET のゲートは、このピンに接続します。

3.6 入力電源電圧 (VCC)VCC ピンは、MCP14700 デバイスに電源を供給します。バイパスコンデンサは、このピンと GND ピンの間に配置します。このコンデンサは、可能な限りMCP14700 の近くに配置してください。

3.7 フローティングブートストラップ供給 (BOOT)

BOOT ピンは、ハイサイドゲート駆動用のフローティングブートストラップ供給ピンです。コンデンサはこのピンと PHASE ピンの間に接続され、ハイサイドパワー MOSFET をターンオンするための電荷を供給します。

3.8 ハイサイドゲート駆動 (HIGHDR)HIGHDR ピンは、ハイサイドパワー MOSFET を制御するゲート駆動信号を提供します。ハイサイドパワーMOSFET のゲートは、このピンに接続します。

3.9 露出メタルパッド (EP)DFN パッケージの露出メタルパッドは、内部ではどの電位とも接続されていません。そのため、このパッドはパッケージの放熱用として、プリント基板のグランドプレーンまたは他のベタパターンに接続できます。

表 3-1: ピンアサイン

MCP14700記号内容

3x3 DFN SOIC

1 1 PHASE スイッチノード

2 2 PWMHI ハイサイド PWM 制御入力信号

3 3 PWMLO ローサイド PWM 制御入力信号

4 4 GND グランド

5 5 LOWDR ローサイドゲート駆動

6 6 VCC 入力電源電圧

7 7 BOOT フローティングブートストラップ供給

8 8 HIGHDR ハイサイドゲート駆動

9 — EP 露出メタルパッド


MCP14700
NOTES:

MCP14700

4.0 詳細説明

4.1 デバイスの概要

MCP14700 は、2 つの独立した PWM 入力を備えた同期整流式 MOSFET ドライバで、グランドリファレンスとフローティングの両方の N チャンネル MOSFETを制御できます。PMW 入力しきい値は論理レベルで真に 3.0 V に対応しており、400 mV (typ.) のヒステリシスを備えます。このため、MCP14700 は低電圧コントローラの使用に理想的です。

MCP14700 は、HIGHDR に接続されたハイサイドMOSFET に 2 A (typ.) のピーク電流を供給できます。ハイサイド N チャンネル MOSFET を駆動するための回路は、コンデンサ以外は全て MCP14700 に内蔵されています。 VCCとBOOTピンの間にはブロックデバイスが配置されているため、ローサイドパワーMOSFETの伝導中はブートストラップコンデンサに VCC が印加されます。ブートストラップコンデンサの適切なサイズ決定についての詳細は、アプリケーションの 5.1「ブートストラップコンデンサの選択」を参照してください。また、HIGHDR は、2 A (typ.) のピーク電流をシンクする事もできます。

LOWDR は、2 A (typ.) のピーク電流のソースと 3.5 A(typ.) のピーク電流のシンクが可能です。これは、PHASE ノードの dv/dt が高い間は、ローサイドMOSFET を確実にターンオフの状態にしておくのに役立ちます。

4.2 PWM 入力

どちらの PWM ピンも、論理 HIGH にすると対応する出力駆動信号が HIGH になります。MCP14700 の動作については、図 4-1 と図 4-2 を参照してください。内部的にはピンがフロートの場合 PWM ピンがグランドにプルダウンされるため、外部の MOSFET に駆動信号が出力される事はありません。動作の信頼性を高めるために、PWM 信号の立ち上がり / 立ち下がりスルーレートを 1 V/50 nsよりも高速にする事を推奨します。

MCP14700 で設計するアプリケーションで、外部MOSFET とのクロスコンダクションを発生させないようにする場合は、PWM を適切なタイミングで入力するように注意してください。MCP14700 内部には、クロスコンダクション防止回路はありません。

4.3 低電圧ロックアウト (UVLO)MCP14700 の UVLO 機能は、入力電圧 VCC が UVLOしきい値を下回った場合、PWMHI と PWMLO ピンの状態に関係なく、HIGHDR または LOWDR 出力を無効にします。

VCC が UVLO しきい値に達した時点で、HIGHDR とLOWDR 出力は、PWMHI または PWMLO ピンの状態に応じて動作します。UVLO しきい値には、500 mV のヒステリシスが設けられています。

4.4 過熱防止回路

MCP14700 は、内部のサーマルシャットダウン機能により、過熱状態から保護されています。MCP14700の内部温度が 147 °C (typ.) に達すると、HIGHDR および LOWDR 出力は PWMHI または PWMLO ピンの状態に関係なく、LOW ステートに遷移します。内部温度が20 °C (typ.) 下がった時点で、MCP14700 は自動的にPWMHI および PWMLO ピンの状態に応じて動作します。

4.5 タイミング図

MCP14700 に印加される PWM 信号は、コントローラIC から供給します。図 4-1 のタイミング図は、PWM信号と MCP14700 の出力信号を図示したものです。

図 4-1: MCP14700 LOWDR タイミング図

PWMLO

LOWDR

tPDHL

tRL

tPDLL

tFL


MCP14700

図 4-2: MCP14700 HIGHDR タイミング図

PWMHI

HIGHDR

tPDHH

tRH

tPDLH

tFH


MCP14700

5.0 アプリケーション情報

5.1 ブートストラップコンデンサの選択

ブートストラップコンデンサは、ハイサイドパワーMOSFET の総ゲート電荷とハイサイドパワーMOSFET伝導中のゲート駆動電圧の許容減衰に基づいて選択します。

式 5-1:

例 :QGATE = 30 nC

∆VDROOP = 200 mV

CBOOT ≥ 0.15 uF

最大電圧定格が、最大入力電圧 (VCC) と最大電源電圧(VSUPPLY) の合計を超える場合は、低 ESR セラミックコンデンサの使用を推奨します。また、CBOOT の静電容量が 1.2 uF を超えないようにする事を推奨します。

5.2 デカップリングコンデンサ

信頼性を確保するため、MCP14700 を適切にデカップリングする事が必要です。このデカップリングコンデンサは、できるだけ MCP14700 の近くに配置します。容量性負荷を素早く充電するための大電流は、このコンデンサから供給します。低 ESR セラミックコンデンサを推奨します。

5.3 消費電力

MCP14700 の消費電力の内訳は、静止電力とゲート充電電力です。

静止電力は下式で求めます。通常、静止電力はゲート駆動消費電力と比較するとごくわずかであり、無視できます。

式 5-2:

電力は主にゲート充電で消費されます。この電力消費は、ハイサイド、ローサイド両方のパワー MOSFETで定義できます。

式 5-3:

CBOOTQGATEV∆ DROOP------------------------------≥

CBOOT = ブートストラップコンデンサ値

QGATE = ハイサイド MOSFET の総ゲート電荷

∆VDROO = ゲート駆動電圧の許容減衰

PQ IVCC VCC×=

PQ = 待機時消費電力

IVCC = 負荷なしバイアス電流

VCC = バイアス電圧

PGATE PHIGHDR PLOWDR+=

PHIGHDR VCC QHIGH× FSW×=

PLOWDR VCC QLOW× FSW×=

PGATE = ゲート充電による総電力消費

PHIGHDR = ハイサイドゲート充電による電力消費

PLOWDR = ローサイドゲート充電による電力消費

VCC = バイアス電源電圧

QHIGH = ハイサイド MOSFET の総ゲート電荷

QLOW = ローサイド MOSFET の総ゲート電荷

FSW = スイッチング周波数


MCP14700

5.4 PCB レイアウト

スイッチング周波数の高い回路でデバイスを適切に動作させるには、PCB を適切にレイアウトする事が重要です。不適切な部品配置はスイッチングの誤動作、電圧のリンギング、回路のラッチアップにつながります。

MCP14700の出力にはハイとローという2つの状態があります。図 5-1 は、MCP14700 の出力がハイで、パワー MOSFET がターンオンの状態での電流経路を示します。ローサイドパワーMOSFETをターンオンするための電荷は、デカップリングコンデンサ CVCC から供給します。電流は、このコンデンサから内部 LOWDR回路を通ってローサイドパワー MOSFET のゲートに入ります。その後ソースから出てグランドプレーンに入り、CVCC に戻ります。過剰な電圧のリンギングまたはスパイキングを低減するには、寄生インダクタンスと電流ループの面積を最小化する必要があります。

図 5-1: ターンオン電流経路

ハイサイドパワー MOSFET をターンオンするための電荷は、ブートストラップコンデンサ CBOOT から供給されます。電流は、CBOOT から内部 HIGHDR 回路を通ってハイサイドパワーMOSFETのゲートに入り、ソースから出て CBOOT に戻ります。この電流ループを形成するプリント基板トレースは、面積を小さくし、寄生インダクタンスを低く抑える必要があります。寄生インダクタンスを抑えるには、トレースを短く幅広にする必要があります。

図5-2は、MCP14700の出力がローで、パワーMOSFETがターンオフの状態での電流経路を示します。この電流経路についても、電圧のリンギングとスパイキングをなるべく小さくするため、寄生インダクタンスとループ面積を小さくする必要があります。

図 5-2: ターンオフ電流経路

回路の性能を最適化するために、次の推奨事項に従ってください。

- 前述の大電流経路を構成する部品は、MCP14700 デバイスの近くに配置してください。寄生インダクタンスとインピーダンスを低く抑えるために、これらの電流ループのトレースは短く幅広にしてください。

- 寄生インダクタンスとインピーダンスを抑えるため、グランドプレーンを使用してください。MCP14700 デバイスは、高ピーク電流のソースおよびシンクが可能です。そのため、余分な寄生インダクタンスまたはインピーダンスが存在すると、性能が損なわれます。

VCC

PWMHI

CVCC

CBOOTVSUPPLY

MCP14700

PWMLO

VCC

PWMHI

CVCC

CBOOTVSUPPLY

MCP14700

PWMLO


MCP14700

6.0 パッケージ情報

6.1 パッケージのマーキング情報

凡例 : XX...X お客様固有情報Y 年コード ( 西暦の下 1 桁 )YY 年コード ( 西暦の下 2 桁 )WW 週コード (1 月の第 1 週が「01」)NNN 英数字のトレーサビリティコード

つや消し錫 (Sn) の使用を示す鉛フリーの JEDEC マーク* 本パッケージは鉛フリーです。鉛フリーの JEDEC マーク ( )

は外箱に表記しています。

Note: マイクロチップ社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合は複数行を使用します。この場合、お客様固有情報に使用できる文字数が制限されます。

3e

3e

8 ピン SOIC (150 mil) 例 :

XXXXXXXXXXXXYYWW

NNN

14700ESN 0933

256

3e

8 ピン DFN (3x3) 例 :

XXXXYYWWNNN

DABR0933256

デバイスコード

MCP14700 DABR

Note: 8 ピン 3x3 DFN に

適用


MCP14700

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BOTTOM VIEWTOP VIEW

D

N

E

NOTE 11 2

EXPOSED PAD

be

N

L

E2

K

NOTE 1D2

2 1

NOTE 2

A

A1A3

( /9.

単位ミリメータ

寸法限界最小公称最大

ピン数 N 8

ピッチ e 0.65 BSC

全高 A 0.80 0.90 1.00

スタンドオフ A1 0.00 0.02 0.05

コンタクト厚 A3 0.20 REF

全長 D 3.00 BSC

露出パッド幅 E2 0.00 – 2.40

全幅 E 3.00 BSC

露出パッド長 D2 0.00 – 2.40

コンタクト幅 b 0.25 0.30 0.35

コンタクト長 L 0.20 0.30 0.55

コンタクトから露出パッドまで K 0.20 – –

8 ピンプラスチックデュアルフラット、リード線なしパッケージ (MF) — 3x3x0.9 mm ボディ[DFN]

Note: 最新のパッケージ図面については、次のウェブサイトにある『Microchip Packaging Specification』を参照してください。http://microchip.com/packaging

上面底面

露出パッド

Notes:1. 1 ピンマークの場所にはばらつきがありますが、必ず斜線部分内にあります。2. パッケージ端部には複数の露出タイバーがある場合があります。3. パッケージは切削切り出しされています。4. 寸法と公差は ASME Y14.5M に準拠しています。

BSC: 基本寸法、理論的に正確な値、公差なしで表示REF: 基準寸法、通常は公差なし、情報としてのみ使用

Microchip Technology Drawing C04-062B

NOTE 1NOTE 1

NOTE 2


MCP14700

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$ 1 $ %$ $ ) !(& $ ) #$ $! $

$$022(((%%2)

8 ピンプラスチックデュアルフラット、リード線なしパッケージ (MF) — 3x3x0.9 mm ボディ[DFN]


推奨ランドパターン

シルクスクリーン



コンタクトピッチ E 0.65 BSC

センターパッド ( オプション ) 幅 W2 2.40

センターパッド ( オプション ) 長 T2 1.55

コンタクトパッドスペース C1 3.10

コンタクトパッド幅 (X8) X1 0.35

コンタクトパッド長 (X8) Y1 0.65

パッド間距離 G 0.30

Notes:1. 寸法と公差は ASME Y14.5M に準拠しています。

BSC: 基本寸法、理論的に正確な値、公差なしで表示Microchip Technology Drawing C04-062A


MCP14700

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D

Ne

E

E1

NOTE 1

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b

A

A1

A2

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L1

c

h

h

φ

β

α

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8 ピンプラスチックスモールアウトライン (SN) — ナロー、3.90 mm ボディ [SOIC]


NOTE 1

Notes:1. 1 ピンマークの場所にはばらつきがありますが、必ず斜線部分内にあります。2. § 特記項目3. D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から 0.15 mm を超えません。

4. 寸法と交差は ASME Y14.5M に準拠しています。BSC: 基本寸法、理論的に正確な値、公差なしで表示REF: 基準寸法、通常は公差なし、情報としてのみ使用

Microchip Technology Drawing C04-057B



ピン数 N 8

ピッチ e 1.27 BSC

全高 A – – 1.75

モールドパッケージ厚 A2 1.25 – –

スタンドオフ§ A1 0.10 – 0.25

全幅 E 6.00 BSC

モールドパッケージ幅 E1 3.90 BSC

全長 D 4.90 BSC

面取り長 ( オプション ) h 0.25 – 0.50

足長 L 0.40 – 1.27

フットプリント L1 1.04 REF

足角 ϕ 0° – 8°

リード厚 c 0.17 – 0.25

リード幅 b 0.31 – 0.51

モールド抜き角頂部 α 5° – 15°

モールド抜き角底部 β 5° – 15°


MCP14700

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8 ピンプラスチックスモールアウトライン (SN) — ナロー、3.90 mm ボディ [SOIC]


シルクスクリーン

Notes:1. 寸法と公差は ASME Y14.5M に準拠しています。

BSC: 基本寸法、理論的に正確な値、公差なしで表示Microchip Technology Drawing No. C04-2057A



コンタクトピッチ E 1.27 BSC

コンタクトパッドスペース C 5.40

コンタクトパッド幅 (X8) X1 0.60

コンタクトパッド長 (X8) Y1 1.55

推奨ランドパターン


MCP14700
NOTES:

MCP14700

付録 A: 改訂履歴

リビジョン A (2009 年 9 月 )• 本書の初版


MCP14700
NOTES:

MCP14700

製品識別システム

ご注文または製品の価格や納期に関するお問い合わせは、弊社または販売代理店までお問い合わせください。

PART NO. X /XX

パッケージ温度レンジ

デバイス

デバイス MCP14700: デュアル入力同期整流 MOSFET ドライバMCP14700T: デュアル入力同期整流 MOSFET ドライバ -

テープ & リール (DFN および SOIC)

温度レンジ E = -40 ～ +125 °C ( 拡張温度レンジ )

パッケージ MF = プラスチックデュアルフラット、リード線なし (3x3 DFN)、8 ピン

SS = プラスチックスモールアウトライン、(3.90 mm)、8 ピン

例 :a) MCP14700-E/MF: 拡張温度レンジ、8LD

DFN パッケージ

b) MCP14700T-E/MF: テープ & リール、拡張温度レンジ、8LD DFN パッケージ

a) MCP14700-E/SN: 拡張温度レンジ、8LD SOIC パッケージ

b) MCP14700T-E/SN: テープ & リール、拡張温度レンジ、8LD SOIC パッケージ


MCP14700
NOTES:

マイクロチップ社製デバイスのコード保護機能について以下の点にご注意ください。

• マイクロチップ社製品は、該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています。

• マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合、マイクロチップ社製品のセキュリティレベルは、

現在市場に流通している同種製品の中でも最も高度であると考えていますが、

• コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です。弊社の理解では、こうした手法はマイク

ロチップ社データシートにある動作仕様書以外の方法でマイクロチップ社製品を使用する事になります。このような行為は知

的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。

• マイクロチップ社は、コードの保全性に懸念を抱くお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。

• マイクロチップ社を含む全ての半導体メーカーで、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コー

ド保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証するものではありません。

コード保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます。マイクロ

チップ社のコード保護機能の侵害は、デジタルミレニアム著作権法に違反します。そのような行為によってソフトウェアまたはそ

の他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利が

あります。

本書に記載されているデバイスアプリケーション等に関する

情報は、ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであ

り、更新によって無効とされる事があります。お客様のアプリ

ケーションが仕様を満たす事を保証する責任は、お客様にあ

ります。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口頭、

法定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている情報

に関して、状態、品質、性能、商品性、特定目的への適合性

をはじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。マイ

クロチップ社は、本書の情報およびその使用に起因する一切

の責任を否認します。マイクロチップ社の明示的な書面によ

る承認なしに、生命維持装置あるいは生命安全用途にマイク

ロチップ社の製品を使用する事は全て購入者のリスクとし、

また購入者はこれによって発生したあらゆる損害、クレーム、

訴訟、費用に関して、マイクロチップ社は擁護され、免責さ

れ、損害をうけない事に同意するものとします。暗黙的ある

いは明示的を問わず、マイクロチップ社が知的財産権を保有

しているライセンスは一切譲渡されません。

© 2009 Microchip Technology Inc.

商標

マイクロチップ社の名称と Microchip ロゴ、dsPIC、KEELOQ、KEELOQ ロゴ、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、rfPIC、

UNI/O は、米国およびその他の国におけるマイクロチップテクノロジー社の登録商標です。

FilterLab、Hampshire、HI-TECH C、Linear Active Thermistor、MXDEV、MXLAB、SEEVAL、Embedded Control SolutionsCompany は、米国におけるマイクロチップテクノロジー社の

登録商標です。

Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、dsSPEAK、ECAN、

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米国およびその他の国におけるマイクロチップテクノロジー

社の商標です。

SQTP は、米国におけるマイクロチップテクノロジー社の

サービスマークです。

その他、本書に記載されている商標は各社に帰属します。

© 2009, Microchip Technology Incorporated, Printed in the U.S.A., All Rights Reserved.

本書は再生紙を使用しています。

ISBN: 978-1-60932-185-7

DS22201A_JP - p. 25

マイクロチップ社では、Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、Gresham ( オレゴン州 ) の本部、設計部およびウェハー製造工場そしてカリフォルニア州とインドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2002 認証を取得しています。マイクロチップ社の品質システムプロセスおよび手順は、PIC® MCU および dsPIC®DSC、KEELOQ®

コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナログ製品に採用されています。さらに、開発システムの設計と製造に関するマイクロチップ社の品質システムは ISO 9001:2000 認証を取得しています。


南北アメリカ本社2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277技術サポート : http://support.microchip.comURL: www.microchip.com

アトランタDuluth, GATel: 678-957-9614 Fax: 678-957-1455

ボストンWestborough, MATel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088

シカゴItasca, ILTel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075

クリーブランドIndependence, OHTel: 216-447-0464 Fax: 216-447-0643ダラスAddison, TXTel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924

デトロイトFarmington Hills, MITel: 248-538-2250Fax: 248-538-2260

ココモKokomo, INTel: 765-864-8360Fax: 765-864-8387

ロサンゼルスMission Viejo, CATel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608

サンタクララSanta Clara, CATel: 408-961-6444Fax: 408-961-6445

トロントMississauga, Ontario,CanadaTel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509

アジア / 太平洋

アジア太平洋支社Suites 3707-14, 37th FloorTower 6, The GatewayHarbour City, KowloonHong KongTel: 852-2401-1200Fax: 852-2401-3431オーストラリア - シドニーTel: 61-2-9868-6733Fax: 61-2-9868-6755

中国 - 北京Tel: 86-10-8528-2100 Fax: 86-10-8528-2104

中国 - 成都

Tel: 86-28-8665-5511Fax: 86-28-8665-7889

中国 - 香港 SARTel: 852-2401-1200 Fax: 852-2401-3431

中国 - 南京

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中国 - 青島

Tel: 86-532-8502-7355Fax: 86-532-8502-7205

中国 - 上海Tel: 86-21-5407-5533 Fax: 86-21-5407-5066

中国 - 瀋陽

Tel: 86-24-2334-2829Fax: 86-24-2334-2393

中国 - 深川

Tel: 86-755-8203-2660 Fax: 86-755-8203-1760

中国 - 武漢

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中国 - 厦門

Tel: 86-592-2388138 Fax: 86-592-2388130

中国 - 西安

Tel: 86-29-8833-7252Fax: 86-29-8833-7256

中国 - 珠海

Tel: 86-756-3210040 Fax: 86-756-3210049

アジア / 太平洋

インド - バンガロールTel: 91-80-3090-4444 Fax: 91-80-3090-4080

インド - ニューデリー

Tel: 91-11-4160-8631Fax: 91-11-4160-8632

インド - プネ

Tel: 91-20-2566-1512Fax: 91-20-2566-1513

日本 - 横浜

Tel: 81-45-471- 6166 Fax: 81-45-471-6122

韓国 - 大邱Tel: 82-53-744-4301Fax: 82-53-744-4302

韓国 - ソウルTel: 82-2-554-7200Fax:82-2-558-5932 または

82-2-558-5934

マレーシア - クアラルンプール

Tel: 60-3-6201-9857Fax: 60-3-6201-9859

マレーシア - ペナン

Tel: 60-4-227-8870Fax: 60-4-227-4068

フィリピン - マニラ

Tel: 63-2-634-9065Fax: 63-2-634-9069

シンガポールTel: 65-6334-8870Fax: 65-6334-8850

台湾 - 新竹

Tel: 886-3-6578-300Fax: 886-3-6578-370

台湾 - 高雄Tel: 886-7-536-4818Fax: 886-7-536-4803

台湾 - 台北Tel: 886-2-2500-6610 Fax: 886-2-2508-0102

タイ - バンコク

Tel: 66-2-694-1351Fax: 66-2-694-1350

ヨーロッパ

オーストリア - ヴェルス

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フランス - パリTel: 33-1-69-53-63-20 Fax: 33-1-69-30-90-79

ドイツ - ミュンヘンTel: 49-89-627-144-0 Fax: 49-89-627-144-44

イタリア - ミラノ Tel: 39-0331-742611 Fax: 39-0331-466781

オランダ - ドリューネン

Tel: 31-416-690399 Fax: 31-416-690340

スペイン - マドリッドTel: 34-91-708-08-90Fax: 34-91-708-08-91

イギリス - ウォーキンガムTel: 44-118-921-5869Fax: 44-118-921-5820

各国の営業所とサービス

03/26/09

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MCP14700 - Microchip Technologyww1.microchip.com/downloads/jp/DeviceDoc/22201A_JP.pdf · 2:...

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