+ All Categories
Home > Documents > Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Date post: 24-Jun-2015
Category:
Upload: edi-mikrianto
View: 126 times
Download: 1 times
Share this document with a friend
Popular Tags:
14
ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF ELECTROCHROMIC TUNGSTEN OXIDE FILMS (Deposisi Uap Kimia Tekanan Atmosfer Film Elektrokromik Tungsten Oksida ) Disusun Oleh: Shinta Yuniar J1B110010 Yusy Muridha Sari J1B110017 Rara Iuda V. T J1B111025 Miftahul Aulya I. J1B111027 Ari Wahyudi J1B110033 Deby Dwi Diliaty J1B111046 Hapsari Tyas P. PROGRAM STUDI S-1 KIMIA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS LAMBUNG MANGKURAT BANJARBARU 2013 EDI MIKRIANTO.,S.Si.,M.Si Pembimbing Mata Kuliah SSA (Sintesis Senyawa Anorganik)
Transcript
Page 1: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF ELECTROCHROMIC TUNGSTEN OXIDE FILMS

(Deposisi Uap Kimia Tekanan Atmosfer Film Elektrokromik Tungsten Oksida)

Disusun Oleh:Shinta Yuniar J1B110010Yusy Muridha SariJ1B110017Rara Iuda V. T J1B111025Miftahul Aulya I. J1B111027Ari WahyudiJ1B110033Deby Dwi Diliaty J1B111046Hapsari Tyas P.PROGRAM STUDI S-1 KIMIA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS LAMBUNG MANGKURATBANJARBARU

2013

EDI MIKRIANTO.,S.Si.,M.Si Pembimbing Mata Kuliah SSA (Sintesis Senyawa Anorganik)

EDI MIKRIANTO.,S.Si.,M.Si Pembimbing Mata Kuliah SSA (Sintesis Senyawa Anorganik)

Page 2: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Latar Belakang…

• Banyaknya jenis metode sintesis material

• Tungsten Oksida

• Metode Chemical Vapor Deposition/Deposisi Uap Kimia

ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF ELECTROCHROMIC TUNGSTEN OXIDE FILMS

(Deposisi Uap Kimia Tekanan Atmosfer Film Elektrokromik Tungsten Oksida)

Page 3: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION/

DEPOSISI UAP KIMIA

METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR

DEPOSITION

HOT FILAMENT CHEMICAL VAPOR

DEPOSITION(HFCVD)

LASER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

(LCVD)

THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR

DEPOSITION

PHOTO-ASSISTED CHEMICAL VAPOR

DEPOSITION

ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

(APCVD)

Page 4: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Chemical vapour deposition is essentially the formation of a thin film on a substrate, of varying description, by a chemical reaction of vapour phase precursors.

The reaction in these instances occurs in the gas-phase, which is what distinguishes CVD from other physical vapour deposition processes, such as evaporation and reactive sputtering.

ADVANTAGES : the production of highly dense and pure phase materials, films have excellent adhesion, are uniform and easily reproducible, crystal structure, surface morphology and orientation of products can be controlled with ease, deposition rates can be adjusted.

Chemical Vapor Deposition

Page 5: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

An overview of the process is shown below in Fig. 1

Page 6: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

TUNGSTEN OKSIDA

Bahan utama dalam berbagai macam perangkat elektrokromik.

Tungsten oxides (WOx) are of great interest, being promising in applications such as flat panel displays, ‘smart windows’, semiconductor gas sensors, and photocatalysts.

Have been synthesized including monoclinic W18O49 nanowires, orthorhombic W3O8 nanowires, quasi-1D W5O14 crystals, two-dimensional tetragonal WO2.9 nanowire networks, monoclinic WO3 nanowires, and cubic- structured WO3 nanowires

Page 7: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Sintesis Komponen Volatil Cairan Tungsten

Page 8: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Prosedur Deposisi Uap Kimia

• Campuran gas reaktan dipersiapkan dengan menempatkan salah satu prekursor tungsten cair, tungsten(0) pentakarbonil 1-metilbutilisonitril atau tungsten(0) pentakarbonil n-pentilisonitril, dalam pompa jarum suntik dari yang disampaikan pada tingkat yang stabil antara 1,5 dan 14 ml/h dalam Nozzle Ultrasonik Sonotek dioperasikan dengan kekuatan 2,0-2,3 W pada frekuensi 125 kHz.

• Kabut yang dihasilkan tertahan kedalam 8,0-9,0 l/min aliran gas nitrogen dipanaskan sampai 180°C untuk menguapkan tetesan cairan. Campuran gas ini kemudian dicampur dalam T bersama dengan aliran 1,0-1,5 l/min gas oksigen sebelum mencapai masuk ke reaktor. Kedua prekursor menunjukkan reaktivitas hampir identik, dengan perbandingan sampel 1-6.

Page 9: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013
Page 10: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013
Page 11: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Pengukuran Elektrokromis

Page 12: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Rincian Percobaan dan Sintesis Kimia

• Sintesis 1-metilbutilformamida, CH3CH2CH2CH(CH3)NHC(=O)H

• Sintesis 1-metilbutilisonitril, CH3CH2CH2CH(CH3)NC

• Sintesis tungsten(0) pentakarbonil 1-metilbutilisonitril,

(CH3CH2CH2CH(CH3)NC)W(CO)5

Page 13: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Kesimpulan Film tungsten oksida diendapkan pada tekanan atmosfer dari uap

yang sesuai, prekursor stabil diudara, tungsten pentilisonitril pentakarbonil.

Metode ini cepat dan mudah ditingkatkan sampai area yang luas. Film-film menunjukkan perilaku elektrokromik dengan baik proton atau counter-ion lithium.

Kondisi deposisi mempengaruhi kepadatan film, dengan film-film kurang padat menunjukkan warna yang lebih cepat dan lebih luas dan pemutihan. Optimasi lebih lanjut dari kondisi ketebalan film dan deposisi diperlukan untuk menghasilkan efek elektrokromik dengan rasio kontras yang lebih tinggi.

Page 14: Presentasi kelompok 1 (ssa) 2013

Recommended