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DISPOSITIVOSSEMICONDUCTORES:-SEMICONDUCTORES
-SEMICONDUCTORESINTRNSECOS
-SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
-TIPO N-TIPO P
-JUNTURA PN DIODO
-EL DIODO IDEAL
-DIODO REAL 1
UNIDAD N 1:
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SEMICONDUCTORES:
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SEMICONDUCTORES:
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Semiconductor Intrnseco:
-Silicio-Germanio
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SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS:
Semiconductor tipo N:Impurezas: tomos donoresEj : Antimonio
Semiconductor tipo P:Impurezas: tomos aceptores.Ej Galio, Indio, etc:
ara aumentar la concentraci!nde portadores, se realiza el proceso de"#A"# o $#%&A'I%A$I(% con I')*E+AS
El tipo de impurezapredominante, determina el tipo de portadormaoritario, por ende, el tipo de semiconductor.
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&I# %, dopado con (S#
IPO P, dopado con Boro
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JUNTURAS PN:
rontera entre zona tipo % tipo , /ormada en el mismo cristal.Se produce di/usi!n de portadores de una zona a otra, 0asta lorarel euilirio, enerando una zona de aotamiento o "ESE*$I(%.a di/erencia de potencial electrosttico creado, se denominapotencial de arrera de la juntura.El 5ujo de portadores minoritarios 6launas de rei!n % a electrones de a %7, se compensan mutuamente , en condici!n de
euilirio.
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#A*I+A$I(% "I*E$&A:
Se reducela alturade la arrera de potencial
ermite ue maor cantidad de portadores maoritarios crucen la
arrera por di/usi!n.
"espreciando caidas en los contactos e9ternos, la reducci!n en la
arrera es iuala la tensi!n e9terna aplicada.
eueas ;ariaciones en la arrera eneran randes ;ariaciones en el
5ujo de portadores 6relaci!n e9ponencial7
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#A*I+A$I(% I%
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*)&)*A "E A ?)%&)*A %:
Se produce con ;alores intensos de tensi!n de polarizaci!n in;ersa.
Se producen pares e- 0uecos por ruptura de enlaces co;alentes.
&ensi!n de ruptura:
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DIODO:
DiodoIde!":
$ortocircuito con $ircuito Aierto
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Diodos reales:
"onde:
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Diodos reales:
eueas;ariaciones de
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E#ECTOS DE $A TEMPERATURA SO%RE $ACURVA DE$ DIODO:
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Diodos reales: recta decara DC
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RESISTENCIA DC:En un punto de polarizaci!n C,se puede calcular la resistenciade "$ eui;alente del "I#"#:
el punto de euilirio o reposo D!"iescence#
A *ESIS&E%$IA "$ del diodo, es di/erentepara cada punto de #A*I+A$I(%
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RESISTENCIA & RECTA DECAR'A AC:$oncepto desuperposici!n:
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RECTA DE CAR'A EN AC:
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2>
RESISTENCIA AC:Saemos ue:
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RESISTENCIA AC:Saemos ue:
ara e9cursiones peueas dela seal
si
'odelo para peuea seal:
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Si la e9cursi!n de la seal de A$ es comparale al ni;el de "$
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as /ormas de onda de
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Selecci!n de diodos @ 0ojas de datos:
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2ara calcular la potencia ue disipar eldiodo:
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Circ"itos con diodosideales:
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Circ"itos con diodosideales:
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#UENTE DE A$IMENTACI(N RE'U$ADA: RECTI#ICADORESAp"ic!ci)n:
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3>
RECTI#ICADORES:
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*ecticador de 'edia #nda:
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*ecticador de 'edia #nda:
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*ecticador de 'edia #nda:
$olta%e in&erso '()i'o:*$'a)
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*ecticador uente @ #nda completa:
V m a x s e n ( w t )
D 1
R L
O U T
D 2
D 3
D 4
I N
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*ecticador uente @ #nda completa:
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3
*ecticador #nda completa:
D 1
R l
I N O U T
0
D 2
L p
L s 1
L s 2
0
V m a x s e n ( w t )
V m a x s e n ( w t + 1 8 0 )
V m a x s e n ( w t )
6con trans/ormador de punto medio7
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*ecticador #nda completa: D 1
R l
I N O U T
0
D 2
L p
L s 1
L s 2
0
V m a x s e n ( w t )
V m a x s e n ( w t + 1 8 0 )
V m a x s e n ( w t )
$olta%e in&erso'()i'o: *+$'a)
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3
*ecticador &*IJSI$# de media onda:
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3H
*ecticador &*IJSI$# de media onda:
a tensi!n aplicada a la caraes:
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*ecticador &*IJSI$# de media onda:
K
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Recti*ic!dor TRI#+SICO Puente:
-a tensi.n aplicada a la cara es $-nea
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*ecticador &*IJSI$# uente:
"onde Q esel des/asaje de
la tens!n delMnea respectode la de /ase encone9i!n R
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Ejercicios ejemplos:G, "onaldT OE#
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Ejercicios ejemplos:
&A", *oertT %ASESVR, ouisT DEE$*(%I$A:&E#*WA "E $I*$)IS R "IS#SI&I
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