1Nanotechnology for Engineers : J. Brugger (LMIS-1) & P. Hoffmann (IOA)
Nanotechnology for engineers
Summer semester 2005
Thin film deposition
2
Thin Film Deposition
Content
• Liquid phase deposition– Electroless deposition– Galvanic deposition
• Physical Vapor Deposition (PVD)– Evaporation– Sputtering– Reactive PVD– Pulsed Laser Deposition (PLD)
• Chemical Vapor Deposition (CVD)– Thermal CVD– Plasma Assisted Deposition (PA-CVD)– Atomic Layer Deposition (ALD)
• Liquid phase deposition– Electroless deposition– Galvanic deposition
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Thin Film Deposition
Electro(de)less deposition
Exemple 1: Zn precipitates gold from Au 3+ solutions3 22 3 3 2Au Zn Zn Au+ ++ → + ↓
24 42 ( ) 3 3 ( ) 2Au CN Cu Cu CN Au− −+ → + ↓
Exemple 2: Gold coating (100 – 300 nm porous)
Exemple 3: Copper coating on iron 2 3
2 6 2 63 ( ) 2 3 2 ( )Cu H O Fe Cu Fe H O+ ++ → ↓+
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Thin Film Deposition
Normal electrode potentials @ 25°C
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Thin Film Deposition
Liquid deposition
• Electro(de)less deposition– Self catalyzed deposition of noble metals– Au on Cu; Cu on Fe; micron-sized crystals
• Electrolytic or galvanic deposition– Revival due to copper deposition in micro-electronics
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Thin Film Deposition
Electrochemistry basis
• Normal Hydrogen Electrode– (H2 at 1 atm, on platinated Pt, T = 25°C, 1M H+)– Galvanic deposition
2 2 2 HH e+ −+↑ E0 = 0.000 V
2 22 4 4 Si H O SiO H e+ −+ + + E0 = - 0.857 V
2 2 Cu Cu e+ −+ E0 = + 0.337 V
The Faraday constant: F = 9.64846 104 C allows to calculate the amount of metal deposited (or dissolved).
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Thin Film Deposition
Electrochemical Oxydation
Al oxydation (in air about 100 nm)
32 2 32 3 6 6Al H O Al O H e+ + −+ → + +
The electrical oxidation of aluminum « eloxal » (several microns)
Acid, Al as anode with 10 mA/cm2, potential rises up to 50 V.
* Process details unknown until 1981.
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Thin Film Deposition
Electrodeposition
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Thin Film Deposition
Ni Electrodeposition
•Quality of obtained film depends on:– Deposition conditions– Chemical composition of final film (NANO-PLATING Tohru Watanabe)
Properties ParametersTemperature (between 25 and 65°C)Metal concentration (approx. 150 g/l)Electrical conductivity of bath (other salts)Additives (surfactants, brighteners, …)Stirring (diffusion layer)Current density (deposition rate)Electrodes geometrypH...
Hardness (250 HV - 500 HV)BrittlenessElectrical conductivityStress (compression - traction)Roughness (black - gray - mirror)Purity (strongly variable)Magnetic properties (CERN)...
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Thin Film Deposition
The Ni sulfamate bath
Installed in CMI at EPFL, bath from Erne AG Dällikon CH
Ni-Speed compositionNi(SO3NH2)2 x 4 H2O 600 g/lNiCl2 x 6 H2O 10 g/lH3BO3 40 g/lWetting agent NPA env. 2 ml/lBrightener (Lectronic 10-03) testAdditiv NLC max. 5 ml/l
pH 4.0Temperature 60°CStirring strong air bubblingCathode current density up to 90 A/dm2
•Parameters
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Thin Film Deposition
Galvanic industry
http://www.amidoduco.com
http://www.gramm-dental.de
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Thin Film Deposition
Resumé – liquid phase deposition
• Liquid phase deposition
– Electrolytic deposition:
– Increasing importance (Cu, Cu/Co, …)– Relatively low prize– Pulsed deposition
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Thin Film Deposition
Introduction vacuum - PVD
• Liquid phase deposition– Electroless deposition– Galvanic deposition
• Physical Vapor Deposition (PVD)– Evaporation– Sputtering– Reactive PVD– Pulsed Laser Deposition (PLD)
• Chemical Vapor Deposition (CVD)– Thermal CVD– Plasma Assisted Deposition (PA-CVD)– Atomic Layer Deposition (ALD)
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Thin Film Deposition
Vapor phase thin film deposition
Couches minces = thin films = couches jusqu’à quelques microns d’épaisseur déposées sur un substratApplications: - Micro-électronique (1er marché), EUV
Exemple: isolant, métal, semi-conducteur, polymère, multi-couches- OptiqueExemple: miroir, couches anti-reflets, guidage optique- MécaniqueExemple: couches dures (TiC, SiC,etc…), frottements secs (MoS2,TiS2,etc)- Décorations, Couches anti-corrosion Exemple: couches colorées (Al2O3 dopées), orfèvrerie (TiN, CrN), peinture- Séparations, FiltrationsExemple: couches imperméables à O2.
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Thin Film Deposition
Kinetic gas theory 1
pV = nRT loi des gas parfaitsp est la pression (Pa)V est le volume (m3)n est le nombre de molesR est la constante des gas parfaits (8.31 J mol-1 K-1)T est la temperature (K)
Distribution de Maxwell Boltzmann• La vitesse la plus probable vp= (2RT/πM)1/2
• La vitesse moyenne va=<v> =
ou µ est la masse réduite• La vitesse moyenne relative va-rel=
21
)8(MRTπ
21
)8(πµkT
BA
BA
mmmm+
=µ
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Thin Film Deposition
Kinetic gas theory 2
21
)2( mkT
pzWπ
=
z p vkTa rel=
σ
21
00
)2(veff
mkT
pAAzWπ
==
pTk
za
2 vσ
λ ==
tztDrms ≈= λ
Nombre de collisions sur une surface par unité de temps
Nombre de collisions d’une molécule avec d’autre molecules
Vitesse d’effusion par un trou
Libre parcours moyen
Distance moyenne parcourue par diffusion
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Thin Film Deposition
Nondimensional numbers characterizing flow regimes
le nombre de Knudsen: L est la dimension du système
Régime moleculaire Kn > 0.1Régime de transition 0.1 > Kn > 10Régime visqueux Kn < 10
Le nombre de Reynolds: h est le hauteur du tubev la vitesse du flux dans le tubeµ est la viscosité du liquide
Régime turbulent Re > 2300Régime laminaire Re < 2300
(Le nombre de Rayleigh)
Convection due au gradients thermiques pour Ra > 1707
LKn λ
=
µρ hv Re =
[ ]k
TThaCgRa p
µρ )( 12
32 −=
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Thin Film Deposition
Gas flow through tubes
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Thin Film Deposition
How to pump
Pompage en volumePour un réservoir de volume V pompé par un système de débit volumetrique S on obtient le flux gaseux Q:
Q=V dP\dtLe temps de pompage du volume V est :
t=V\S Ln(P0\P1)
Pompage en surface: le dégasageIl est aussi nécessaire de pomper les molécules adsorbées sur les surfaces. La desorption augmente avec la température. La chimie des surfaces est importante pour toutes les applications de vide. Les molécules plus difficiles sont celles adsorbées avec des forces fortes (H2O par exemple). Les autre sont soit très vite pompées (N2) soit ne se désorbent pas (chémisorbées).
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Thin Film Deposition
Pumping regimes
Exemples de désorption de différentes surfaces et influence de la désorption sur le pompage d’une
enceinte
2l mbarQs cm
⋅=⋅
t h =
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Thin Film Deposition
Cleaning processes for UHV systems
Matériaux privilégiés sont l’acier inox, les céramiques et le verre.
Solvants (savons, acétone, …)AcidesEau chaude distillée, ou mieux bidistillée, pour rincerAlcool pour sécher (isopropanol de préférence)
Lavage mécanique Bain à ultrasons avec changement continu du liquide pour eviter contamination de la surface du liquide Dégasage thermique sous vide
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Thin Film Deposition
Primary and Secondary Pumps
Les pompes primairesLes plus fréquentes sont les pompes mécaniques à palettes à 1 ou 2 stades
Fonctionnement : 1000 -10-3 mbar, vitesse 1-1000 m3 h-1
Problèmes: remontées d’huileRemèdes: pièges pour les vapeurs d’huile, pompes sèches
Les pompes secondaires: Turbo-moleculaire
Fonctionnement: 10-2 - 10-9 mbar, vitesse 200 -35000 m3 h-1
Avantages: Hautes vitesses de pompage, propres (sans huiles)Problèmes: vibrations, chères à l’achat et pour les réparations
Pompe à diffusion Fonctionnement : 10-3 – 10-10 mbar, vitesses jusqu’à 3 105 m3 h-1
Avantages: Pompage efficace des gaz légés (H2), entretient facileProblèmes: Huile, molécules lourdes + difficiles à pomper
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Thin Film Deposition
Parallel pumping
Tous ces systèmes sont utilisés préferablement avec déjà des basses pressions donc en annexe avec un système de pompage primaire et souvent aussi secondaire.Les cryopompes
Fonctionnement : vitesse jusqu’à 105 m3 h-1
Problèmes: saturation, régénérationLes pompes à sublimation de titane
Fonctionnement : vitesse jusqu’à 105 m3 h-1
Problèmes:Les pompes ioniques
Fonctionnement : vitesse 3 - 104 m3 h-1
Problèmes:Les getters
Fonctionnement : vitesse 3 - 104 m3 h-1
Problèmes: saturation, régénération
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Thin Film Deposition
Pumps & Pressure ranges
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Thin Film Deposition
Pressure gauges
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Thin Film Deposition
Leak tracking
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Thin Film Deposition
Which vacuum for which application
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Thin Film Deposition
Physical Vapor Deposition PVD
L’evaporation thermiqueChauffage d’une source par passage de courant electrique ou par canon à electrons. Vaporisation d’un produit qui condense sur un substrat. Le vide moléculaire est souvent necessaire pour éviter condensation en phase vapeur.La pulverisation (sputtering)Bombardement d’une cible par atomes de gas noble avec grande énergie cinétique. La collisions de ces atomes avec la surface de la cible provoque l’expulsion de matière de la cible. Une pression de 10-3–10-1
mbar est souvent nécessaire pour le plasma.L’implantation ioniqueDes ions sont accéléres à de très hautes énergies. La probabilité d’interaction avec les atomes de la surface diminuant avec l’énergie des particules, la première collision advient dans le corps du matériaux ce qui élimine l’émission d’atomes comme dans le cas de la pulvérisation.
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Thin Film Deposition
Evaporation systems
Knudsen cellCrucible
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Thin Film Deposition
Electron gun evaporator
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Thin Film Deposition
Monte Carlo simulations of deposition – substrate temperature effect
Growth of Al by evaporation: substrate, Al (111) , Al (001)
T = 300 K
T = 100 K
Source: F.H. Baumann et.al., MRS Bulletin, Mars 2001, 182-189
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Thin Film Deposition
Magnetron Sputtering
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Thin Film Deposition
Pulsed Laser Deposition (PLD)
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Thin Film Deposition
Resumé – PVD
• Physical Vapor Deposition
– Evaporation remains the most used method
– Sputtering results in denser more homogeneous films
– Reactive PVD means: add gases into vacuum system
– PLD excellent research tool – no industrial solution
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Thin Film Deposition
Introduction vacuum - PVD
• Liquid phase deposition– Electroless deposition– Galvanic deposition
• Physical Vapor Deposition (PVD)– Evaporation– Sputtering– Reactive PVD– Pulsed Laser Deposition (PLD)
• Chemical Vapor Deposition (CVD)– Thermal CVD– Plasma Assisted Deposition (PA-CVD)– Atomic Layer Deposition (ALD)
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Thin Film Deposition
Chemical Vapor Deposition CVD: The principle
Précurseur
Gaz réactif
Dépôtsolide
Sous-produits
Réaction chimique:
+
Energie
+
Phase gaz:
précurseur+
gaz réactif
Substrat
Energie
CVD = dépôt chimique assisté en phase vapeur = formation d’un dépôt solide par une réaction mettant en jeu des précurseurs amenés sous forme vapeur.
Différentes méthodes CVD en fonction de: - la pression- la nature de l’énergie amenée au système.
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Thin Film Deposition
Different energy sources for CVD
Potentiel chimique = ∆HAtomic LayerEpitaxy,DepositionALE, ALD
Champ électrique = ∆V
Plasma enhanced CVDou Plasma assisted CVD
PECVD, PACVD
Energie =
Température = ∆T
Thermal CVD
CVD
Energie cinétiqued’ions=∆Ec Ion beam induced CVDIBCVD
Photons=hνPhoto CVD, Laser CVDLCVD,LACVD,LICVD
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Thin Film Deposition
Pressure as name selection for CVD process
P (mbar)10310-110-210-310-410-510-6 100 101 102
Atmospheric pressure CVD(ACVD)
Reduced pressure CVD (RPCVD)
Low pressure CVD(LPCVD)
Ultra-high vacuum CVD(UHV-CVD)
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Thin Film Deposition
Materials deposited by CVD 1
40
Thin Film Deposition
Materials deposited by CVD 2
41
Thin Film Deposition
Materials deposited by CVD 3
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Thin Film Deposition
Simplified CVD system
Chambre de réaction
Substrat
Système d’evacuation du réacteur
Système d’introduction du précurseur
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Thin Film Deposition
CVD step by step
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Thin Film Deposition
CVD step by step
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Thin Film Deposition
Different CVD influences
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Thin Film Deposition
Different CVD reactor geometries
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Thin Film Deposition
Transport phenomena
Modélisation du flux: Régime de flux: laminaire ou turbulent (nombre de Reynolds)
Transport de masse: diffusion ou convection
Visualisation du flux (nano-poudre de TiO2)
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Thin Film Deposition
CVD chemistry 1
Critères de choix d’1 précurseur:- volatilité élevée- stabilité élevée- synthèse avec un haut degré de pureté connue- réaction chimique « propre »: pas de réaction parasite ou de contamination résultante indésirable- toxicité et pollution environmentale
Des précurseurs gazeux sont plus faciles à mettre en œuvre, mais on utilise aussi beaucoup de précurseurs liquides (voire solides).
Nouveaux précurseurs: MOCVD
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Thin Film Deposition
Reaction thermodynamics
Des calculs thermodynamiques donnent, si l’on suppose que la phase gazeuse est à l’équilibre, la faisabilité d’une réaction de dépôt et la quantité maximale de dépôt que l’on peut obtenir. Ils sont en général complexes et nécessitent de connaître les constantes thermodynamiques des composés mis en oeuvre.
Faisabilité d’une réaction: variation d’énergie libre de Gibbs ∆Gr < 0
Calcul de concentrations des espèces: minimisation du ∆G du système
Programmes informatiques
0 0 0
1 1
0
iof
( ) ( )
ln( )avec z = coefficient stoichiométrique de i∆G (i)=énergie libre de formation de i
n m
r i f i fi i
r r
G z G produits z G produits
G G RT K= =
∆ = ×∆ − ×∆
∆ = ∆ + ×
∑ ∑ [ ]
[ ]
[ ]
1
1
i
i
T
i =activité de i (=1 pour un solide, =x pour un gaz)x fraction molaire de l'espèce iP =pression totale
i
i
zn
izm
i
T
produitsK
réactifs
P
=
=
=
×
=
∏
∏
50
Thin Film Deposition
Thermal CVD
Gamme de température: 400-2000°CHot wall system: = four isotherme
En plus de la réaction hétérogène de surface, lesRéactions homogènes de phase vapeur sont favorisées.
Avantage: contrôle précis de la températureDésavantage: déposition partout (nettoyage du réacteur)
Cold wall system: = murs adiabatiques
La réaction hétérogènes de surface est favorisée par rapport aux réactions en phase gazeuse.
Avantage: dépôt sur le substrat
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Thin Film Deposition
Temperature influence on growth rate
Exemple typique: croissance de GaAsà partir de Ga(CH3)3 et AsH3
Graphe: Ln(vitesse de déposition) fonction de 1/T
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Thin Film Deposition
CVD Kinetics 1
Limitation = cinétique chimiqueUniformité -> minimiser lesinhomogénéités de température« Hot wall LPCVD »
Ea: énergie d’activation de type Arrhénius (J/mol)
R: constante des gaz parfaits= 8.314 J/mol/K
vitesse de dépôt exp ao
EvRT− = ×
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Thin Film Deposition
CVD Kinetics 2
Limitation = transport de matièreUniformité -> minimiser lesinhomogénéités de flux« Cold walls » reactorsvitesse de dépôt (flux de précurseur)f=
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Thin Film Deposition
CVD Kinetics 3
Diminution du taux de déposition à très haute température: -vitesse de désorption trop élevée-changement du chemin réactionnel
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Thin Film Deposition
Thermal CVD example 1
SiO2:A partir du silane:
A 420-450°C,pression athmosphérique:
2 réactions compétitives: SiH4+O2→ SiO2+2H2SiH4+2O2 → SiO2+2H2O
Dopants: B2H6, PH3
A partir du TEOS:
Si(O-C2H5)4 → SiO2+4 C2H6+2 H2O
Pression < 1 torr
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Thin Film Deposition
Thermal CVD example 2
Si3N4:Reaction 1: 3 SiCl4 + 4 NH3 → Si3N4 + 12 HCl P= 1 atm, T=850°
Réaction 2:3 SiH2Cl2+4 NH3 → Si3N4+ 6HCl+ 6H2P=1 atm, T=755-810°C
Réaction 3:3 SiH4 + 4 NH3 → Si3N4 + 12 H2P=1 atm, T=700-1150°C
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Thin Film Deposition
Thermal CVD example 3
Sia- Si
SiH4 → Si+H2T=560°C, 1 torr
Si polycrystallin
SiH4 → Si+H2T=610-630°C, 1 torr
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Thin Film Deposition
Atomic Layer Deposition ALD
• Need of precision, high quality deposition at atomic level
⇒ Atomic Layer Deposition ALD
• Typically two chemicals
• Alternate, saturated, chemical reaction on the surface
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Thin Film Deposition
ALD idealized
• Ideal ALD-process has temperature window where growth rate is independent of temperature
• Low temperature limit: condensation, thermal activation⇒ multilayer adsorption
• High temperature limit: desorption, decomposition
J. Sundqvist: Employing Metal Iodides and Oxygen in ALD and CVD of Functional Metal Oxides (2003)
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Thin Film Deposition
ALD simple model
• Surface chemistry model
S : Surface site available for adsorptionA : AdsorbantB : Reactant
• Adsorption reversible process
• Reaction irreversible process
→←→
S
S
A + S A
A + B S + gaseaous products
( )Aa t A d A r A
dS = k S - S [A] - k S - k S [ ]
dtB
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Thin Film Deposition
ALD applied in
• Many oxides and nitrides may be deposited:Al2O3, TiO2, ZrO2, TaO5, HfO2. ITO, AIO, etc.
• Pure metalsW, Cu
• Metal nitridesTiN, WN, TaN
• Fabrication of multilayers
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Thin Film Deposition
ALD example
• Deposition of Al2O3
Reaction:
→ +
→
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AlOH + Al(CH ) AlOAl(CH ) CH
AlCH + H O AlOH + CH
Deposition of Al2O3 and W as a function of time t. The steps are generated by altering deposition and reaction.
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Thin Film Deposition
ALD application example
• Application: Finetune of nanopores using ALD technique
Chen P, Mitsui T, Farmer DB, et al.NANO LETTERS 4 (7): 1333-1337 JUL 2004
DNA-Detector
Deposition of Al2O3 on prefabricated nanohole in insulating membrane
TEM - image
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Thin Film Deposition
Plasma definition
Plasma thermodynamique: Gaz totalement ionisédont est composé
99 % de la matière de l’univers. (4ème état de la matière?)
Exemple: étoilesT > 50 000 K
Plasma « froid » ou « hors équilibre »:Plasma utilisé pour etching et ablationGaz partiellement ionisé, globalement neutre, crée par l’énergie apportée par un champ électrique à un gaz à faible pression (0.1-10 mbar).
-> Des électrons sont arrachés aux atomes ou molécules de gaz: un système composés d’ions, d’électrons, d’espèce neutres et de photons (desexitation), est obtenu.
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Thin Film Deposition
Plasma characteristics 1
Longueur de Debye:
C’est la distance avec laquelle le potentiel d’écrantage du plasma s’atténue autour d’une charge-> dimensions >λD
2
9 10
23
(36 10 )
1.38 10 /température électronique
o B eD
e
B
e
k Tn e
k J KT
ελ
ε π −
−
× ×=
×
= × ×
= ×=
Taux d’ionisation :
Typiquement , α<10-4
densité électroniquedensité de neutres
e
e o
e
o
nn n
nn
α =+
==
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Thin Film Deposition
Plasma characteristics 2
Températures électroniques et ioniques:
e iT T>>>>
P(torr)
T(K)105
102
10-9 103
Ti
Te
Tg
Energies associées: 32 BE k T=
Exemple: plasma RF 8 12 3
15 3
10 10
10100.04
e i
n
e
i
n n cm
n cmkT eVkT eV
−
−
= = −
===
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Thin Film Deposition
Plasma frequecies
f1(0.5-1 MHZ) f2(0.5-1 MHZ)
Basse fréquence:50, 100 ou 400 kHzLes ions et les électrons suivent instantanément les variations du champ électrique.
Radio fréquence:13.56 MHzLes ions sont immobiles. Seuls les électrons suivent les variations du champ alternatif.
Micro-ondes:2.45 GHzLes ions et les électrons sont immobiles par rapport au champ électrique.
Hz
Si f augmente: - la densité electronique ne augmente- la pulsation du mouvement sinusoidal des espèces avec le
champ électrique augmente jusqu’à les geler: 2 2
et e ee i
o e o i
n e n em m
ω ωε ε
× ×= =
× ×
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Thin Film Deposition
Les réactions chimiques se produisant dans un plasma sont excessivement nombreuses et complexes.
Plasma reactions
Réactions homogènes (collisions en phase vapeur)
-réaction d’impact des électrons(excitation, dissociation, ionisation)
-collisions inélastiques entre particules (lourdes)
Réactions hétérogènes(réactions en surface)
-intéaction ion-surface(neutralisation, émission d’électrons secondaires, sputtering, réaction chimique)-intéraction électron-surface(émission d’électrons secondaires,réactions chimiques)-intéraction radical (ou atome)-surface(etching, déposition)
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Thin Film Deposition
Plasma applications
-gravure (etching)-déposition (PECVD)
70
Thin Film Deposition
Different plasma geometries and reactors
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Thin Film Deposition
Plasma CVD example 1
Si
a- Si
SiH4 → Si+H2RF plasma heliumContient 5 à 35% de H
Si polycrystallin
SiH2Cl2 → Si + 2 HClT>625°C,450 MHz, 0.2 torr
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Thin Film Deposition
Plasma CVD example 2
Si3N43 SiH4+ 4 NH3 → Si3N4 + 12 H2 T<400°CVrai précurseur: Si(NH2)3Contamination par H importante
3 SiH2Cl2+4 NH3 → Si3N4+ 6HCl+ 6H2
13.56 MHz, T=400-600°C
(300 ° de moins que par CVD thermique)
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Thin Film Deposition
Resumé – CVD
• Chemical Vapor Deposition
– Lowest gas phase prize deposition process
– Step coverage excellent (biggest advantage)
– Plasma CVD lowest damage of substrates (PET)
– Challenges in near future (ALD)