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W o µ o o P v o } s } ~^ µ © ] v P - IPN · 2018-10-12 · Created Date: 10/22/2014 10:00:25 AM

Date post: 09-Jul-2020
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Page 1: W o µ o o P v o } s } ~^ µ © ] v P - IPN · 2018-10-12 · Created Date: 10/22/2014 10:00:25 AM

Depósito de Películas Delgadas en Alto Vacío (Spuering)

- Obtención de películas delgadas de 10 hasta 1000 nm de materiales conductores como Bismuto (Bi), Constatan (Cu-Ni) para termopilas.- Depósito de películas delgadas de materiales dieléctricos como Óxido de Silicio (SiO2) y semiconductores como Óxido de Zinc (ZnO) para fabricación de transistores de película delgada. fabricación de transistores de película delgada.

- Depósitos de películas en modo DC (Corriente Directa) para metales y materiales conductores y en modo RF (Radiofrecuencia) para materiales semiconductores, aislantes y dieléctricos.- El equipo cuenta con 4 magnetrones.- Cuenta con dos fuentes DC (350 W máx.) y dos de RF (300 W máx) y pueden realizarse depósitos en RF y DC al mismo empo.- Se puede realizar Spuering reacvo.- Se puede realizar Spuering reacvo.- Se pueden hacer hasta 3 depósitos por día.- La velocidad del depósito depende del material a depositar.

El Spuering es una técnica versál para depositar películas delgadas (nanométricas) de cualquier po de material, ya sea conductor o no conductor. En este proceso, se pulverizan los átomos de un material sólido (blanco - cátodo) mediante el bombardeo de iones provenientes de un plasma creado a parr de Argón. Las parculas pulverizadas del blanco se depositan sobre un sustrato (ánodo), generalmente de silicio o vidrio.DE

SCRIPCIÓN

CARACTERÍSTICAS

APLICACIONES

Depósito de Cobre para fabricación

de MEMS

Spuering5

- Fabricación de celdas solares y disposivos electrónicos.- Microprocesadores.-Termopilas

RESULTADOS

Polisilicio (poly-Si)

Película dePolisilicio

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