(19) 민 특허청(KR)

(12) 등 특허공보(B1)

(45) 공고 2012 04월19

(11) 등 10-1136425(24) 등 2012 04월06

(51) 특허 (Int. Cl.)

G01J 3/00 (2006.01) G02B 6/00 (2006.01)

H01S 3/067 (2006.01)(21) 원 10-2010-0036453

(22) 원 2010 04월20

심사청 2010 04월20

(65) 공개 10-2011-0116820

(43) 공개 2011 10월26

(56) 술 사문헌

US0654223 B1

JP평 09210783 A

KR100358113 B1

JP06167421 A

(73) 특허

울시립 산 단

울특별시 동 문 울시립 163 ( 동,울시립 )

(72)

주

경 도 남시 당 미 63, 건 트 309동 201 ( 미동, 무지개마 )

신재

울특별시 강동 내3동 리 트 2차201동 301

(74) 리

특허 지

체 청 수 : 7 심사 : 찬

(54) 칭 에 븀 첨가 폭 에 신 ＥＳＡ 측 실 시키 그램 컴퓨 독 가능 매체

(57)

본 (a) 에 븀 첨가 폭 ASE(Amplified Spontaneous Emission) 스 트럼 측 값

는 단계 , (b) 신 ESA 단 값 사 여 ASE 스 트럼 연산값 는 단계 , (c) 상

ASE 스 트럼 측 값과 상 ASE 스 트럼 연산값 차 값과 미리 지 허 차 비 여

미리 지 건 만 지 상 단계 (b) 복 는 단계 , (d) 상 신 ESA 단 상 값

신 ESA 단 값 는 단계 포 , 상 신 ESA 단 값 값 0 고,

상 미리 지 건 상 차 값 곱 평균 상 허 차보다 것 에 븀 첨가 폭

에 신 ESA 측 에 것 다.

본 에 , 에 븀 첨가 폭 에 ASE 스 트럼 측 값과 ASE 스 트럼 연산값 비

여 신 ESA 측 수 다. 신 ESA 득 에 어 신 ESA

게 수 므 에 븀 첨가 폭 능 평가 게 수 수 다.

도 - 도2

등록특허 10-1136425

- 1 -

지원 가연 개 사업

과 고 2009-0064477

처 연 재단

연 사업 신진연 지원사업

연 과 비스무쓰 어븀첨가 역 폭 술 개 과 거리 역 가 망 에 연

주 울시립 산 단

연 간 2009 05월 01 ~ 2012 04월 30

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- 2 -

특허청

청 1

(a) 에 븀 첨가 폭 ASE(Amplified Spontaneous Emission) 스 트럼 측 값 는 단

계 ,

(b) 신 ESA 단 값 사 여 ASE 스 트럼 연산값 는 단계 ,

(c) 상 ASE 스 트럼 측 값과 상 ASE 스 트럼 연산값 차 값과 미리 지 허 차 비

여 미리 지 건 만 지 상 단계 (b) 복 는 단계 ,

(d) 상 신 ESA 단 상 값 신 ESA 단 값 는 단계

포 ,

상 신 ESA 단 값 값 0 고,

상 미리 지 건 상 차 값 곱 평균 상 허 차보다 것 에 븀 첨가 폭

에 신 ESA 측 .

청 2

삭

청 3

1 에 어 ,

상 단계 (b)는, 상 신 ESA 단 상 값 상 차 값만큼 가시키는 단계

포 는 것 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 .

청 4

1 에 어 ,

상 단계 (b)는, 다 수 식

여 , PASE는 ASE 워, PASE(v)는 상 ASE 워 주 수 v에 값, 첨 + -는 빔 달

, z는 상 에 븀 첨가 폭 치, 는 신 극 단 , 는 신

수 단 , 는 상 신 ESA 단 , N1 N2 는 4I15/2,

4I13/2 상태에 에 븀 개수, h 는

랑크 상수, v는 주 수, △v 는 단 주 수, αs αp는 각각 신 달 실(propagation loss)

나타냄

여 상 ASE 스 트럼 연산값 는 단계

포 는 것 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 .

청 5

4 에 어 ,

상 N1, N2는 각각 다 수 식

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- 3 -

,

여 , N1S

N2S 는 각각

4I15/2,

4I13/2

4I9/2 상태에 단 에 븀 (singled erbium ion) 개수,

, 는 , 상태에 에 븀 (paired erbium ion) 개수 나타냄

시 는 것 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 .

청 6

삭

청 7

1 에 어 ,

상 에 븀 첨가 폭 는 비스무스 (Bismuth-base) 에 븀 첨가 폭 것 에 븀 첨

가 폭 에 신 ESA 측 .

청 8

1 에 어 ,

상 에 븀 첨가 폭 는 룰라 트 (Tellurite-based) 에 븀 첨가 폭 것 에

븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 .

청 9

1 , 3 내지 5 , 7 , 8 어느 에 상 에 븀 첨가 폭 에 신

ESA 측 각 단계 실 시키 그램 컴퓨 독 가능 매체.

술

본 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA(signal Excited State Absorption) 측 [0001]

실 시키 그램 컴퓨 독 가능 매체에 것 , 욱 체 는 에 븀

첨가 폭 에 ASE 스 트럼 측 값과 ASE 스 트럼 연산값 비 여 신 ESA 측

는 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 실 시키 그램 컴퓨

독 가능 매체에 것 다.

본 연 재단 신진연 지원사업 수 연 도 것 다[과 리 : 2009-[0002]

0064477, 과 : 비스무쓰 어븀첨가 역 폭 술 개 과 거

리 역 가 망 에 연 ].

경 술

역 폭 는 다 (Wavelength Division Multiplexing, WDM) 술 [0003]

량 통신 시스 에 통신 트워크 사 다.

WDM 술 시스 , WDM시스 공 본 치 는 실리카 (Silica-[0004]

based) 에 븀 첨가 폭 (Erbium-Doped Fiber Amplifier, EDFA)가 다. 실리카 EDFA는 C 드

또는 L 드에 30nm 폭 역폭(amplification bandwidth)에 신 득(signal gai

n) 공 수 다.

래 실리카 EDFA는 재 치 WDM 시스 에 는 것 단 다. 그러나 [0005]

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- 4 -

트래 격 가에 라 량(data transmission capacity) 고 , 라

큰 득 역폭(gain bandwidth) 가지는 폭 가 는 실 다.

역 폭 (ultra-broadband optical amplifier) 브리드 폭 또는 새[0006]

운 스트 물질에 에 븀 첨가 (Erbium-doped Fiber, EDF) 사 여 여 다 연

가 진 었다.

보다 체 새 운 스트 물질에 EDF는 간단 폭 가진다는 에 다. 다[0007]

EDF 에 룰라 트 EDF(Tellurite-based EDF) 비스무스 (Bismuth-base) EDF(본 에 "비

스무스 산 물 EDF" 도 시 )는 동시에 C 드 L 드에 70nm 도 역폭에 신

득 공 수 문에 망 측 고 다.

또 룰라 트 EDF 비스무스 산 물 EDF는 에 븀 도 도(concentration)[0008]

공 므 , 스트 물질과 에 븀 고 (high solubility) 가능 게 다. 러 특징 특 짧

가지는 간단 폭 다.

그러나 술 다 에도 고 루라 트 EDF는 래 실리카 리(glasses) 룰라 트 [0009]

리 사 는 과 큰 차 문에 실리카 에 (splicing) 지 다는 단

가진다. 룰라 트 EDF 는 다 게, 비스무스 산 물 EDF는 0.5dB 실(splicing los

s) 가지도 래 퓨 (fusion splicer) 사 여 래 실리카 에 게 수

다. 라 비스무스 산 물 EDF는 룰라 트 EDF에 비 래 실리카 통신 시스

에 게 수 다.

고 능 비스무스 산 물 EDF 역 폭 고 사 나는, [0010]

에 븀 도 스트 물질 비 (nonlinear)에 는 다 비균질 (inhomogeneous)

비 상에 폭 능 (amplification performance limitation) 다.

러 상 는 컨 4 (four wave mixing), 업 상 변 (cooperative upconversion), 여[0011]

상태 수(pump exited state absorption, ESA) , 에 실험 연 가 계

수 고 다.

또 술 상들 에 연 어 또 다 비균질 과는 신 여 상태 수(signal[0012]

Excited State Absorption, 신 ESA) 다.

도 1 1480 nm 가 에 지 에 븀 천 (transition) 나타내는 도 다. 도 1 컨[0013]

비스무스 산 물 리 내에 1480 nm 가 에 지 에 븀 천 나타낸다. 또 도 1

컨 룰라 트 리 내에 1480 nm 가 에 지 에 븀 천 나타낼 수도 다.

도 1에 4I9/2,

4I11/2,

4I13/2

4I15/2는 에 븀 상태 나타내 , N1, N2 N3는 각각

4I15/2,

4I13/2 [0014]

4I9/2 상태에 에 븀 개수 나타내 , Cup 상 변 계수 나타내 , R12 R21 수

극 (pump absorption and stimulated emission rate) 나타내 , W12 W21 신 수 극

(signal absorption and stimulated emission rate) 나타내 , A21 (spontaneous emission

rate) 나타내 , WESA는 신 ESA 비 (signal ESA rate) 나타낸다.

도 1 참 , 신 ESA는 4I13/2 상태에

4I9/2 상태 에 븀 천 는 것 미 , 신 ESA는[0015]

특 1590 nm 상 득 역폭 는 경우 다.

실리카 EDFA에 어 신 ESA는 단지 L 드 폭 에 만 미 가지는 능 [0016]

(noise figure degradation factor) 간주 지만, 큰 미치지는 는다.

그러나, 룰라 트 EDFA 같 역 폭 에 는, 신 ESA 여 폭 역 감 (reduction[0017]

of amplification band)가 다. 룰라 트 EDFA에 신 ESA 득 역폭(output gain

bandwidth)에 에 연 었 , 폭 역 계(wavelength limit of amplification

band)는 1637nm 었다.

그러나 비스무스 산 물 EDFA는 룰라 트 EDFA에 비 만 폭 능 가짐에도 고, 비[0018]

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- 5 -

스무스 산 EDFA에 신 ESA 에 능 재 지 연 지 는 상태 다.

또 룰라 트 EDFA 또는 비스무스 산 물 EDFA에 신 ESA 측 고 측 는 것 폭[0019]

역 계 신 특 나, 재 지 신 ESA 게 측 고 측 는

식 개 지 다.

내

결 는 과

본 에 븀 첨가 폭 에 ASE 스 트럼 측 값과 ASE 스 트럼 연산값 비[0020]

여 신 ESA 측 는 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 공 는 다.

본 다 상 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 각 단계 실 시키 [0021]

그램 컴퓨 독 가능 매체 공 는 다.

과 결 수단

본 (a) 에 븀 첨가 폭 ASE(Amplified Spontaneous Emission) 스 트럼 측 값 [0022]

는 단계 , (b) 신 ESA 단 값 사 여 ASE 스 트럼 연산값 는 단계 , (c)

상 ASE 스 트럼 측 값과 상 ASE 스 트럼 연산값 차 값과 미리 지 허 차 비

여 미리 지 건 만 지 상 단계 (b) 복 는 단계 , (d) 상 신 ESA 단 상

값 신 ESA 단 값 는 단계 포 , 상 신 ESA 단 값 값 0

고, 상 미리 지 건 상 차 값 곱 평균 상 허 차보다 것 에 븀 첨가

폭 에 신 ESA 측 공 다.

삭[0023]

또 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 상 단계 (b)는, 상[0024]

신 ESA 단 상 값 상 차 값만큼 가시키는 단계 포 수 다.

또 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 상 단계 (b)는, 다[0025]

수 식

[0026]

여 , PASE는 ASE 워, PASE(v)는 상 ASE 워 주 수 v에 값, 첨 + -는 빔 달[0027]

, z는 상 에 븀 첨가 폭 치, 는 신 극 단 , 는 신

수 단 , 는 상 신 ESA 단 , N1 N2 는 4I15/2,

4I13/2 상태에 에 븀 개수, h 는

랑크 상수, v는 주 수, △v 는 단 주 수, αs αp는 각각 신 달 실(propagation loss)

나타냄

여 상 ASE 스 트럼 연산값 는 단계 포 수 다.

또 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 상 N1, N2는 각각 다[0028]

수 식

[0029]

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- 6 -

, [0030]

[0031]

여 , N1S

N2S 는 각각

4I15/2,

4I13/2

4I9/2 상태에 단 에 븀 (singled erbium ion) 개수,[0032]

, 는 , 상태에 에 븀 (paired erbium ion) 개수 나타냄

시 수 다.

삭[0033]

또 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 상 에 븀 첨가 [0034]

폭 는 비스무스 (Bismuth-base) 에 븀 첨가 폭 수 다.

또 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 상 에 븀 첨가 [0035]

폭 는 룰라 트 (Tellurite-based) 에 븀 첨가 폭 수 다.

또 본 상 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 각 단계 실 시키 [0036]

그램 컴퓨 독 가능 매체 공 다.

과

본 에 에 븀 첨가 폭 에 ASE 스 트럼 측 값과 ASE 스 트럼 연산값 비[0037]

여 신 ESA 측 수 다. 또 본 에 신 ESA 득 에 어

신 ESA 게 수 므 비스무스 에 븀 첨가 폭 또는 룰라 트

에 븀 첨가 폭 능 평가 게 수 수 다.

도 간단

도 1 1480 nm 가 에 지 에 븀 천 나타내는 도 .[0038]

도 2는 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 시 도.

도 3 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 극 단 과

수 단 나타내는 도 .

도 4는 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , ASE 스 트럼

측 나타내는 도 .

도 5는 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 수치 복 수

에 신 ESA 단 나타내는 도 .

도 6 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 에 븀 첨가

폭 에 3가지 경우에 스 트럼 나타내는 도 .

실시 체 내

, 본 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 실 시키 그램 [0039]

컴퓨 독 가능 매체 실시 첨 도 참 보다 체 다.

본 에 , 원 가지는 샘 EDF 사 여 값 도 수 는 측 식 개[0040]

다. 상 측 식 실험 득 는 ASE(Amplified Spontaneous Emission) 스 트럼과 수치

에 득 는 값 비 여 신 ESA 단 복 측 고 수 는 식 다. 상 측

식 특 샘 EDF 에 없다는 에 특징 다.

수치 시뮬 , 본 에 는 클러스 드 퀀칭(clustered ion quenching), 균질 업[0041]

상 변 (homogeneous cooperative upconversion) 신 ESA에 포 는 EDFA 사 다.

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- 7 -

1480nm에 는 폭 가 , 에 (Pp), 신 에 (Ps) ASE 워(PASE)는 도 1[0042]

에 도시 에 지 시스 참 여 다 과 같 단 비 수식 비 수식에

시 수 다. 클러스 드 재 다고 가 다. 1480 nm ASE가 무시 는 것 가

다.

단 비 수식(singled ion rate equation)[0043]

단 비 수식 다 수 식 수 다.[0044]

수 식 1

[0045]

수 식 2

[0046]

수 식 3

[0047]

수 식 4

[0048]

수 식 1 내지 수 식 4에 , N1S

, N2S N3

S는 각각

4I15/2,

4I13/2

4I9/2 상태에 단 에 븀 [0049]

(singled erbium ion) 개수 미 다. 또 m 클러스 내 수( 경우 2) 미

, k는 클러스 비 수(relative number) 미 다.

A21 미 , Cup 상 변 계수 미 다. R12 R21 수 극 미[0050]

다.

W12 W21 신 수 극 미 다. W23ESA는 신 ESA 비 미 다. 러 비 다 수[0051]

식 5 내지 수 식 9 각각 시 수 다.

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- 8 -

수 식 5

[0052]

수 식 6

[0053]

수 식 7

[0054]

수 식 8

[0055]

수 식 9

[0056]

수 식 5 내지 수 식 9에 첨 + -는 각각 빔 달 (propagation direction) 미 다. ,[0057]

, 과 는 단 , 래첨 p는 , s는 신 , a는 수 단 , e는 극 단

미 다. 컨 는 수 단 나타내 , 는 신 극 단 미 다.

[0058]

는 신 ESA 단 미 다. 각각 신 - - 어 첩 (signal-to-core overlap factor)[0059]

- - 어 첩 (pump-to-core overlap factor) 미 , EDF 드 드 지 (mode

field radius) 미 다.

비 수식(paired ion rate equation)[0060]

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- 9 -

비 수식 다 수 식 수 다.[0061]

수 식 10

[0062]

수 식 11

[0063]

수 식 12

[0064]

수 식 13

[0065]

수 식 10 내지 수 식 13에 , , 각각 , 상태에 에 븀 [0066]

(paired erbium ion) 개수 미 다.

A21, R12, R21, W12, W21 W23ESA는 단 과 경우 동 다고 가 다. [0067]

단 개수 개수 고 , 4I15/2,

4I13/2

4I9/2 상태에 에 븀 개수[0068]

N1, N2 N3는 다 수 식 14 내지 수 식 16과 같 시 수 다.

수 식 14

[0069]

수 식 15

[0070]

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- 10 -

수 식 16

[0071]

4I15/2,

4I13/2

4I9/2 상태에 에 븀 개수 Nt는 다 수 식 17 시 수 다.[0072]

수 식 17

[0073]

EDF 치(z)에 에 (Pp), 신 에 (Ps) ASE 워(PASE)는 다 수[0074]

식 18 내지 수 식 20 시 수 다.

수 식 18

[0075]

수 식 19

[0076]

수 식 20

[0077]

수 식 18 내지 수 식 20에 첨 + -는 각각 빔 달 미 다. 또 z는 EDF [0078]

치, h 는 랑크 상수, v는 주 수, △v 는 단 주 수, αs αp는 각각 신 달 실

(propagation loss) 미 다.

상 상태(steady state) 경에 득 는 각각 에 지 에 포 보 여 달 수식[0079]

(propagation equation) 수치 수 다.

신 ESA 측 수치 다 과 같 태 수 다.[0080]

도 2는 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 시 도 다.[0081]

우 EDF 는 ASE 스 트럼 실험 측 값, ASE스 트럼 측 값(SEXP)[0082]

는다(S100).

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- 11 -

ASE스 트럼 측 값(SEXP) 컨 도 3 참 후술 는 통 여 측 어 수 다.[0083]

단계 S110 다 또는 단계 S110과 병 , 신 ESA가 재 지 는 상태, 신 ESA 단 (ESA)[0084]

값(ESA_0) 0 경우 가 고 는 ASE 스 트럼 연산값(SCAL_0) 다(S110).

ASE 스 트럼 연산값(SCAL_0) 술 수 식 20 여 수치 식 사 여 수 다.[0085]

다 , ASE 스 트럼 연산값(SCAL_0)에 ASE스 트럼 측 값(SEXP) 감산 여 차 값(ERR0) [0086]

다(S120).

다 , 차 값(ERR0) 곱 평균(root-mean-square) 미리 지 허 차(error tolerance, ERR_TOL)보[0087]

다 크 , 신 ESA 단 (ESA_1) ESA_0 + ERR0 수 다(S130). 신 ESA 단 (ESA_i)에 i는 복 수

나타내 1 상 연수 다. 신 ESA 단 (ESA_1) 첫 째 수 신 ESA 단 나타낸다.

편 단계 S100에 는 신 ESA가 재 지 는 상태, 신 ESA 단 (ESA) 값(ESA_0) 0

가 나, 단계 S130에 신 ESA 단 수 는 것에 여, 신 ESA는 ASE 스 트

럼 연산값(SCAL_0)에 ASE스 트럼 측 값(SEXP) 감산 값 수 다.

다 단계 S130에 수 신 ESA 단 (ESA_i) 여 ASE 스 트럼 연산값(SCAL_i) [0088]

다(S140). 술 듯 첨 i는 복 수 나타내 , 1 상 연수 다. ASE 스 트럼 연산값(SCAL_i)

술 수 식 20 여 수치 식 사 여 수 다.

다 , ASE 스 트럼 연산값(SCAL_i)에 ASE스 트럼 측 값(SEXP) 감산 여 차 값(ERRi) [0089]

다(S150).

다 , 차 값(ERRi) 곱 평균 허 차(error tolerance, ERR_TOL)보다 크 신 ESA 단[0090]

(ESA_i+1) ESA_i + ERRi 수 고 단계 S140 여 단계 S140 다시 진 , 차 값(ERRi)

곱 평균 허 차(error tolerance, ERR_TOL)보다 , 당 상태에 신 ESA 단 (ESA_i) 신

ESA 단 값 다(S160).

본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 신 ESA 단 (ESA_i+1)[0091]

신 ESA 단 (ESA_i) 과 에러(ERRi) 미 다.

본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 검 다 과 같 태[0092]

실험 수 다.

실험 2m 비스무스 산 물 EDF 사 여 수 , EDF 에 븀 도 도(erbium doping[0093]

concentration)는 7.9x1025 m

-3 고, 클러스 비 수(relative number, k)는 7.3 % 도 다. 그러나 컨

다 가지는 비스무스 산 물 EDF 사 여 수 수 도 , 비스무스 산 물 EDF가

닌 룰라 트 EDF 등 다 에 븀 첨가 폭 에 도 실험 통 비 가 가능 다.

도 3 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 극 단 (도 3[0094]

에 Emission Cross Section 시 )과 수 단 (도 3에 Absorption Cross Section 시 )

나타내는 도 다.

도 3 극 단 과 수 단 비스무스 산 물 EDF에 사 리 사 료(Asahi[0095]

Glass company technical bulletin, http://www.agc.co.jp/english/biedf/bi5web.pdf 참 ) 타나 등

문(S. Tanabe, N. Sugimoto, S. Ito, and T. Hanada, "Broad-band 1.5 m emission of Er3+ ions in

bismuth-based oxide glasses for potential WDM amplifier" J. Lumin.,vol.87-89, pp.670-672, 2000.) 참

다.

도 3 참 , 극 단 과 수 단 크값 각각 1532 nm에 8.684 x 10-25 m 고 1530 nm에[0096]

6.926 x 10-25m2

다.

등록특허 10-1136425

- 12 -

도 3과 비스무스 산 물 EDF에 라미 상 게 시 다 1과 같다.[0097]

1

라미[0098] 단 값

A21 1/s 300

상 변 계수 Cup m3/s 2.2x10

-24

크 단 m

2 8.684 x 10

-25

크 수 단 m

2 6.926 x 10

-25

달 실 α dB/m 0.7

에 븀 도 Nt m-3

7.9 x 1025

드 드 지 r μm 6.2

클러스 비 수 k % 7.3

m 2

도 4는 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , ASE 스 트럼[0099]

(SEXP) 측 나타내는 도 다.

도 4 참 , 측 닝 가능(tunable) (110) , 격리 (isolator, 120, 160), WDM(130), 다[0100]

드(140), EDF(150) 스 트럼 (170) 포 도 다.

EDF(150)는 1480nm에 160mw 다 드 사 여 고, 스 트럼 (170)에 [0101]

ASE 스 트럼(SEXP) 측 다.

도 5는 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 비스무스 에 븀[0102]

첨가 폭 상 수치 복 수에 신 ESA 단 나타내는 도 다. 또 비

도 5에 는 극 단 도 도시 다.

도 5 참 200 상 복 는 경우 신 ESA 단 값 수 는 것 수 다. 본[0103]

실험에 는 232 복 여 값 도 다.

신 ESA 단 과 극 단 비 , 비스무스 에 븀 첨가 폭 신 폭 [0104]

계가 략 1632nm 것 수 다.

또 신 ESA 단 검 여 1560 nm에 0 dBm 신 비 수 다.[0105]

도 6 본 에 에 븀 첨가 폭 에 신 ESA 측 에 어 , 비스무스 에 븀[0106]

첨가 폭 에 3가지 경우에 스 트럼 나타내는 도 다.

도 6 참 , 실험값(Experiment)과, 신 ESA 고 여 계산 워(Simulation with ESA) , 신[0107]

ESA 고 지 고 계산 워(Simulation without ESA)가 도시 다. 도 6에 는 1620nm 내지

1650nm에 우측 상단에 보다 여 워가 도시 다.

도 6 참 , 신 ESA 단 고 여 수치 계산 스 트럼 값 실험 계산 것[0108]

과 사 것 수 , 특 1620nm 상 경우 신 ESA 단 고 여 수치 계산

스 트럼 값 신 ESA 단 고 지 고 수치 계산 스 트럼 값에 비 보다 실

험값과 사 것 수 다.

비 본 체 었지만 는 단지 본 시 것에 과 것 ,[0109]

본 는 술 에 통상 지식 가지는 라 본 본질 특 에 어나지 는

내에 다 변 가능 것 다.

라 본 에 개시 실시 들 본 것 니라 것 고, 러 실[0110]

시 에 여 본 사상과 가 는 것 니다. 본 는 래 청 에

어 , 그 동등 내에 는 든 술 본 리 에 포 는 것 어

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것 다.

산업상 가능

상 같 , 본 에 에 븀 첨가 폭 에 ASE 스 트럼 측 값과 [0111]

ASE 스 트럼 연산값 비 여 신 ESA 측 수 다. 신 ESA 득 에 어

신 ESA 게 수 므 에 븀 첨가 폭 능 평가 게 수 수

다.

110: 닝 가능 120: 격리[0112]

130: WDM 140: 다 드

150: EDF 160: 격리

170: 스 트럼

도

도 1

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도 2

도 3

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도 4

도 5

도 6

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