(19) 한민 특허청(KR)

(12) 등 특허공보(B1)

(45) 공고 2017 04월13

(11) 등 10-1726609

(24) 등 2017 04월07

(51) 특허 (Int. Cl.)

H01S 3/11 (2006.01)

(52) CPC특허

H01S 3/1118 (2013.01)(21) 원 10-2015-0159612

(22) 원 2015 11월13

심사청 2015 11월13

(56) 행 사문헌

US05991315 A*

Y. -H. Lin and G. -R. Lin, Laser Phys. Lett.,No. 5, 25 March 2012, pages 398-404.*

US20120039344 A1

US20140270661 A1

*는 심사 에 하여 문헌

(73) 특허

울시립 학 산학 단

울특별시 동 문 울시립 163 ( 동,울시립 학 내)

(72)

주한

울특별시 2 24-6, 11동 707( 동, 아 트)

울특별시 동 문 16 51, 105동 502( 동, 래미안아 아 트)

(뒷 에 계 )

(74) 리

창 ,

체 청 항 : 22 항 심사 : 찬

(54) 칭 한 포 체

(57) 약

본 에 칭 식 연 도포하고 매칭 물질 하여 결합하는 것

에 해 간단하고 비 포 체 할 는 한 포 체

생 치에 한 것 다.

본 에 (a) 1 단 에 연 어리 연마하여 상 1 상 단 에 연

도포하는 단계; (b) 2 단 에 매칭 물질 도포하는 단계; (c) 상 1 상 단

상 2 상 단 하는 단계 포함하고, 상 연 어리는 연필 심 고, 상 단계

(a)는 상 1 상 단 에 상 연필 심 칭하는 것에 해 행 는 것

한 포 체 공 다.

도 - 도1

등록특허 10-1726609

- 1 -

(72)

울특별시 보 문 24 13 ( 동)

진

울특별시 동 문 망우 18 16-4 ( 경동)

지원한 가연 개 사업

과 고 1711024784

처 미래창 과학

연 리 문 한 연 재단

연 사업 견연 지원

연 과 Thulium 첨가 2 μm 역 개

여 1/2

주 울시립 학

연 간 2015.05.01 ~ 2016.04.30

지원한 가연 개 사업

과 고 1711026432

처 미래창 과학

연 리 문 보통신 진

연 사업 보통신 양

연 과 무결 보안 한 지상/ 양 통신 개

여 1/2

주 고 학 산학 단

연 간 2015.06.01 ~ 2018.12.31

등록특허 10-1726609

- 2 -

청

청 항 1

(a) 1 단 (端部)에 연 어리 연마하여 상 1 상 단 에 연 도포하는

단계;

(b) 2 단 에 매칭 물질 도포하는 단계;

(c) 상 1 상 단 상 2 상 단 하는 단계

포함하고,

상 연 어리는 연필 심 고,

상 단계 (a)는 상 1 상 단 에 상 연필 심 칭하는 것에 해 행 는 것

한 포 체 .

청 항 2

1항에 어 ,

상 단계 (a) 에, (d) 상 1 상 단 클리닝하는 단계

포함하는 한 포 체 .

청 항 3

2항에 어 ,

상 단계 (d)는, 알 하여 상 1 상 단 클리닝하는 단계 포함하는 것

한 포 체 .

청 항 4

1항에 어 ,

상 단계 (b) 에, (e) 상 2 상 단 클리닝하는 단계

포함하는 한 포 체 .

청 항 5

4항에 어 ,

상 단계 (e)는, 알 하여 상 2 상 단 클리닝하는 단계 포함하는 것

한 포 체 .

청 항 6

1항에 어 ,

상 1 상 단 는 1 커 에 는 것 고,

상 단계 (a)는 상 1 커 에 상 1 상 단 가 상태에 행 는 것

한 포 체 .

청 항 7

1항에 어 ,

등록특허 10-1726609

- 3 -

상 2 상 단 는 2 커 에 는 것 고,

상 단계 (b)는 상 2 커 에 상 2 상 단 가 상태에 행 는 것

한 포 체 .

청 항 8

1항에 어 ,

상 1 상 단 는 1 커 에 는 것 고,

상 2 상 단 는 2 커 에 는 것 고,

상 단계 (c)는 상 1 커 상 2 커 하는 단계 포함하는 것 한 포

체 .

청 항 9

8항에 어 ,

상 1 커 상 2 커 각각 FC/PC 룰, FC/APC 룰, SC/PC 룰 SC/APC 룰 어느 하

나 포함하는 것 하는 것 한 포 체 .

청 항 10

1항에 어 ,

1 상 2 는 실리카 , 어븀 첨가 , 븀 첨가 - 첨가

어도 하나 포함하는 것 한 포 체 .

청 항 11

삭

청 항 12

1항에 어 ,

상 매칭 물질 (gel) 또는 (oil) 태 것 한 포 체 .

청 항 13

(a) 1 단 에 연 어리 연마하여 상 1 상 단 에 연 도포하는 단계;

(b) 상 연 가 도포 상 1 상 단 에 매칭 물질 도포하는 단계;

(c) 상 1 상 단 2 단 하는 단계

포함하고,

상 연 어리는 연필 심 고,

상 단계 (a)는 상 1 상 단 에 상 연필 심 칭하는 것에 해 행 는 것

한 포 체 .

청 항 14

13항에 어 ,

상 단계 (a) 에, (d) 상 1 상 단 클리닝하는 단계

포함하는 한 포 체 .

청 항 15

등록특허 10-1726609

- 4 -

14항에 어 ,

상 단계 (d)는, 알 하여 상 1 상 단 클리닝하는 단계 포함하는 것

한 포 체 .

청 항 16

13항에 어 ,

상 단계 (c) 에, (e) 상 2 상 단 클리닝하는 단계

포함하는 한 포 체 .

청 항 17

16항에 어 ,

상 단계 (e)는, 알 하여 상 2 상 단 클리닝하는 단계 포함하는 것

한 포 체 .

청 항 18

13항에 어 ,

상 1 상 단 는 1 커 에 는 것 고,

상 단계 (a) 상 단계 (b)는 상 1 커 에 상 1 상 단 가 상태에 행

는 것 한 포 체 .

청 항 19

16항에 어 ,

상 2 상 단 는 2 커 에 는 것 고,

상 단계 (e)는 상 2 커 에 상 2 상 단 가 상태에 행 는 것

한 포 체 .

청 항 20

13항에 어 ,

상 1 상 단 는 1 커 에 는 것 고,

상 2 상 단 는 2 커 에 는 것 고,

상 단계 (c)는 상 1 커 상 2 커 하는 단계 포함하는 것 한 포

체 .

청 항 21

20항에 어 ,

상 1 커 상 2 커 각각 FC/PC 룰, FC/APC 룰, SC/PC 룰 SC/APC 룰 어느 하

나 포함하는 것 한 포 체 .

청 항 22

13항에 어 ,

1 상 2 는 실리카 , 어븀 첨가 , 븀 첨가 - 첨가

어도 하나 포함하는 것 한 포 체 ..

청 항 23

등록특허 10-1726609

- 5 -

삭

청 항 24

13항에 어 ,

상 매칭 물질 또는 태 것 한 포 체 .

청 항 25

삭

야

본 한 포 체 에 한 것 , 욱 체 는 에 칭 [0001]

식 연 도포하고 매칭 물질 하여 결합하는 것에 해 간단하고 비

포 체 할 는 한 포 체 에 한 것 다.

경

Q- 칭 는 물질 가공, LIDAR(Light Detection And Ranging), 역 원, [0002]

등 다양한 도 다양한 야에 는 원 다. 특 Q- 칭 는 고

체 비 하여 빔 편리하고, 가 하고, 열 능 우 하고, 질 빔

능 가지는 등 가진다.

는 능동 Q- 칭 식과 동 Q- 칭 식 하여 다.[0003]

능동 Q- 칭 식 변 RF 신 하는 식 복 폭 등 특[0004]

게 할 는 다. 라 상업 도 는 주 능동 Q- 칭 식 다. 하

지만 능동 Q- 칭 식 고가 변 RF 신 필 하 문에 피가 커지고

가격 비싼 단 가진다.

라 근 변 가 필 하지 않 동 Q- 칭 식도 사 고 다. 동 Q- 칭 식 포[0005]

체 하여 Q- 칭 한다. 포 체는 빛 에 비 해 실 감 하는 비

물질 다. 동 Q- 칭 식에 해 Q- 칭 는 매우 게 할 능동 Q-

칭 식에 비해 매우 비 할 다는 가진다.

포 체 재료 는 래 도체 물질 포 체가 었었다. 하지만 도체 [0006]

포 체 하 해 는 고비 도체 공 비가 필 하다. 또한 포 체 동

십nm 지 한 다는 단 가지고 다.

개 하 해 탄 나 브 그래핀 등 물질 포 체 하는 식 안 었고 또한[0007]

탄 나 브 그래핀 등 물질 하여 하는 것 실험 었다. 컨

아주 학 산학 단에 해 2010 07월09 원 고 2011 12월15 등 "단층그래핀 포함

하는 포 체 그 " 라는 칭 한 등 특허 10-1097175 는 포 체, 특 그래핀

포함하는 포 체 개시하고 다.

그러나 한 등 특허 10-1097175 등에 개시 래 식 다 과 같 문 다.[0008]

우 포 체 사 해 는 고결 그래핀 아니라 층 그래핀 필 하다. 층[0009]

그래핀 하 해 는 학 상 착 (CVD), 착 , 학 합 , 물리 리

등 공 가 필 하 해당 공 해 는 고가 비가 필 하게 므 비 아

진다는 단 다.

또한 탄 나 물질 그래핀 사 하 문에 탄 포함하는 물질 쇄 또는 학 치[0010]

하여 나 태 그래핀 만드는 과 도 필 다.

등록특허 10-1726609

- 6 -

행 문헌

특허문헌

(특허문헌 0001) 1. 한 등 특허 10-1097175 . [0011]

내

해결하 는 과

본 에 칭 식 연 도포하고 매칭 물질 하여 결합[0012]

하는 것에 해 간단하고 비 포 체 할 는 한 포 체

공하는 다.

삭[0013]

과 해결 단

상 과 달 하 하여, 본 (a) 1 단 에 연 어리 연마하여 상 1 [0014]

상 단 에 연 도포하는 단계; (b) 2 단 에 매칭 물질 도포하는 단계;

(c) 상 1 상 단 상 2 상 단 하는 단계 포함하고, 상 연

어리는 연필 심 고, 상 단계 (a)는 상 1 상 단 에 상 연필 심 칭하는 것에

해 행 는 것 한 포 체 공한다.

본 에 한 포 체 에 어 , 상 단계 (a) 에, (d) 상 1[0015]

상 단 클리닝하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 단계 (d)는, 알 [0016]

하여 상 1 상 단 클리닝하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 단계 (b) 에, (e) 상[0017]

2 상 단 클리닝하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 단계 (e)는, 알 [0018]

하여 상 2 상 단 클리닝하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 1 상 단 는[0019]

1 커 에 는 것 고, 상 단계 (a)는 상 1 커 에 상 1 상 단 가 상

태에 행 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 2 상 단 는[0020]

2 커 에 는 것 고, 상 단계 (b)는 상 2 커 에 상 2 상 단 가 상

태에 행 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 1 상 단 는[0021]

1 커 에 는 것 고, 상 2 상 단 는 2 커 에 는 것 고, 상 단계 (c)

는 상 1 커 상 2 커 하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 1 커 상 2 커[0022]

각각 FC/PC 룰, FC/APC 룰, SC/PC 룰 SC/APC 룰 어느 하나 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 1 상 2 는[0023]

실리카 , 어븀 첨가 , 븀 첨가 - 첨가 어도 하나 포함할

다.

등록특허 10-1726609

- 7 -

삭[0024]

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 매칭 물질 (gel)[0025]

또는 (oil) 태 다.

또한 본 (a) 1 단 에 연 어리 연마하여 상 1 상 단 에 연 [0026]

도포하는 단계; (b) 상 연 가 도포 상 1 상 단 에 매칭 물질 도포하는 단

계; (c) 상 1 상 단 2 단 하는 단계 포함하고, 상 연 어리

는 연필 심 고, 상 단계 (a)는 상 1 상 단 에 상 연필 심 칭하는 것에 해

행 는 것 한 포 체 공한다.

본 에 한 포 체 에 어 , 상 단계 (a) 에, (d) 상 1[0027]

상 단 클리닝하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 단계 (d)는, 알 [0028]

하여 상 1 상 단 클리닝하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 단계 (c) 에, (e) 상[0029]

2 상 단 클리닝하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 단계 (e)는, 알 [0030]

하여 상 2 상 단 클리닝하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 1 상 단 는[0031]

1 커 에 는 것 고, 상 단계 (a) 상 단계 (b)는 상 1 커 에 상 1 상

단 가 상태에 행 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 2 상 단 는[0032]

2 커 에 는 것 고, 상 단계 (e)는 상 2 커 에 상 2 상 단 가 상

태에 행 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 1 상 단 는[0033]

1 커 에 는 것 고, 상 2 상 단 는 2 커 에 는 것 고, 상 단계 (c)

는 상 1 커 상 2 커 하는 단계 포함할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 1 커 상 2 커[0034]

각각 FC/PC 룰, FC/APC 룰, SC/PC 룰 SC/APC 룰 어느 하나 포함하는 것 할 다.

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 1 상 2 는[0035]

실리카 , 어븀 첨가 , 븀 첨가 - 첨가 어도 하나 포함할

다.

삭[0036]

또한 본 에 한 포 체 에 어 , 상 매칭 물질 또는[0037]

태 다.

삭[0038]

과

본 에 에 칭 식 연 도포하고 매칭 물질 하여 결합[0039]

하는 것에 해 간단하고 비 포 체 할 다.

본 특 동 Q- 칭 식 하는 것에 어 , 가공,[0040]

LIDAR, 역 원, , 비 학, 등 다양한 도 다.

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- 8 -

도 간단한

도 1 본 에 한 포 체 시 도.[0041]

도 2 내지 도 4는 본 에 한 포 체 각 단계 식 도시하

는 도 .

도 5는 본 에 한 포 체 에 라 포 체 식

도시하는 도 .

도 6 본 에 한 포 체 에 어 , 1 단 에 연

가 도포 상태 나타내는 SEM 사진.

도 7 본 에 한 포 체 에 어 , 1 단 에 연

가 도포 상태에 EDS 나타내는 도

도 8 본 에 한 포 체 에 어 , 연 라만 트럼

나타내는 도 다.

도 9는 본 에 한 포 체 다 시 도.

도 10 본 에 한 포 체 하여 포 체 하

여 한 생 치 시 나타내는 도 .

도 11 도 10 통하여 측 트럼 나타내는 도 .

실시하 한 체 내

하, 본 한 포 체 실시 첨 한 도 참 보다 체[0042]

한다.

도 1 본 에 한 포 체 시 도 고, 도 2는 본 에[0043]

한 포 체 각 단계 식 도시하는 도 다.

도 1 참 하 , 우 1 (110) 단 (端部)에 연 어리 연마하여 1 (110) 단 에 [0044]

연 도포한다(S100).

1 (110)는 에 통신 등 해 사 는 다. 보다 체 1 (110)[0045]

는 컨 실리카 다. 또한 1 (110)는 실리카 에 어븀 첨가한 어븀 첨가

, 실리카 에 - 첨가한 - 첨가 도 다. 또는 실리카 에

븀 첨가한 븀 첨가 도 다. 또는 그 에 통신 등 해 사 는

도 다.

도 2는 본 에 한 포 체 단계 S100 식 도시하는 도[0046]

다.

도 2 참 하 , 1 (110) 단 는 1 커 (130)에 다. 1 커 (130)는 컨 FC/APC [0047]

룰 다. 또는 1 커 (130)는 FC/PC 룰, SC/PC 룰 SC/APC 룰 어느 하나 다. 1 커

(130)에 1 (110) 단 가 상태에 , 컨 연필(210) 하여 1 (110) 단 에

연 도포한다. 컨 연필(210) 심 연 1 (110) 단 에 칭하는 식

1 (110) 단 에 연 도포한다. 연 어리, 연필(210) 심 연 1

(110) 단 마찰 통하여 연마 고 라 1 (110) 단 에 연 가 도포 다.

한편 도 1 참 하 , 단계 S100 행하 에 1 (110) 단 클리닝하는 단계(S400) 포함[0048]

할 다.

컨 프 필알 등 알 하여 1 (110) 단 클리닝한다. 단계 S400 통한 클[0049]

리닝 통하여 1 (110) 단 에 착 물질 거할 다.

다 , 2 (150) 단 에 매칭 물질 도포한다(S200).[0050]

등록특허 10-1726609

- 9 -

2 (150)는 에 통신 등 해 사 는 다. 보다 체 2 (150)[0051]

는 컨 실리카 다. 또한 2 (150)는 실리카 에 어븀 첨가한 어븀 첨가

, 실리카 에 - 첨가한 - 첨가 도 다. 또는 실리카 에

븀 첨가한 븀 첨가 도 다. 또는 그 에 통신 등 해 사 는

도 다. 람직하게는, 2 (150)는 1 (110) 동 한 다.

매칭 물질 (gel) 또는 (oil) 태 물질 , 어, 1 (110) 2 [0052]

(150) 어 과 동 또는 사한 가진다.

매칭 물질 특 단계 S100 통하여 1 (110) 단 에 도포 연 고 하는 역할[0053]

행할 다.

매칭 물질 컨 Thorlabs 사 G608N 등 매칭 사 할 다.[0054]

도 3 본 에 한 포 체 단계 S200 식 도시하는 도[0055]

다.

도 3 참 하 , 2 (150) 단 는 2 커 (170)에 다. 2 커 (170)는 컨 FC/APC [0056]

룰 다. 또는 2 커 (170)는 FC/PC 룰, SC/PC 룰 SC/APC 룰 어느 하나 다. 2 커

(170)에 2 (150) 단 가 상태에 , 컨 매칭 물질 도포 (230) 하여 2

(150) 단 에 매칭 물질 도포한다. 매칭 물질 도포 (230)는 컨 태 가질

, 매칭 물질 도포 (230) 하여 매칭 물질 2 (150) 단 에 도포한다. 한

편 매칭 물질 태 경우 피펫(pipette) 하여 2 (150) 단 에 매칭 물

질 도포할 도 다.

한편 도 1 참 하 , 단계 S200 행하 에 2 (150) 단 클리닝하는 단계(S500) 포함[0057]

할 다.

컨 프 필알 등 알 하여 2 (150) 단 클리닝한다. 단계 S500 통한 클[0058]

리닝 통하여 2 (150) 단 에 착 물질 거할 다.

다 , 단계 S100 통하여 연 가 도포 1 (110) 단 단계 S200 통하여 매칭[0059]

물질 도포 2 (150) 단 한다(S300).

도 4는 본 에 한 포 체 단계 S300 식 도시하는 도[0060]

다.

도 4 참 하 , 1 (110) 단 는 1 커 (130)에 고, 2 (150) 단 는 2 커[0061]

(170)에 다. 또한 1 (110) 단 에는 연 가 도포 고 2 (150) 단 에는

매칭 물질 도포 상태 다.

상태에 1 커 (130) 2 커 (170) 하는 것에 해 1 (110) 단 2 [0062]

(150) 단 가 다.

도 5는 본 에 한 포 체 에 라 포 체 식[0063]

도시하는 도 다.

도 5에 는 해 포 체가 식 도시 각 척 나 양 실 척 나[0064]

양과는 다 다는 것 주 하여야 한다.

도 5 참 하 , 1 (110) 2 (150) 사 에는 연층(140)과 매칭 층(180) 비[0065]

다. 연층(140)과 매칭 층(180) 통하여 도 5에 도시 포 체 동 할 다.

도 6 본 에 한 포 체 에 어 , 1 (110) 단 에 연[0066]

가 도포 상태 나타내는 SEM 사진 다.

도 6에 1 (110) 단 는 1 커 (130)에 다. 1 커 (130)는 컨 FC/APC 룰 다.[0067]

도 6 참 하 1 (110) 단 , 1 (110) 단 어 에 연 가 도포 상태[0068]

할 다.

등록특허 10-1726609

- 10 -

도 7 본 에 한 포 체 에 어 , 1 (110) 단 에 연[0069]

가 도포 상태에 EDS(energy dispersive spectroscopy) 나타내는 도 다. EDS 참 하 , 탄

에 해당 는 피크가 다 원 피크들에 비해 것 할 다.

도 8 본 에 한 포 체 에 어 , 연 라만(Raman) [0070]

트럼 나타내는 도 다.

도 8에 도시 라만 트럼 실험 편 해 에 연필 칭한 상태에 측 하 다.[0071]

도 8 참 하 , 3개 라만 피크, D 피크, G 피크 2D 피크가 측 다. 특 연 경우 그래핀[0072]

여러 층 겹친 므 결함에 해 1340 cm-1 근처에 D 피크가 견 , 도 8에 도 D 피크가 찰

었다. 또한 1580 cm-1 근처에 G 피크 2700 cm

-1 근처에 2D 피크도 찰 었다.

또한 FC/APC 룰 사 에 도포 연 에 한 실 약 2.4 dB 측 었고, 포 체 편 [0073]

실(PDL) 약 0.02 dB 측 었다.

포 체 비 과도 측 하 해 약 1ps 시간폭과 21.67MHZ 복 가지는 [0074]

드 사 하 다. 측 결과, 변 는 1% 도 고, 포 강도는 약 55MW/cm2

다.

한편 도 1 내지 도 8 참 한 본 에 한 포 체 에 어 , 단계[0075]

S100 행 고 단계 S200 그 다 에 행 는 것 하 지만, 단계 S100과 단계 S200 행

는 변경 어도 무 하다.

2 (150) 단 에 매칭 물질 도포하고, 1 (110) 단 (端部)에 연 어리 연[0076]

마하여 1 (110) 단 에 연 도포한 후, 연 가 도포 1 (110) 단

매칭 물질 도포 2 (150) 단 하는 것도 가능하다.

도 9는 본 에 한 포 체 다 시 도 다.[0077]

도 9 참 하 , 단계 S200' 도 1 참 한 실시 는 차 가 다.[0078]

하 차 주 한다.[0079]

도 9 참 하 , 도 1 참 한 실시 에 2 (150) 단 에 매칭 물질 도포하는 것과는[0080]

달리, 연 가 도포 1 (110) 단 에 매칭 물질 도포한다(S200').

도 9 참 하 , 2 (150) 단 에는 매칭 물질 도포 지 않 , 다만 단계 S500 통하여[0081]

클리닝 다.

타 각 단계 상 한 사항 도 1 내지 도 8 참 한 본 에 한 포 체[0082]

과 동 사하므 상 한 생략한다.

도 10 본 에 한 포 체 하여 포 체 하[0083]

여 한 생 치 시 나타내는 도 다.

도 10 참 하 , 생 치(300)는 프 원(310)과, 할 다 (320) , 득[0084]

물질(330)과, 고립 (isolator, 340) , 본 에 한 포 체

하여 포 체(350) , 결합 (360) , (370) 포함한다.

프 원(310) 는 워 273 mW 갖는 980nm 프 원 사 었다.[0085]

할 다 (320)는 980/1550nm 할 다 하 다.[0086]

득 물질(330) 는 3m 어븀 첨가 사 하 다.[0087]

단 향 빔 진행 해 고립 (340) 하 다.[0088]

포 체(350)는 고립 (340) 다 에 연결 었다.[0089]

결합 (360)는 90:10% 결합 가 었 10% 포트 하여 얻었다.[0090]

도 10 측 한 결과, 프 워가 167 mW 상 Q- 칭 가 생 , 프 워가 273[0091]

등록특허 10-1726609

- 11 -

mW 지 안 Q- 칭 가 생 는 것 할 었다.

도 10 참 한 생 치(300)는 시 뿐 , 본 에 한[0092]

포 체 하여 포 체(350) 사 하는 것 하 래 과 동

사하므 상 한 생략한다.

도 11 도 10 통하여 측 트럼 나타내는 도 다.[0093]

도 11 참 하 , 심 략 1559.3 nm, 3-dB 역폭 략 2.5 nm 것 할 다.[0094]

상에 한 같 본 에 에 칭 식 연 도포하고 매칭 물[0095]

질 하여 결합하는 것에 해 간단하고 비 포 체 할 다.

본 특 동 Q- 칭 식 하는 것에 어 , 가공,[0096]

LIDAR, 역 원, , 비 학, 등 다양한 도 다.

비 본 체 었지만 는 단지 본 시 한 것에 과한 것 ,[0097]

본 하는 야에 통상 지식 가지는 라 본 본질 특 에 어나지 않는

내에 다양한 변 가능할 것 다.

라 본 에 개시 실시 들 본 한 하 한 것 아니라 하 한 것 고, 러한 실[0098]

시 에 하여 본 사상과 가 한 는 것 아니다. 본 는 아래 청 에 해 해

어야 하 , 그 동등한 내에 는 든 본 리 에 포함 는 것 해 어야 할

것 다.

산업상 가능

본 에 에 칭 식 연 도포하고 매칭 물질 하여 결합[0099]

하는 것에 해 간단하고 비 포 체 할 다.

본 특 동 Q- 칭 식 하는 것에 어 , 가공,[0100]

LIDAR, 역 원, , 비 학, 등 다양한 도 다.

110: 1 130: 1 커[0101]

140: 연층 150: 2

170: 2 커 180: 매칭 층

210: 연필 230: 매칭 물질 도포

300: 생 치 310: 프 원

320: 할 다 330: 득 물질

340: 고립 350: 포 체

360: 결합 370:

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도

도 1

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도 2

도 3

도 4

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도 6

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도 7

도 8

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도 9

도 10

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도 11

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