Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM)
Univ. Grenoble Alpes, Lab. LTM (CEA-LETI/MINATEC) - Grenoble – France
Christophe Vallée
ALD
Applications actuelles et émergentes
1er exemple : ALD pour les SC
2ème exemple : dépôt sélectif
3ème exemple : ALD pour la passivation / couches barrières
4ème exemple : ALD pour les fibres/textile, matériaux poreux,
et même la voiture!
Conclusions
Applications de l’ALD
C. Vallée - RAFALD 2015
Application historique
diélectrique (high k – HfO2 / ZrO2) pour remplacer SiO2 dans le
transistor MOS
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
1999 - 2000 : new requirement for film deposition compatible with manufacturing
- thickness control at the monolayer scale
- smooth films
- low deposition temperature (to supress SiOx regrowth)
new deposition method: ALD
Ultrathin high-k gate stacks for advanced CMOS
devices - Gusev et al (IBM), IEDM 2001
ZrO2 (ZrCl4 + H2O at 300 °C)
HfO2 (HfCL4 + H2O)
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Intel Xeon PMOS transistor features embedded SiGe
(25-30% Ge) and a replacement high-k/metal gate
Semiconductor International, 5/6/2008
Diélectrique high k HfO2 CMOS : en production de
masse chez INTEL depuis 2007 et le nœud 45 nm
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Transistors aujourd’hui et demain
Pour toutes ces structures au
minimum le high k sera fait par
ALD
a) 22nm Tri-Gate (Intel)
b) Omega gate structure
c) Pi-gate structure
d) Gate all around avec CNT
a)
b)
c)
d)
R. W. Johnson et al
ALD high k du CMOS aux applications nécessitant d’utiliser un
matériau à forte permittivité (capacités MIM, DRAM…)
Exemple : capacité MIM (Métal Isolant Métal) Ta2O5
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Thomas et al., Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, « Reliable 3D
Damascene MIM architecture embedded into Cu interconnect for a Ta2O5 capacitor record density of
17 fF/µm² », 2007
ALD high k du CMOS aux applications nécessitant d’utiliser un
matériau à forte permittivité (capacités MIM, DRAM…). Exemple
capacité MIM (Métal Isolant Métal) :
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Roadmap ITRS for RF MIM
capacitors
2008 2010
2012
2013
2015
2016
2018
Technological node (nm) 65 45 32 22
Density fF/µm² 4 5 7 10
Leakages (nA/cm²) 10 10 10 10
Voltage linearity (ppm.V-2) < 100 < 100 < 100 < 100
High k, électrodes à fort travail de sortie
Nouvelles architectures (2D vers 3D) Augmenter la capacité surfacique
Conserver les propriétés électriques
ALD la solution
MIM / DRAM : 2D vers 3D, high k et ultra high k, métal
Très vite l’ALD a montré que c’était la technique de dépôt conforme
ALD pour les SC
Vitesse de dépôt
confo
rmité
PE-ALD
HDP-CVD
PECVD
I-PVD
PVD
C. Vallée - RAFALD 2015
Remplissage d’un
trou (aspect ratio
35:1) par HfO2
Photos SEM d’une structure multicouche
alternant Al2O3 (5 couches de 14 Å) et
Ta2O5 (5 couches de 27 Å)
MIM /DRAM : 2D vers 3D, high k et ultra high k, métal
SiO2 (k=4), Si3N4 (7), Al2O3 (9), HfO2 (18-20), ZrO2 (20), Ta2O5 (25), TiO2 (70),
SrTiO3 (>100) ….tous réalisables par ALD
ALD pour les SC
TiO2 rutile (k = 107) déposé à partir du précurseur
TDMAT et d’un plasma O2 à 250°C dans un
réacteur PEALD de Cambridge (Fiji)
Une couche mince de RuO2 (~ 3 nm) est crée à
partir de l’électrode de Ru après un traitement
plasma de 1 heure à 400°C dans la chambre
PEALD
J. Vac. Sci. Technol. A 32(1), Jan/Feb 2014
Pointet et al.: Rutile-structured TiO2 deposited by PEALD using TDMAT precursor
C. Vallée - RAFALD 2015
MIM /DRAM : 2D vers 3D, high k et ultra high k, métal
SiO2 (k=4), Si3N4 (7), Al2O3 (9), HfO2 (18-20), ZrO2 (20), Ta2O5 (25), TiO2 (70),
SrTiO3 (>100) ….tous réalisables par ALD
ALD pour les SC
Sr(iPr3C5H2)2 + H2O + Ti(OiPr4) + H20
→ SrTiO3 + sous-produits
Sr(iPr3C5H2)2 + H2O + Ti(OiPr)2(tmhd)2 + H2O
→ SrTiO3 + sous-produits
M. Vehkamäki et al, Electrochemical and Solid-
State Letters 2 (1999) 504-506S. Woon et al, Chem. Mater. 23 (2011) 2227-2236
MIM / DRAM : 2D vers 3D, high k et ultra high k, métal
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Année 2009 - 2016 2017 - 2024
Top Electrode TiN Ru,RuO2, Ir, IrO2
High k ZrO2, HfO2, Ta2O5 TiO2, ATO, STO, BST
Bottom Electrode TiN Ru,RuO2, Ir, IrO2, SrRuO3
Exemple évolution des matériaux dans les DRAM
d’après l’ITRS
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Ru sur SiO2 (AR 17)
A. Berthelot et al, alliance Crolles 2, 2007 SK Kim et al, JES 154:D95
TiN/ZrO2/TiN
Utilisation d’un plasma
H2 ou NH3 en mode PEALD
MIM / DRAM : 2D vers 3D, high k et ultra high k, métal
ALD permet de faire des structures mutlticouches, dopées (bon
compromis high k – faible courant de fuite). On peut aussi élaborer
tout l’empilement high k / métal par ALD (cf. Aude Lefevre mardi 15h50)
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
MIM / DRAM : 2D vers 3D, high k et ultra high k, métal
Doper: exemple ATO (TiO2 dopé Al)
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
SK Kim et al, Adv. Mater 20 (2008) 1429
DRAM : ZAZ : TiN/ZrO2/Al2O3/ZrO2/TiN (2006 Hynix SC)
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
N. Pinna, M. Knez (2012) Atomic Layer of nanostructured materials, Wiley - VCH
Applications actuelles / en développement : spacer pour patterning
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Double / quadruple patterning
Applications actuelles / en développement : spacer pour patterning
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Matériaux utilisés
« spacer »
SiO2 et Si3N4 par
PEALD
Basse T°
(300 – 500 °C)
Dépôt conforme
Qualité oxyde
SiO2 spacer
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Si3N4 spacer
Dépôt pour ALD dès 25°C
Films déposés à basse T déjà en
production
Manufacturing : réduction des coûts,
amélioration du throughput, défectivité
Dépôt pour ALD dès 250°C
Seulement les films déposés à forte
température (>550°C) utilisés en production
de masse
Engineering : optimisation du procédé et du
plasma pour améliorer la conformité et la
qualité du film (WER)
Applications actuelles / en développement : Si3N4 liner
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
TiN
Poly-Si
SiO2
resist
Substrat cleaning
Gate stack deposition
Photolithography
Gate etching
PE-ALD of Si3N4
Spacer etching
Si
SiO2
Contacts
S D
G
FDSOI substrat
Si canal
Surface cleaning
Si epitaxy
Exemple transistor FDSOI à Crolles
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
QUELQUES CHALLENGES MATERIAUX et PROCEDES
- Nouveau matériau : SiC
- Mieux contrôler la composition : GST pour PCM
- Faire un oxyde non parfait pour OxRAM
- PEALD pour des facteurs de forme > 100 !
- Améliorer encore le throughput
Des challenges : SiC
Challenge 1 : SiC
C. Vallée - RAFALD 2015
Il n’existe pas de procédé ALD basse température connu pour SiC !
Plusieurs procédés mais à T >750°C, seulement donc la PECVD est
utilisée en HVM (High Volume Manufacturing)
Nouveaux précurseurs et nouveaux procédés plasma à développer !
Exemple SiC par ALD: Si2H6 + C2H2 à 750°C
Des challenges : Matériaux à changement de phase (PCM) GST
Challenge 2 : GST
C. Vallée - RAFALD 2015
Il n’existe pas de procédé ALD permettant de passer d’un
matériau GST (GeSbTe) Ge riche à Ge pauvre !
D. Lencer et al
Selon les applications visées il est
intéressant de pouvoir changer la
stœchiométrie car elle impacte sur la
température de cristallisation
Challenge 2 : GST
C. Vallée - RAFALD 2015
Air products liquid EXTREMA precursors
Sb(OC2H5)3, Ge(OCH3)4, [(CH3)3Si]2Te
La forte affinité entre les groupements
Silyl du précurseur Te et les atomes O
dans G et Sb permet de trouver un
mécanisme de croissance par ALD
thermique de GST
Challenge 2 : GST
C. Vallée - RAFALD 2015
La composition finale est riche en Te telle que Ge2Sb2Te7
Le précurseur de Ge doit être modifié pour obtenir Ge2Sb2Te5 composition
Challenge 3 : RRAM
Former un sous oxide par PEALD !
Sous-oxide necessaire dans une structure OxRAM pour l’effet reservoir d’oxygène
HfO2 OxRAM
la plus étudiée
TiN (PVD)
TiN (PVD)
HfO2 (ALD)
Ti (PVD)
HfOx par PEALD ?
TOUT
ALD/PEALD
TiN (PVD)
TiN (PVD)
HfO2 (ALD)
HfOx (PEALD)
Ch. Walczyk et al, IEEE Trans.
Elect. Dev. 58 (2011) 3124
-4 -2 0 2 410-10
10-9
10-8
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
Reset
OFF
ON
Set
C
urr
en
t (
A)
Voltage (V)
start
end
HfO2 OxRRAM
P. Gonon et al, JAP 107, 074507 (2010) C. Vallée - RAFALD 2015
Challenge 4 : AR > 100
C. Vallée - RAFALD 2015
Comment améliorer la conformité lors d’un procédé ALD ou PEALD ?
Paramètres clefs : diffusion, recombinaison en surface, réactions de surface
On peut identifier deux régimes en fonction du coefficient de collage s :valeur de s élevée : régime limité par la diffusionvaleur de s faible : régime limité par les mécanismes de réaction
Forts facteurs de forme :
Challenge 4 : AR > 100
C. Vallée - RAFALD 2015
H* est perdu plus vite que O* : dépôt métal critique pour les forts AR
Challenge 4 : AR > 100
C. Vallée - RAFALD 2015
From the book « Atomic Layer Deposition
for Semiconductors », Cheol Seong Hwang
and Cha Young Yoo Editors, Springer (2014)
For the 40 nm MIM DRAM, only 6-8 nm thick
films (dielectric and top electrode) are allowed
Aspect ratio will be between 80 and 200
Comment contourner le problème de throughput : 3 exemples
Challenge 5 : throughput
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD BATCHSi3N4 à partir de dichlorosilane et plasma NH3
A batch furnace can process up to
100 wafers at the same time, which
makes the process more cost
effective compared to single wafer
process. (5nm ~1 hour)
Comment contourner le problème de throughput : 3 exemples
C. Vallée - RAFALD 2015
PEALD STMicroelectronics
A modified PEALD process can be used to reduce the cycling time: oxygen is not pulsed,
the plasma is pulsed, Ta precursor must not react with O2 gas but only O2 plasma
Precursor: TBDDET + O2 plasma
Growth rate: 0.9 A/cycle
T° substrat: <250°C
cf. Mickael Gros-Jean mercredi 10h50
5 wafers/hours with 50nm Ta2O5
Challenge 5 : throughput
Comment contourner le problème de throughput : 3 exemples
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD SPATIAL
cf. David Muñoz-Rojas mercredi 11h10
et Mikko Söderlund mercredi 11h30
Le procédé spatial en SB
Challenge 5 : throughput
BILAN ALD pour les SC
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Solid State Technology and Global Industry Analysts (GIA): the global deposition
equipment market will hit $13.6 billion by 2020. Atomic layer deposition (ALD) is
forecasted to be the fastest growing segment, with a compound annual growth rate of
19.9 percent, the market research firm estimates.
http://electroiq.com/blog/2015/07/deposition-equipment-market-witnesses-a-year-of-significant-changes
This growth rate will be accelerated in the future:
logic and memory is gradually migrating from
lithography-enabled 2D transistors and 2D NAND to
materials-enabled 3D transistors and 3D NAND used
as architecture in several storage devices, such as
Flash memories.
The 3D device inflection is driving growth in ALD
with demands for new patterning films, new
conformal materials and lower thermal budgets
ALD pour les SC
C. Vallée - RAFALD 2015
Un exemple de challenge pour le 3D:
Le design des futures mémoires 3D peut passer
par le dépôt alternatif de 64 paires de couches
minces !
Ceci est un challenge en terme de contrôle du
stress, de la défectivité et de la rugosité des
dépôts!
Samsung IEDM 2011
1er exemple : ALD pour les SC
2ème exemple : dépôt sélectif
3ème exemple : ALD pour la passivation / couches barrières
4ème exemple : ALD pour les fibres/textile, matériaux poreux,
et même la voiture!
Conclusions
Applications de l’ALD
C. Vallée - RAFALD 2015
C. Vallée - RAFALD 2015
Le procédé de dépôt ALD peut être utilisé pour faire des
dépôts sélectifs
Dépôt sélectif
Microélectronique,
croissance localisée de nanoparticules….
C. Vallée - RAFALD 2015
Dépôt sélectif le plus développé : SAM + ALD
Dépôt sélectif
Octadecyltrichlorosilane (ODTS)
- C18H37Cl3Si
- Longueur de la chaine 2.6 nm
Transforme les hydrophiles -OH
en surface par des terminaisons
-CH3 hydrophobes qui bloquent la
croissance ALD
H.B.R. Lee et S.F. Bent « Nanopatterning by area-selective ALD » dans Atomic Layer
Depositio of Nanostructured Materials, ed. N. Pinna and M. Knez, Wiley, 2012
Optimisation du procédé I
C. Vallée - RAFALD 2015
Dépôt sélectif
On peut combiner SAM et motif 3D pour favoriser la
croissance dans une seule direction
d’après R.H.A. Ras et al, J. Am. Chem. Soc. 130 (2008) 11252
C. Vallée - RAFALD 2015
Dépôt sélectif
Optimisation du procédé II
Dépôt sélectif puis gravure sélective
par acide acétique (gravure sélective
du SAM via la gravure de la couche
d’oxyde native de CuO)
Fang et al, ACS Nano 9 (2015) 8651-8654
C. Vallée - RAFALD 2015
Dépôt sélectif
Optimisation du procédé II
Aussi proposé par Minaye Hashemi et al, ACS Nano 9 (2015) 8710-8717
Utilisation d’une technologie nanoimprint pour traiter la surface avec
un PDMS + dépôt ZnO par ALD (Diethylzinc + H2O)
C. Vallée - RAFALD 2015
Dépôt sélectif
C. Vallée - RAFALD 2015
On modifie le temps d’immersion dans la solution SAM pour avoir des « défauts »
et ainsi localiser des nanoparticules de Pt par ALD
La dimension des nanoparticules dépend du nombre de cycle ALD
Dépôt sélectif
Dépôt sélectif de nanoparticules de Pt H.B.R Lee et al, Chem. Mater. 24 (2012) 4051-4059
C. Vallée - RAFALD 2015
II. Procédé de dépôt Au non conforme : pas de Au sur les parois du nanofil de Si
III. On fonctionnalise SAM la couche de Au
IV. On fait croître du ZnO par ALD seulement sur les parois
V. On retire Au
Dépôt sélectif
Dépôt sélectif pour le 3D
1er exemple : ALD pour les SC
2ème exemple : dépôt sélectif
3ème exemple : ALD pour la passivation / couches barrières
4ème exemple : ALD pour les fibres/textile, matériaux poreux,
et même la voiture!
Conclusions
Applications de l’ALD
C. Vallée - RAFALD 2015
6 exemples:
- ALD pour la passivation des III-V
- ALD pour le Ge
- ALD pour les OLED (couches barrières)
- ALD pour les cellules solaires
- ALD pour passiver batterie Li
- ALD passivation pour super capacité
Développement rapide depuis quelques années de procédés ALD
spatial et roll to roll pour la passivation sur plastique, fibres, papiers,…
ALD pour la passivation / CB
C. Vallée - RAFALD 2015
3M licensing agreement with Lotus Applied
Technology TransFlexALDTM spatial ALDWednesday, October 7, 2015
ALD pour la passivation : III-V
C. Vallée - RAFALD 2015
Native oxide is partially removed during
PEALD Al2O3 deposition
Les SC III-V contrairement au silicium ont des oxydes natifs de mauvaise qualité (Dit
élevé) or la qualité de leur interface avec le high k pour une application transistor est
problématique.
Il faut donc enlever l’oxyde natif puis passiver la surface.
Il faut aussi réduire le Dit en déposant un oxyde interfacial entre le III-V et le high k
J. ROBERTSON
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117(11):112806 · MARCH 2015
ALD pour la passivation : Ge
C. Vallée - RAFALD 2015
Al2O3 ALD + traitement ozone cyclé permet de guérir les défauts (supprmer des –OH
groupes), former une couche de passivation GeOx
(cf. Evan Oudot mardi 12h10 – passivation photodétecteurs)
ALD pour les couches barrières
C. Vallée - RAFALD 2015
Couches barrières pour les OLED(cf. Tony Maindron mercredi 9h50 + Poster Christophe
Defranoux)
ALD Al2O3 a très vite montré des
résultats bien supérieurs aux
autres procédés
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD pour les couches barrières
ALD permet aussi de faire des structures laminates pour casser des
ponts de diffusion
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD pour les couches barrières
Laminates Inorganic/Organic
encore plus prometteur
(ALD/MLD)cf Poster N. Adjeroud
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD utilisé comme couche de
passivation pour les cellules
solaires à base de Si cristallincf. Poster Corina Barbos
ALD utilisée comme couche
d’encapsulation et couche tampon
(type n) pour les cellules solaires à
base de CIGScf. Nathanaelle Schneider mercredi 10h10
ALD pour cellule solaire
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD utilisé comme couche de
passivation les cellules OPV
ALD utilisé comme couche
barrière pour les DSSCs
ALD pour cellule solaire
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD pour cellule solaire
Exemple de matériaux
déposes par ALD dans les
cellules solaires
(status au 15 février 2012)
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD pour cellule solaire c-Si
Origine de l’excellente qualité de la
passivation avec Al2O3 déposé par ALD
- Réduction des défauts à l’interface (passivation
chimique)
- Passivation par effet de champ liée à la
présence d’une densité de charges fixes
négatives (1012-1013 cm-2) à l’interface Al2O3-Si
Autres bénéfices de cette couche
- Al2O3 est transparent dans le visible (Eg > 6 eV)
- Procédé Basse Température (limite la
dégradation du temps de vie des porteurs dans
c-Si
- Excellente uniformité sur de grandes surfaces
Le procédé est efficace
dès 5 nm de Al2O3
dépose par PEALD (10
nm par ALD)
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD pour CIGS
CIGS SC type p donc on dépose dessus un SC type n
La surface des cellules solaires à base de CIGS est très
rugueuse (10-100 nm) et des défauts peuvent se former
entre les grains
Déposer par ALD la couche conforme type n qui doit être
« pinhole free » sur des surfaces d’1 m2 (module cellule
solaire) pour ne pas dégrader ses performances
Exemple de couche ZnO
déposée par ALD dans
un réacteur PICOSUN
C. Vallée - RAFALD 2015
L’optimisation de la cellule impose que la CBO
(Conduction Band Offset) entre le CIGS et le
SC type n soit positive
Ce n’est pas le cas de ZnO mais c’est le cas
de Zn1-xSnxO pour un x autours de 0.2
Exemple de couche Zn1-xSnxO
déposé par ALD
(Zn(C2H5) + H2O ou H2S
ALD pour CIGS
C. Vallée - RAFALD 2015
Passiver le Lithium pour empêcher sa corrosion (atmosphère, soufre,
électrolyte) par 14 nm ALD Al2O3
ALD pour batterie Li
Kozen et al, ACS NANO 9 (2015) 5884-5892
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD pour supercapacité
2 nm de Al2O3 par ALD sur l’électrode de carbone permet de maintenir
la porosité tout en améliorant la stabilité en tension et limiter la
dégradation dans le temps
K. Hong et al, ACS
Appl. Mater. Interfaces
7 (2015) 1899-1906
ALD pour la passivation / CB
C. Vallée - RAFALD 2015
K. Hong et al, ACS
Appl. Mater. Interfaces
7 (2015) 1899-1906
1er exemple : ALD pour les SC
2ème exemple : dépôt sélectif
3ème exemple : ALD pour la passivation / couches barrières
4ème exemple : ALD pour les fibres/textile, matériaux poreux,
et même la voiture!
Conclusions
Applications de l’ALD
C. Vallée - RAFALD 2015
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD et fibres
Papier avant et après 480 cycles ALD de ZnO à 115°C
Coton tissé avant et après 480 cycles ALD de ZnO
(diethylzinc + eau) à 115°C
C. Vallée - RAFALD 2015
Coton tissé + 200
cycles ALD W
Coton tissé + 200
cycles ALD W
Polypropylène
Surface MIM 3 cm2
0,5 mm
ALD et fibres
ALD et fibres
Rendre un coton hydrophobe grâce à un dépôt ALD (3 cycles de Al2O3
à 60°C, TMA + eau) mais après 10 cycles le coton redevient hydrophile
1er cycles : on forme principalement des liaisons Al-(O-C3)3 en surface (hydrophobe)
- puis on fait des Al-OH (hydrophile)
Effet aussi de rugosité avec les premiers cycles
C. Vallée - RAFALD 2015
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD et fibres
Revêtement TiO2 par ALD
sur une fibre en soie permet
d’améliorer ses propriétés
barrière aux UV et ses
propriétés mécaniques
X. Xiao et al,
ACS Appl. Matter, Interfaces 7 (2015) 21326-213333
C. Vallée - RAFALD 2015
On peut faire un dépôt ALD
conforme sur des MWCNT
grâce aux défauts, sur des
SWCNT en fonctionnalisant la
surface
Revêtement sur CNT +
calcination pour obtenir un
oxyde métallique à ultra
faible densité
Jesse S. Jur, AVS 2015
ALD pour matériaux ultra basse densité
C. Vallée - RAFALD 2015
Jesse S. Jur, AVS 2015
100AO absorbe plus de 100
fois son poids en eau
ALD pour matériaux ultra basse densité
Pas de dégâts après 5 min
à une flamme de 1000 °C
C. Vallée - RAFALD 2015
Nanotube par ALD
Même principe pour faire des nanotubes de IrO2
Procédé :
Nanotube de IrO2 obtenu
à partir du dépôt de
Ir(acac) + O3 sur une fibre
de PVP à 165°C suivi
d’une calcination pour
retirer la fibre de PVP
C. Vallée - RAFALD 2015
Même procédé pour faire un capteur
Dépôt par ALD de Al2O3 or TiO2 sur un template de BCP
(copolymère à blocs) puis calcination sous air à 540°C
BCP template
calcination
ALD pour matériaux poreux
40 cycles ALD
Fengbin Li et al,
Nano Lett. 12 (2012) 5033-5038
C. Vallée - RAFALD 2015
Structure poreuse pour capteur
ALD pour matériaux poreux
Fengbin Li et al,
Nano Lett. 12 (2012) 5033-5038
C. Vallée - RAFALD 2015
Nano canaux par ALD
TiO2 déposé par ALD
Le métal et l’oxyde sont déposés
par ALD dans cet exemple à gauche
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD et voiture
Le but de cet article était juste de
montrer qu’un revêtement à
l’échelle NANO (sur les vitres de
la voiture dans ce cas) pouvait
être effectué sur des objets
MACRO sans les contraintes d’un
réacteur sous vide et d’un
environnement favorable type
salle blanche
1er exemple : ALD pour les SC
2ème exemple : dépôt sélectif
3ème exemple : ALD pour la passivation / couches barrières
4ème exemple : ALD pour les fibres/textile, matériaux poreux,
et même la voiture!
Conclusions
Applications de l’ALD
C. Vallée - RAFALD 2015
Et je n’ai pas parlé de ces applications (images extraites des
brochures des équipementiers de l’ALD PICOSUN et BENEQ):
Applications de l’ALD
C. Vallée - RAFALD 2015
Médical
Corrosioncf. Poster Jorge Mario Herrera Morales
Batterie / énergie cf. Michel Cassir mardi 9h10
et Maïssa Barr mardi 15h10
MEMS
Décoration Bijoux
C. Vallée - RAFALD 2015
Applications de l’ALD
Purification de l’eau /
Membranescf. Mikkhael Bechelany mardi 15h30
Optique / photoniquecf. Thibaut Cremel mardi 16h350
C. Vallée - RAFALD 2015
ALD pour métaux nobles
Depuis 10 ans, 40 précurseurs
de métaux nobles et plus de 70
procédés ont été testés par
ALD ou PEALD pour le dépôt
de métaux nobles et de leurs
oxydes
Article de revue :
J. Hamalainen et al
Chem. Mater. 26 (2014) 786-801