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FUJITSU Semiconductor FRAMFUJITSU 세미컨덕터 FRAM

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풍부한 실적을 가진、고품질·고신뢰성의 메모리「FRAM」

후지쯔 그룹에서는 1969년부터 약 50년에 걸쳐서 메모리 제품을 제공했습니다. 현재는 후지쯔 세미컨덕터가 고품질·고신뢰성의 비휘발성 메모리‘FRAM（F램: Ferroelectric Random Access Memory）’을 중심으로 한 메모리와 솔루션을 제공하고 있습니다.

당사는 1999년에 FRAM의 양산을 시작한 이래 약 50개국에서 200종류 이상의 애플리케이션용에 대해 문의를 받고 있습니다. 지금까지 일본 내, 해외에 출하한 FRAM 제품은 20년간 30억 개 이상에 달하며, 변함없는 양산 실적을 자랑하고 있습니다.

FRAM은 처음에는 IC카드나 프린터 등의 민생 기기 시장으로의 제공에서 시작되어, 전력 미터와 산업 기계 등의 산업 분야, 의료 기기와 의료 RFID 태그 등의 의료 분야로 사용 용도를 확대해 왔습니다.

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풍부한 실적을 가진、고품질·고신뢰성의 메모리「FRAM」

최근에는 웨어러블 기기, 산업용 로봇, 드론 등의 첨단 기기에 채용 실적이 있습니다. 그리고 2017년부터 양산을 시작한 125℃ 동작품도 차재용 부품으로 출하하고 있습니다.

당사에서는 FRAM 제품의 출하뿐만 아니라, FRAM의 특징을 살린 솔루션의 제안으로서 RFID용 LSI와 인증용 LSI도 개발하고 있습니다. 특히 무선 급전과 무선 통신을 양립시킨‘배터리 리스 무선 솔루션’의 제안은, 2017년에 개최된 전시회의 ET/IoT Technology 어워드에서‘IoT Technology 우수상’을 수상했습니다.

앞으로도 메모리의 대용량화, 저소비 전력화를 추진하는 동시에 고객의 용도에 최적화한 메모리 제품과 솔루션의 제공을 계속하겠습니다.

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Random Access MemoryFerroelectricRandom Access MemoryFerroelectric

3

Pb(납)

O(산소)

Zr(지르코늄)또는 Ti(티탄)

분극량

하부전극전압

“1” Data

“0” Data

PZT결정 구조

PZT결정의 이력 특성

FRAM의 특징

FRAM제품 패밀리

FRAM의 구조

FRAM과 다른 메모리의 성능 비교

강유전체 메모리의 FRAM은 전원을 끄고도 데이터가 지워지지 않는 비휘발성과 SRAM 같은 랜덤 액세스의 양쪽 성질을 같이 갖고 있습니다.데이터 유지에 배터리백업이 불필요하고, EEPROM과 플래시 메모리 등의 비휘발성 메모리와 비교하여 고속 쓰기, 높은 쓰기 횟수, 저소비 전력이라는 특징이 있습니다.

FRAM제품 패밀리는 2계통으로 나뉩니다.SOP이나 TSOP등의 패키지품으로 제공하고 있는 ［단체 메모리］와 FRAM을 탑재한 RFID용 LSI및 인증용 LSI등의 ［FRAM탑재 LSI］입니다.RFID용 LSI는 무선 통신에 의한 데이터의 고속 기록이 가능하며, 무선 급전에 의한 동작이 가능하기 때문에 “배터리 리스·솔루션”을 구축할 수 있습니다.인증용 LSI에서는 보안 대책과 위조품 대책을 위하여 본 LSI를 사용한 하드웨어에서의 보안·솔루션을 제안하고 있습니다.이들 솔루션의 응용으로서, 고객의 애플리케이션의 우위성이나 성능을 최대한으로 끌어내기 위하여 고객과 함께 개발한 커스텀 LSI를 제공하고 있습니다.

FRAM은 강유전체 박막（Ferroelectric film）을 기억 소자에 사용하고 있습니다.당사의 FRAM에서는 강유전체에 PZT（티탄산 지르콘산연）을 사용하고 있으며 그결정 구조를 오른쪽 그림에 나타냅니다.창살 안에 있는 Zr（지르코늄）또는 Ti（티타늄）이온은 두 안정점이 외부의 전계에 의해서 그 위치를 바꾸는 성질（강유전성이 있습니다. 한번 어느 안정점에 위치하면 전자를 없애고도 위치가 바뀌는 일이 없습니다. 즉, 분극 상태가 기억됩니다.강유전체 박막의 상하에 전극을 만들어 캐패시터를 구성하고 전극 전압과 분극량을 플롯 하면 히스테리시스（이력）를 얻게 되며［1］또는［0］을 기억하게 됩니다.그 비휘발의 성질을 이용한 것이 강유전체 메모리입니다.EEPROM과 플래시 메모리는 소자 내의 기록 영역에서의 전하의 유무로 데이터를 기억하지만 FRAM은 분극의 방향으로 데이터를 기억하는 것으로 기억 방법이 다릅니다.

FRAM

비휘발성

높은 쓰기 내성 높은 보안

저소비 전력고속 쓰기

단체 메모리 시리얼 메모리

페러렐 메모리

RFID용 LSI

인증용 LSI

커스텀 LSI

FRAM탑재 LSI

FRAM

FRAM EEPROM FLASH SRAM메모리 타입 비휘발성 비휘발성 비휘발성 휘발성

쓰기 방법 덮어쓰기 소거+쓰기 소거+쓰기 덮어쓰기

사이클 타임 150ns 5ms 10µs 55ns

쓰기 횟수 10조번 100만번 10만번 무제한

승압 회로 불필요 필요 필요 불필요

데이터 유지 배터리 불필요 불필요 불필요 필요

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Random Access MemoryFerroelectricRandom Access MemoryFerroelectric

FRAM

4

제품 라인업

애플리케이션

시리얼 메모리의 SPI인터페이스품은 16K비트에서 4M비트, I2C인터페이스품은 4K비트에서 1M비트의 제품을 갖추고 있습니다. 패키지는 EEPROM과 플래시 메모리와 호환성이 있는 8핀 SOP를 중심으로 하여, SON이나 WL-CSP와 같은 초소형 패키지 제품도 제공하고 있습니다.페러렐 메모리는 SRAM 호환의 인터페이스를 가진, 256K비트에서 8M비트의 제품을 제공하고 있습니다.

FRAM은 고속쓰기와 10조 회의 쓰기 횟수를 보증하는 비휘발성 메모리이므로, 연속적으로 데이터를 다시 쓰는 용도에 최적입니다. 차재 분야, 산업 분야, 민생 분야, 의료 분야의 다양한 애플리케이션에 채용되었습니다.

MB85RS64VY2.7V-5.5V

MB85RC04V3.3V-5.5V

MB85RC256V2.7V-5.5V

MB85RC162.7V-3.6V

MB85RC16V3.0V-5.5V

MB85RC128A2.7V-3.6V

MB85RC64TA1.8V-3.6V

MB85RS64T/64TU1.8V-3.6V

MB85RC512T1.8V-3.6V

MB85RC1MT1.8V-3.6V

MB85RC64V3.0V-5.5V

MB85RS16N2.7V-3.6V

MB85RDP16LX（*）1.65V-1.95V

MB85RS256B2.7V-3.6V

MB85R256F2.7V-3.6V

I2C 3.3VI2C 1.8V I2C 5V SPI 3.3V SPI 5VSPI 1.8V 페러렐1.8V

페러렐3.3V

256K

16K

64K

128K

2M

메모리 용량(비트)

4K

1M

512K

4M

8M

MB85RS512T1.8V-3.6V

MB85RS1MT1.8V-3.6V

MB85RS2MTA1.8V-3.6V

MB85R8M2T1.8V-3.6V

MB85R4M2T1.8V-3.6V

MB85RS642.7V-3.6V MB85RS64V

3.0V-5.5V

MB85RS128B2.7V-3.6V

MB85RS128TY1.8V-3.6V

MB85RS256TY1.8V-3.6V

MB85RQ4ML1.7V-1.95V

MB85RS4MT1.8V-3.6V

양산

ES제공 중

*：이진 카운터 내장품

차재• 자동차 내비게이션• 드라이브 레코더

비행/항행 데이터 레코더• 드론• 선박

로봇• 산업 로봇• 민생 로봇

웨어러블• 스마트 워치• 보청기

미터• 전기 미터• 가스• 수도 미터

네트워크• 라우터• RAID제어기

의료품• 일회용 의료품• 의료용 모니터

IC카드• 보안 카드• 교통계 IC카드

산업 기계• 모터　• 엔코더• 제어 기기　• CNC

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Random Access MemoryFerroelectricRandom Access MemoryFerroelectric

5

주목 제품

SPI인터페이스의 EEPROM과 치환이 용이한 4M비트 FRAM

산업 기계에 사용되고 있는 SRAM과 치환이 가능한 8M비트 페러렐 FRAM

‘MB85RS4MT’는 EEPROM의 최대 메모리 용량과 동일한 4M비트의 SPI인터페이스의 FRAM입니다.EEPROM을 사용하고 있는 고객의 ‘쓰기 횟수를 늘리고 싶다’, ‘쓰기 시간을 짧게 하고 싶다’, ‘메모리 용량을 늘리고 싶다’와 같은 요구에 부응하는 메모리입니다.쓰기 보증 횟수는 EEPROM의 100만 회의 1,000만 배에 상당하는 10조 회이므로, 5ms 간격의 빈번한 데이터 로그에서도 쓰기 횟수가 설계의 보틀넥이 되는 경우는 없습니다. 또, FRAM은 쓰기 시에 소거 동작이 필요하지 않아 고속쓰기가 가능하므로, 데이터 쓰기 중에 순간 정전 등의 전압 저하가 발생해도 데이터 파괴를 피할 수 있습니다.

• 용도: 블랙박스, 로봇, 공작 기계, 계측 장치, 미터, 민생 기기

‘MB85R8M2T’는 SRAM 호환의 페러렐 인터페이스를 가진 8M비트의 FRAM입니다.고객의 애플리케이션에서 데이터 기록용으로 SRAM을 사용하고 있는 경우는 순간 정전 대책용 배터리가 필요하지만, SRAM을 본 FRAM으로 치환하면 배터리를 삭감할 수 있습니다. 배터리를 없앰으로써, 부품 비용의 삭감뿐 아니라, 장래 수년간에 걸친 유지보수 비용도 줄일 수 있으므로, 개발과 운용의 전체 비용의 삭감에 공헌합니다.또, 패키지는 SOP 타입이 아닌, FBGA라는 소형 패키지를 채용하고 있기 때문에 실장 면적의 삭감에도 기여할 수 있습니다.

• 용도: 공장에서의 제어 장치, 로봇, 공작 기계, 의료용 기기

조건: 5ms에 1회의 데이터 쓰기를 한 경우의 쓰기 보증 횟수로의 도달 시간

당사제FRAM

범용EEPROM

10조회에 도달

약 1.5시간 1,600년 시간

100만회에 도달

!

조건: EEPROM, FRAM 모두 1바이트 쓰기, 동작 주파수=최대 주파수(카탈로그값)로 계산

이상 전압 저하 발생 전원 정지

당사제FRAM

전원

범용EEPROM

쓰기 시간=200ns

전원 정지까지 데이터 쓰기가완료

쓰기 시간=5ms

전원 정지까지데이터 쓰기가끝나지 않음

FRAM과 EEPROM의 쓰기 횟수 비교 FRAM과 EEPROM의 쓰기 시간

8M비트 SRAM+배터리

6.00mm25.26mm

18.42mm

8.00mm

실장 면적을약 90% 삭감!

8M비트 FRAM

배터리의 삭감과 FBGA 패키지에 의해실장 면적을 큰 폭으로 삭감

SRAM용배터리

SRAM44-pinTSOP FRAM

48-pinFBGA

배터리 삭감에 의해 배터리 관련 비용이 불필요

SRAM+배터리

＋SRAM의 비용

배터리의비용 ＋

배터리 교환 비용, 배터리 재고 확보, 유지보수 비용 등

FRAM

기기의메모리부

개발 비용（부품 비용）

사용 중 운용 비용（유지보수·비용）

전체 비용

＋FRAM의 비용 ＋

SRAM과 FRAM의 실장 면적 비교 전체 비용 비교

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Random Access MemoryFerroelectricRandom Access MemoryFerroelectric

FRAM

6

극한지에서의 신뢰성이 요구되는 산업 기계용 -55℃ 동작의 64K비트 FRAM

고온 환경에서의 동작을 보증하는 차재용/산업 기계용 125℃ 동작의 FRAM

‘MB85RS64TU’는 -55℃라는 매우 낮은 온도 환경에서의 동작을 보증하는 64K비트의 FRAM입니다.본 제품은 ‘극한 지역의 야외에서 사용하는 기계용으로 저온에서 동작하는 메모리를 개발했으면 한다’라는 요구에 부응하여 개발되었습니다.-55℃의 저온에서도 10조 회의 데이터 쓰기 횟수를 보증하고 있어, 특히 극한 지역에서의 천연가스나 오일의 발굴에 사용되는 필드 장치 등의 산업 기계용으로 최적입니다. 패키지는, EEPROM 호환의 8핀 SOP뿐 아니라, 2.0×3.0mm의 사이즈를 가진 리드 프리 소형 패키지의 8핀 SON도 제공하고 있습니다.

• 용도: 천연자원 발굴용 필드 장치, 유량계, 계측 장치, 로봇

125K비트 FRAM ‘MB85RS128TY’와 256K비트 ‘MB85RS256TY’는 125℃의 고온 환경에서의 동작을 보증하는 FRAM입니다.두 제품 모두 자동차 부품으로 제공하기 위하여 기존 제품의 동작 온도를 125℃으로 확장했을 뿐 아니라 내부 회로 설계를 재검토함으로써 신뢰성을 향상시키고 있습니다. 게다가, AEC-Q100（*1） 신뢰성 시험 규격에 준거하고 PPAP（*2）에 대응하고 있습니다.또, 산업용 로봇 암 등 모터 기구를 탑재하는 애플리케이션에서는 모터에 의한 발열에 의해서 고온이 되므로, 그와 같은 고온 환경에서의 위치 정보나 데이터 정보를 기억할 수 있는 메모리로서 최적입니다.

• 용도: 차재 용도- 블랙박스, 긴급 구난 체계（eCall）, 전기 자동차용 배터리 매니지먼트 시 스템, 카 내비게이션, 타이어 공기압 경보 장치（TPMS） 산업 용도- 산업 기계（CNC）, 로터리 엔코더, 로봇 암

*1：AEC （Automotive Electronic Council） *2：PPAP （Production Part Approval Process）

형명 메모리 용량 （Bit）

전원 전압 （V）

동작 주파수 （Hz）

동작 온도 범위（℃） 데이터 쓰기 횟수 데이터 보존 패키지

MB85RS256TY 256K 1.8∼3.6 40M -40∼+125 10조회10년（+85℃）（*3）

1년＋（+125℃）（*4）SOP-8

MB85RS128TY 128K 1.8∼3.6 40M -40∼+125 10조회10년（+85℃）（*3）

1년＋（+125℃）（*4）SOP-8

MB85RS64VY 64K 2.7∼5.5 33M -40∼+125 10조회10년（+85℃）（*3）

1년＋（+125℃）（*4）SOP-8

*3：동작 온도가 +85℃보다 낮은 경우, 데이터 보존의 기간을 연장할 수 있습니다. 자세한 내용은 데이터 시트를 확인하십시오.

*4：125℃ 데이터 보존에 관해서는 지속 평가 중입니다.

단체 메모리의 Web 판매당사 Web 사이트 내 FRAM 제품 일람 페이지에서 판매 파트너의 Web 통신판매 사이트의 링크가 있습니다.또 Web 통신판매 사이트에 없는 FRAM 제품을 원하시는 경우에는 판매 대리점 또는 당사로 문의 바랍니다.판매 대리점의 연락처 및 문의 양식은, 당사 Web 사이트에서 확인하십시오.

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Random Access MemoryFerroelectricRandom Access MemoryFerroelectric

7

● I2C인터페이스품

형명 메모리 용량（Bit）

전원 전압（V）

동작 주파수（Hz）

동작 온도 범위（℃）

데이터 쓰기 횟수 데이터보존（*1） 패키지

MB85RC1MT 1M 1.8∼3.6 3.4M -40∼+85 10조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RC512T 512K 1.8∼3.6 3.4M -40∼+85 10조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RC256V 256K 2.7∼5.5 1M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RC128A 128K 2.7∼3.6 1M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RC64TA 64K 1.8∼3.6 3.4M -40∼+85 10조회 10년（+85℃） SOP-8/SON-8

MB85RC64V 64K 3.0∼5.5 1M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RC16 16K 2.7∼3.6 1M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8/SON-8

MB85RC16V 16K 3.0∼5.5 1M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RC04V 4K 3.0∼5.5 1M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8

● SPI인터페이스품

형명 메모리 용량（Bit）

전원 전압（V）

동작 주파수（Hz）

동작 온도 범위（℃）

데이터 쓰기 횟수 데이터보존（*1） 패키지

MB85RS4MT 4M 1.8∼3.6 40M -40∼+85 10조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RQ4ML（*2） 4M 1.7∼1.95 108M -40∼+85 10조회 10년（+85℃） SOP-16

MB85RS2MTA 2M 1.8∼3.6 40M -40∼+85 10조회 10년（+85℃） SOP-8/DIP-8

MB85RS1MT 1M 1.8∼3.6 40M -40∼+85 10조회 10년（+85℃） SOP-8/WL-CSP

MB85RS512T 512K 1.8∼3.6 40M -40∼+85 10조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RS256TY（*3） 256K 1.8∼3.6 40M -40∼+125 10조회10년（+85℃）1년（+125℃）

SOP-8

MB85RS256B 256K 2.7∼3.6 33M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RS128TY（*3） 128K 1.8∼3.6 40M -40∼+125 10조회10년（+85℃）1년（+125℃）

SOP-8

MB85RS128B 128K 2.7∼3.6 33M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RS64VY（*3） 64K 2.7∼5.5 33M -40∼+125 10조회10년（+85℃）

1년＋（+125℃）SOP-8

MB85RS64V 64K 3.0∼5.5 20M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RS64 64K 2.7∼3.6 20M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8

MB85RS64T 64K 1.8∼3.6 10M -40∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8/SON-8

MB85RS64TU 64K 1.8∼3.6 10M -55∼+85 1조회 10년（+85℃） SOP-8/SON-8

MB85RS16N 16K 2.7∼3.6 20M -40∼+95 1조회 10년（+95℃） SOP-8/SON-8

MB85RDP16LX（*4） 16K 1.65∼1.95 15M （*5） -40∼+105 10조회 10년（+105℃） SON-8

*1：동작온도가+85℃보다 낮은 경우, 데이터 보존의 기간을 연장할 수 있습니다. 자세한 것은 데이터 시트를 확인하십시오.*2：SPI및 쿼드 SPI인터페이스에 대응하고 있습니다.*3：AEC-Q100준거. 125℃데이터 보존에 관해서는 지속 평가 중입니다.*4：바이너리 카운터 기능을 내장하고 있습니다.*5：Dual SPI모드에서는 최대 7.5MHz으로 동작합니다.

FRAM

시리얼 메모리

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Random Access MemoryFerroelectricRandom Access MemoryFerroelectric

FRAM

8

페러렐 메모리

형명 메모리 용량（구성）（Bit）

전원 전압（V）

사이클타임（ns）

동작 온도 범위（℃）

데이터 쓰기 횟수 데이터보존（*1） 패키지

MB85R8M2T 8M（512K×16） 1.8∼3.6 150 -40∼+85 10조회 10년（+85℃） FBGA-48

MB85R4M2T 4M（256K×16） 1.8∼3.6 150 -40∼+85 10조회 10년（+85℃） TSOP-44

MB85R256F 256K（32K×8） 2.7∼3.6 150 -40∼+85 1조회 10년（+85℃） TSOP-28/SOP-28

*1：동작온도가+85℃보다 낮은 경우, 데이터 보존의 기간을 연장할 수 있습니다. 자세한 것은 데이터 시트를 확인하십시오.

패키지 사이즈

인증용 LSI

FRAM은 IC카드 등의 보안 용도에서도 실적이 있어, FRAM기반의 기기 인증용LSI을 제공하고 있습니다. 범용 인증용 LSI로 MB94R330이 있습니다.

형명 전원 전압 인터페이스 통신 주파수 동작주위온도 데이터 쓰기 횟수 패키지

MB94R330 3.0∼3.6V I2C 400kHz -20∼+85℃ 1조회 SON-8

MB94R330의 시퀀스는 전자 기기 본체와 주변 기기 간의 챌린지& 리스폰스로인증을 실시하는 순정품과 위조품의 판별을 실시합니다.프린터 복합기 등 전자 기기 본체로 사용하는 주변 기기（카트리지, 토너 등）의위조품을 검출하는데 적합합니다.보안 용도에서는 그 성질상, 고객으로부터 개별 사양 요구에 부응하기 위하여 커스텀 LSI로도 제공하고 있습니다. 하드웨어에 의한 보안 대책이나 위조품 대책을 검토하시는 고객은 당사로 문의 바랍니다.

Logic

인증대상품

본체FRAM

（키&데이터）

암호 IP(AES등)

MB94R330

암호통신

I2C, SPI, RF등

인증용 LSI의 사용 구성 예

● 시리얼 메모리

패키지 외관 세로 x 가로（mm）

높이 （mm）

WL-CSP-8 2.3 × 3.1 0.33

SON-8 2.0 × 3.0 0.75

SOP-8 3.9×5.1 1.75

SOP-16 7.5×10.3 2.7

● 페러렐 메모리

패키지 외관 세로 x 가로（mm）

높이 （mm）

FBGA-48 6.0 × 8.0 1.22

SOP-28 7.6×17.8 2.8

TSOP-28 11.8×8.0 1.2

TSOP-44 10.2×18.4 1.2

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Random Access MemoryFerroelectricRandom Access MemoryFerroelectric

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RFID

FRAM 탑재 RFID용 LSI

당사의 RFID용 LSI의 특징 중 하나는 데이터를 보존할 수 있는 메모리 용량이 크다는 것입니다. 즉, 제품을 식별하는 태그의 ID를 읽을 뿐 아니라 무선으로 프로그램 쓰기와 갱신이 가능합니다.또, 메모리에 FRAM를 사용하고 있기 때문에 EEPROM과 비교하여 쓰기 속도가 빠릅니다. 예를 들면, 생산 공장의 공정 이력 기록에 당사 RFID용 LSI를 태그로 사용하면 데이터 쓰기 시간이 짧아 공정의 스루풋을 단축할 수 있습니다.또한, 무선과 SPI의 2개의 인터페이스를 가진 제품군에서는 데이터의 기록에는 고속 처리가 가능한 SPI를 사용하고, 기기의 전원이 꺼진 경우에도 FRAM에 쓰인 데이터를 무선으로 읽을 수 있습니다.이와 같이 FRAM 탑재 RFID용 LSI는 데이터를 대량의 태그에 고속쓰기 하여 작업 시간을 단축하고 장치가 정전 등의 트러블로부터 복구될 때 FRAM 내의 동작 이력 데이터를 무선으로 읽음으로써 복구 직후의 리스크 회피가 가능합니다.

● 특징• 고속 데이터 쓰기 ：쓰기시의 처리량을 향상• 안정된 통신 거리 ：저 소비 전력으로 쓰기시의 통신 거리의 열화 없음• 대용량 메모리 장착 ：태그에 정보를 기록, 추가하는 대용량 메모리의 탑재를 실현• 다빈도 쓰기 ：최대 1조번의 쓰기를 보증. 태그의 장기 이용과 재활용 촉진• 국제 표준 대응 ：ISO15693, ISO18000-3（모드 1）, 6에 대응한 제품 군

● 라인업

I/F 동작 주파수 통신 거리형명（사용자 메모리 용량）（*1）

소용량 0∼256Byte 대용량 2KByte∼8KByte

SPI UHF대：860 – 960MHz 3mMB97R8130（8KB）

MB97R8110（8KB）

Non SPI

UHF대：860 – 960MHz 3m

MB97Rxxxx（64B）（EPC memory: 128bit）

MB97R8050（EPC memory: 128bit）

MB97R8120（8KB）

HF대：13.56MHz 50cm MB89R119B（256B）MB89R118C（2KB）

MB89R112A（8KB）

*1：메모리 용량에 관해서는 유연하게 대응합니다.

● RFID용 LSI의 어플리케이션

공장• 공정 기록• 데이터 쓰기

물류• 운행 기록• 제품 관리

인증• 본인 인증• 보안 록

인프라• 점검 기록• 열화 감시

의료• 사용 이력• 정보 확인

진위 판정• 진품/가품 판정• 모조품 판정

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Random Access MemoryFerroelectricRandom Access MemoryFerroelectric

FRAM

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FRAM&RFID의 판매 회사

당사의 판매 회사는 후지쯔 일렉트로닉스 주식회사와 그 계약 대리점입니다. FRAM제품에 대한 요망이나 문의는 후지쯔 일렉트로닉스 본사 또는 가장 가까운 영업 거점에 연락을 부탁합니다.후지쯔 일렉트로닉스는 해외에도 영업 거점이 있기 때문에 해외 전개하고 있는 고객에 대해서도 현지에서 부드럽게 도움이 됩니다.국내·해외 영업 거점의 컨택트처는 당사 Web사이트의 링크에서도 확인할 수 있습니다.

■ 판매 회사：후지쯔 일렉트로닉스 주식 회사본사：（우）222-8508일본 가나가와 현 요코하마시 코호쿠구 신요코하마 2-100-45신요코하마 중앙 빌딩URL：http://www.fujitsu.com/jp/group/fei/en

MB97R8110은 무선과 SPI의 2개의 인터페이스를 겸비한 LSI입니다. 본 제품은 소비 전력이 매우 적은 FRAM을 메모리에 사용함으로써 무선 급전에 의한 전력만으로 FRAM의 메모리 영역에 대한 데이터의 읽기와 쓰기 및 MB97R8110에 연결되는 모듈에 대한 전원 급전과 데이터의 송수신이 가능합니다.이 특징을 살려 키보드, 리모컨, 센서, 전자 페이퍼, 디스플레이 등, 다양한 애플리케이션을 MB97R8110과 연결함으로써 이제까지 당연하게 탑재되었던 배터리가 불필요해질 수 있습니다.

● 배터리 리스 어플리케이션 전용 RFID LSI

형명 동작 주파수 사용자 메모리 용량 （*1） 통신 규격 외부 I/F 데이터보존 데이터 쓰기

횟수

MB97R8110 UHF대： 860 – 960MHz 8KB ISO/IEC18000-63

EPC C1G2 Ver.1.2.0

SPI MasterSPI Slave

GPIOKey Matrix Scan

10년（+85℃） 1조회

*1：메모리 용량에 관해서는 유연하게 대응합니다.

● MB97R8110을 사용한 배터리 리스·솔루션의 구성예

● 배터리 리스·솔루션의 응용예

배터리 리스 무선 솔루션

모니터·리더/라이터를 경유하여 키보드에서　입력한 데이터를 화면에 표시

UHF 리더/라이터·모니터에 연결

MB97R8110 탑재 모듈·키보드에 내장·무선 급전에 의해 동작(배터리는 불필요)

무선에 의한 전력 공급(무선 급전)

무선에 의한 데이터의 송수신(무선 통신)

키보드·MB97R8110 경유로　데이터를 송신

보안(인증) 시스템 제어 단말, 컨트롤러 전자 페이퍼

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