M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Física Nuclear Aplicada paraModificação e Análise de Materiais
Prof. Dr. Manfredo Harri TabacniksInstituto de Física - USP
Pós Graduação em Ciência dos MateriaisUNESP - Sorocaba
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
• Introdução
• Íons e fótons na matéria
• Análise de materiais com feixes iônicos
• Implantação iônica
• Aplicações
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
• Introdução
• Íons e fótons na matéria
• Análise de materiais com feixes iônicos
• Implantação iônica
• Aplicações
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
O homem sempre buscou a origem das coisas: Na Gréciaantiga, Empédocles (~492 - 432 AC) classificou a matéria emquatro elementos:
http://perso.club-internet.fr/molaire1/e_plan.html
terra, água , ar e fogo
Esses 4 elementoseram envoltos por:amor e ódio. O amorune os elementos.O ódio os separa.A mistura doselementos cria todasas coisas.
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Os atomistas gregos
Átomo = “a-tomos” = indivisível (Leucipo de Mileto).
Matéria constituída de partículas em movimento perpétuo.
Demócrito de Abdera (~460-370 AC)
AS PARTÍCULAS ATÔMICAS• invisíveis (muito pequenas)
• indivisíveis• sólidas (sem espaço vazio interno)
• cercadas de espaço vazio (para semovimentar)
• com infinitas formas (explica a multitudeda Natureza)
http://perso.club-internet.fr/molaire1/e_plan.html
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No século 18, a chama dos materiais indicava a presença de elementos específicos.O maçarico (bico) de Bunsen (1811-1899) aperfeiçoou a espectroscopia de chama.Uma chama de cor fraca e muito quente, simples e fácil de usar.
césio - Cs
sódio - Na cobre - Culítio - Li
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O espectrômetro de Bunsen-Kirchhoff
bico debunsen
amostra
prisma
espectro
http://physics.kenyon.edu/EarlyApparatus/Optics/Spectrometers/Bunsen_Spectrometer.JPG
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A tabela periódica no tempo (1500AC - 2000)
11 elementos conhecidos em 1500 AC 15 elementos no final do Século 17
34 elementos no final do Século 18 82 elementos final do Século 19
www.uniterra.de/rutherford
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A experiência de Rutherford (1909) Atirando alfas em finas folhas de ouro (0,086 µm)
http://dbhs.wvusd.k12.ca.us/AtomicStructure/Rutherford-Model.html
F
fonte colimada de partículas α
folha de ouromuito fina
A maioriadas
partículasatravessa a
folha,como seela não
existisse...
..mas algumas poucas (1:8000) ricocheteiam eretornam em direção à fonte . (Marsden e Geiger, 1909)
É como se um tiro de canhão contra uma folha de jornal, retornasse.
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O modelo planetário (1911)O átomo de Bohr...
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fonte deraios-X
cristal“detector”
blindagem
Moseley (1887-1915) 1913
núm
ero
atô
mic
o
Espectroscopia de raios XO “mistérioda carga nuclear 2
AZ ≅
http://photos.aip.org/history/Thumbnails/moseley_henry_d9.jpg
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• Introdução
• Íons e fótons na matéria
• Análise de materiais com feixes iônicos
• Implantação iônica
• Aplicações
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Feixe de fótons na matéria
Feixe de íons na matéria
∆x
xeN
N ∆−=
.
0
µ
cteE =ν
cteN =0
xdx
dEEE ∆
−= 0'
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Feixe de fótons na matéria
Feixe de íons na matéria
∆x
xeN
N ∆−=
.
0
µ
cteE =ν
cteN =0
xdx
dEEE ∆
−= 0'
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Feixe de fótons na matéria (Absorção e espalhamento)
I0(E)
Espalhamento incoerenteEEE ∆−= 0
Espalhamento coerente
Raios-X característicosElétrons AugerFoto-elétrons
Efeito fotoelétrico
Absorçãoµ = τ + σcoer + σincoer
Adaptado de Jenkins, Gould & Gedke. Quantitative X-raySpectrometry. Marcel Dekker, 1981: 26
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Espalhamento para Ex = 8046 eV (Cu-Kα) em carbono
cm2/g fraçãoEsp.Incoerente 0,133 0,029Esp.Coerente 0,231 0,051Esp. Total 0,364 0,081Fotoelétrico 4,15 0,919Total 4,51
Jenkins, Gould & Gedke. Quantitative X-raySpectrometry. Marcel Dekker, 1981: 26
Feixe de fótons na matéria (Absorção e espalhamento)
E(keV)
4.12)A( =λ o
Efeito fotoelétrico, τEspalhamento coerente‘elástico’
Espalhamento incoerente‘inelástico’
µ
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Espalhamento para Ex = 8046 eV (Cu-Kα) em carbono
cm2/g fraçãoEsp.Incoerente 0,133 0,029Esp.Coerente 0,231 0,051Esp. Total 0,364 0,081Fotoelétrico 4,15 0,919Total 4,51
Feixe de fótons na matéria (Absorção e espalhamento)
E(keV)
4.12)A( =λ o
Jenkins, Gould & Gedke. Quantitative X-raySpectrometry. Marcel Dekker, 1981: 26
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Qual a energia transferida ?
Qual a probabilidade do evento ?
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Espalhamento elástico cte== νhE 4220
4
0 6 cm
e
πεσ =
Fração da radiação incidenteespalhada por um único elétron.(Espalhamento de Thompson)
Leighton: 422, 428, 433
Efeito fotoelétrico ~ absorção total xeIxI .0)( µ−
=
Espalhamento inelástico(Efeito Compton)
( )θλ cos10
−=∆cm
h
θλλ'
( )( ) ( )( )
+++++=Ω 'sen21'cos1
'sen41
'sen21
'cos1
2/1
2/1
2/1
2/122
42
22
220
θεθθε
θεθσ r
d
d c
Fórmula de Klein-Nishina (1929)
Feixe de fótons na matéria (Absorção e espalhamento)
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Absorção total
Leighton: 422
xeIxI .0)( µ−
=
ba += 3)( λλµ
ANf /0ρµσ =
BZC Kf +≅ 340 λσ
BE
ZC
x
Kf +≅
4
404.12
σ
10 25.2 −= mC K
Coeficiente deabsorção de massa
Seção de choque
Absorção de Raios-XLei de Beer
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Feixe de fótons na matéria
xeN
N ∆−=
.
0
µ
cteE =ν
Feixe de íons na matéria
∆x
cteN =0
xdx
dEEE ∆
−= 0'
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RADIAÇÃO DE FREAMENTO
ELÉTRON SECUNDÁRIO Ee>100eV
TRAÇOSECUNDÁRIOEp>5000eV
PROJÉTILIÔNICO
TRAÇO SECUNDÁRIO Ep< 5keV
COLUNA IONIZADA TRAÇO PRIMÁRIO
ÁTOMOde RECUO
Par e-íonE* ~30eV
~2 nm
“Bolha” de elétrons secundários 10-100eV
Adaptado de Choppin, Liljenzin e Rydberg,
Radiochemistry and Nuclear Chemistry, 2002.
Principais processos de freamento...
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MeVAZZe
MEs2
22
0
025,04
1
2
1 ≈
=hπε
Carga efetiva (e- não conseguem acompanhar o íon)
Ada
pta
do d
e Z
iegl
er,
198
0
Na
stas
i et a
l., 1
996
Íon neutro: vp = vK
prótons250 keV
(β ≡ v/c = 0,023)
Energia de Bohr da camada S
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superfícieFeixe iônico
Elétronssecundários
FreamentoFreamentoNuclearNuclear
E ~ keV/u
FreamentoFreamentoEletrônicoEletrônico
E > 1 MeV/u
Alcance R
FreamentoNuclear
FreamentoEletrônico
A. Delgado, IFUSP
Poder de freamento (stopping power)
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Freamento eletrônico
10 keV/u
∝−
2121
21 ln
)/( ZM
E
ZME
Z
dx
dE
e
Bethe-Bloch 20.vv Z>>
1MeV/u
1,0=β( )
I
m
m
eZZe
dx
dE
e
2
0
42
3/41
4 v2ln
v.v
492,0π
=−
Andersen-Ziegler 3/20 2.vv Z≈
01,0=β
05,0=β
Lindhard, Scharff e Schiöt (LSS)
2/1ερε
kd
d
e
=−
2/12
2/31
4/33/22
3/21
2/321
2/12
2/116/1
1 )(
)(0793.0
MMZZ
MMZZZkk L
+
+=≡
300 eV/u
dx
dE
E
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Freamento nuclear
Bethe-Bloch (m→M) 0,2 MeV/u
=−
I
M
M
eZNZ
dx
dE
n
2
22
422
21 v2
lnv
4π
0vv <
3600
1
/
/
2
2 ≅≈M
mZ
dxdE
dxdE
e
n
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Intensidade do freamento de íons na matéria (na prática)
SRIM
Polinômios ZBL
TRIM
SR
11122,602
)(−
+=
HLn SSAES
dbL EcEaS .. +=
+= EhE
g
E
eS
fH .ln
2//][ cmmgkeVS =Ziegler, J.F., Biersack, JP., Littmark, U. TheStopping and Range of Ions in Solids. Vol.1. Pergamon, NY, 1985.
Programa de simulação Monte Carlo paraamostra complexas e multicamada
Programa ‘rápido’ para cálculo de S e Rusando polinômios ZBL
www.srim.org
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• Introdução
• Íons e fótons na matéria
• Análise de materiais com feixes iônicos
• Implantação iônica
• Aplicações
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RADIAÇÃO DE FREAMENTO
ELÉTRON SECUNDÁRIO Ee>100eV
TRAÇOSECUNDÁRIOEp>5000eV
PROJÉTILIÔNICO
TRAÇO SECUNDÁRIO Ep< 5keV
COLUNA IONIZADA TRAÇO PRIMÁRIO
ÁTOMOde RECUO
Par e-íonE* ~30eV
~2 nm
“Bolha” de elétrons secundários 10-100eV
Adaptado de Choppin, Liljenzin e Rydberg,
Radiochemistry and Nuclear Chemistry, 2002.
Principais processos de freamento...
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RADIAÇÃO DE FREAMENTO
ELÉTRON SECUNDÁRIO Ee>100eV
TRAÇOSECUNDÁRIOEp>5000eV
PROJÉTILIÔNICO
TRAÇO SECUNDÁRIO Ep< 5keV
COLUNA IONIZADA TRAÇO PRIMÁRIO
ÁTOMOde RECUO
Par e-íonE* ~30eV
~2 nm
“Bolha” de elétrons secundários 10-100eV
Adaptado de Choppin, Liljenzin e Rydberg,
Radiochemistry and Nuclear Chemistry, 2002.
... e seu uso na análise de materiais
FRSRBS
PIXE
RADIAÇÃO DE FREAMENTO
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Os raios-x e a Lei de Moseley
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.
Canal
Um espectro de raios-X “real”
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PIXE - Análise elementar de uma amostra de soro sanguíneo
S Bernardes, Dissertação de mestrado, IFUSP, maio 2007
padrão interno
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Espalhamento elástico
22
12
12180
1
1
+−=
+−=
x
x
MM
MMKM
+=−= 2
21
211801
1802 )(
4
MM
MMEEEE oo
E0, Z1, M1
E2, Z2, M2
( ))2(
1
4,
4
2221
θθσ
senE
eZZE
d
d
c
⋅⋅⋅⋅=Ω
Seção de choque no CM
( )
−
+
−
⋅⋅⋅⋅=Ω
2
12
2
1
2
2
12
2
1
4
2221
1
cos1
4
4,
θ
θθ
θθσ
senM
M
senM
M
senE
eZZE
d
d
Seção de choque no laboratório
θ
( )( ) ( ) 2
21
21
2/122211
1 )(1
cossen1
+⋅+⋅−=≡
MM
MMMM
E
EK
o
θθ
Fator cinemático
E1, Z1, M1
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Energia
Y (
#/µC
/msr
/keV
)
Csubstrato
O Si
SiO2
C
Eo
KEoE1
EoKSiEoE1(Si)E1(O)
KOEoE1(C)
1/E2
HO
HSi
θE
∆EO
∆ESi
t
Um espectro RBS didático (feixe α com 2,4MeV)
[ ] tSE meioOO .=∆
[ ] tSE meioSiSi .=∆
E1(C) = KCEo - [S].t
E1(O) = KOEo - [S].t
E1(Si) = KSiEo - [S].t
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Feixeincidente(MeV/u.m.a.)
Feixetransmitido
núcleos de recuo(FRS)
raios γ(PIGE)
raios X(PIXE)
luz(IBL) íons
espalhados
íons retro-espalhados(RBS)
elétrons secundários
elétronssecundários
amostra
Análise de materiais com feixes iônicos
<10µm
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Tecnicas analíticas
M
E o
MERDAElastic Recoil Detection Analysis
X ray
H+
PIXEParticle Induced X ray Emission
γ ray
H+
PIGEParticle Induced Gamma ray Emission
RBSRutherford Backscattering Spectrometry
M Eo
E'M
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PIXE: Resumo Gráfico: Calibração e Limites de Detecção
Rendimento efetivo PIXE e RBS
Limites de Detecção Discriminação de elementos vizinhos
10 20 30 40 500.01
0.1
1
10
Detector de baixa energia
Detector de alta energia
PIXE-SP: Kα rendimento efetivo (cm²/µC/ng)
Número atômico
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Métodos de feixe iônico
RBS + ERDA + PIXE
• Alta sensibilidade: < 10 14 Au/cm 2
• Toda a tabela periódica
• PIXE calibrado com padrões
• RBS é absoluto: não necessita calibração• Perfil em profundidade ( ∆x ~ 100Å)• Sensível à topografia (rugosidade)
• Rápido: 10-20 min
• Feixe externo para amostras especiais
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• Introdução
• Íons e fótons na matéria
• Análise de materiais com feixes iônicos
• Implantação iônica
• Aplicações
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Formação do Rasto Nuclear (e sua corrosão)
superfícieFeixe iônico
Elétronssecundários
FreamentoFreamentoNuclearNuclear
E ~ keV/u
FreamentoFreamentoEletrônicoEletrônico
E > 1 MeV/u “Track Core”
“Track Halo”
Implantação dos íonsDeslocamento de átomos da rede
Quebras MolecularesRecombinação dos radicaisLiberação de gases
Alcance R
DApósApósCorrosãoCorrosão
FreamentoNuclear
FreamentoEletrônico
A. Delgado, IFUSP
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Danos gerados em polímeros
• Quebra das cadeias (“scissioning”)
– Redução do peso molecular;
– Aumento do volume internolivre;
– Formação de radicais;
• Recombinação
– Reticulação (“cross – linking”,“end-linking”);
– Formação de ligações duplas;
“Scissioning” “Cross Linking”A. Delgado, IFUSP
Produtos gerados• Atmosfera de Oxigênio:
oxidação• Frequentemente:
– Vinis;– Álcoois;– Ácidos carboxílicos;
• Em alguns casos:– Ligações triplas;– Sistemas policíclicos;– Fulerenos;
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• Introdução
• Íons e fótons na matéria
• Análise de materiais com feixes iônicos
• Implantação iônica (Aceleradores)
• Aplicações
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Um acelerador eletrostático
gás isolante
• Estrutura em vácuo para transporte do feixe (íons ou elétrons)
vácuo
E0V
tubo acelerador
R R R R R R R RR R
K = V.q
fonte de íons
•Fonte de íons (ou de elétrons)
gerador (VDG ou CW)
V
•Fonte de alta tensão (VDG ou Crockroft Walton)
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Acelerador eletrostático Acelerador Pelletron tipo tandem com stripper gasoso
www.pelletron.com
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Acelerador
Fontes de íons
Console
Laboratório para Análise de Materiais com Feixes Iônicos - LAMFI
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Câmara paraanálises RBS
Câmara paraanálises PIXE
Laboratório para Análise de Materiais com Feixes Iônicos - LAMFI
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AGLAE - Accélerateur Grand Louvre d'Analyse Elémentaire
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• Introdução
• Íons e fótons na matéria
• Análise de materiais com feixes iônicos
• Implantação iônica
• Aplicações (Novos materiais)
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Implantação de íons
É introdução “à força” de elementos químicos num material hospedeiro
• Permite misturas sólidas fora do equilíbrio químico;
• Usado desde 1970 na indústria de semicondutores;
• Controle preciso de dose e profundidade do átomo implantado;
• Método promissor para biocompatibilização de materiais
• Nanotecnologia
Difusão química:Máximo na Superfície
Implantação Iônica:Não há limites de quantonem onde...
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10 min10 min 20 min20 min
40 min40 min 60 min60 min
CR39 – Corrosão Química de Poros Implantados
Adriana Delgado, IFUSP
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Implantação Iônica: Aplicações (Conservação de alimentos)
Filme plástico
comum.
Estanque
Polímero com
microporos
(implantados e
corrídos) recobertos
com TiO2
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T. Berthelot et al, Nuclear Instruments and Methodsin Physics Research B 265 (2007) 320–324.
Implantação Iônica: Aplicações (Novos dispositivos eletrônicos)
Nano fios cruzados(+30° e -30 °)
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Implantação Iônica
http://www.ornl.gov/info
Superfície dura de TiNcriada via implantaçãoiônica em plasma denitrogênio.
Hanawa, 1999
Titânio nãotratado
Titânio implantado com CaAceleração debiocompatibilidade
ttp://www.rsc.org/chemistryworld/News/2005
Soluções sólidas além doequilíbrio precipitam...
Quantum Dots
Au ~MeV
calorSi
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Micro e nano feixes
Geoff Grime, ICTP, Miramare-Trieste, 17 March 2006
F. Watt et al., NIM B210, 2003,pp 14-20
Proton beam writing - Ion Beam Lithography
PMMA - polimetil metacrilato
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Proton Beam Writing (escrevendo com prótons)
Geoff Grime, ICTP, Miramare-Trieste, 17 March 2006
Matriz quadrada com 1µm eparedes com 60 nm
MEMS MicroElectroMechanical Systems
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Acionador de microespelhos
MEMS (micro-electro-mechanical systems)
Nano-pinça
http://www.nanopicoftheday.org/images/nanotweezer.jpg
25 nm
http://www.sfu.ca/immr/pmp/images
Micro indutor
Micro-motor Sandia Labs.1 200 000 rpm
a pinça
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Calvo, W.A.P Workshop Sobre Estratégias para o Controle deAlimentos Irradiados – ANVISA, 15-16/agosto/2002
Aceleradores de elétrons
1kGy = 1J/g
1,5MeV - 40 a 100kW
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
• Irradiação de polímeros para reação de reticulação “crosslinking”• Tratamento de efluentes (plata piloto 3 m3/h)• Esterilização de produtos biomédicos• Cura de madeiras e lâminas por radiação• Indução de cor em pedras preciosas• Modificação de tiristores• Desinfestação de obras de arte e livros• Desinfestação de flores• Preservação de alimentos
IPEN - Centro Tecnológico das RadiaçõesAdaptado de Calvo, W.A.P Workshop Sobre Estratégias para o Controle deAlimentos Irradiados – ANVISA, 15-16/agosto/2002
Irradiação com elétrons e raios gama
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
• Introdução
• Íons e fótons na matéria
• Análise de materiais com feixes iônicos
• Implantação iônica
• Aplicações Médicas
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Hospital Loma Linda
Linha de feixe fixa
Síncrotron 40-250 MeV
Saída da linha de feixe móvel
Próton-Terapia (tratamento de câncer)Loma Linda University Medical Center (EUA)
Schulte, XXIV RTFNB, 2001
1-800 PROTON
Profundidade no tecido
Dos
e
10 MeV X-raysFeixe de prótons
modulado
Feixe de prótons
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
• Introdução
• Íons e fótons na matéria
• Análise de materiais com feixes iônicos
• Implantação iônica
• Aplicações: Análise de materiais
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Análise RBS ePIXE do solomarciano
O “carro laboratório” da Mars Pathfinder em Marte (1997)
JPL, 2005
detector de raios X
detector de prótons e alfas
242Cm
Espectro de raios-X do solo de Marte
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Etapas de fabricação de um circuito integrado
http://www.cbpf.br/~labmag/MinicursoNano/litografia_cbpf_dia1_2006.pdf
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
elemento gravador indutivoespirasde cobre
sensor spin valve
blindagemdo sensor
contatos
50Å Ta
100Å FeMn
50Å NiFe
substrato
22Å Cu
75Å NiFe
50Å Ta
Cabeça magnética gravador/sensor (tipo spin-valve)
Estruturatotalmentedeterminadaatravés dosmétodos PIXE eRBSIBM-ARC 1995
http://mirror.href.com/thestarman/asm/mbr/cuhds.gif
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Espectro PIXE deum estruturamulticamada tipospin-valve
Espectro RBS deum estrutura
multicamada tipospin-valve
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Mediana dos valores de composição elementar (n = 30) em sorosanguíneo comparado com valores na literatura. As barras indicam 1desvio padrão nas medidas e o intervalo min-max nos dados deliteratura.
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
1E+04
1E+05
1E+06
1E+07
Be Al P S Cl K Ca V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Se Br Mo Cd Sn Tl Pb
Con
cent
ratio
n (p
pb)
In this WorkLiterature
22 elementos9 ordens degrandeza
Análise de soro sanguíneo por PIXE e ICP-MS
S Bernardes, Dissertação de mestrado, IFUSP, maio 2007
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Micro e nano feixes
microanálise elementar deuma pupa de formiga
Comparado com elétrons, omaior poder de penetraçãode feixes iônicos e suamenor dispersão permiteanálises com maiorresolução espacial.
Feixes MeV ~ 100 nmFeixes de íon único! ~10 nm
Feixes keV ~10 nm
UFRGS (2007) estáinstalando um microfeixe...
Geoff Grime, ICTP, Miramare-Trieste, 17 March 2006
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008Amaldi, U. Europhysics News, (2000) 31-6
Aceleradores empesquisa básica eaplicada
Radio terapia
Modificação de polímeros (elétrons)
Radiofármacos
Micromecânica
Semicondutores
Isolantes
Análise demateriais
Próton terapia
Pesquisa Básica em Física Nuclear
1930
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
A evolução da tecnologia de análise com feixes iônicos
menor mass
a, menor ta
manho
1 átomo
(Brasil)
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Agradecimentos e equipe
IFUSPProfa. Dra. Márcia A. RizzuttoProf. Dr. Nemitala AddedDr. Marcel L.D. Barbosa (e equipe do LAMFI)Os estudantes do GFAA
...e muitos outros
À UNESP, Profa. Dra Elidiane Rangel,pelo convite e oportunidade...
M. H. Tabacniks, Pós Graduação em Ciência dos Materiais UNESP - Sorocaba, 14/03/2008
Grato pela sua atenção
Manfredo