ELEC2753 - 2012 - Université catholique de Louvain Électronique de puissance E. MATAGNE...

ELEC2753 - 2012 - Université catholique de Louvain

Électronique de puissanceÉlectronique de puissance

E. MATAGNEE. MATAGNE

[email protected]@uclouvain.be

ELEC 2753 Électrotechnique


Les composants

3 ELEC2753 - 2012 - Université catholique de Louvain

IntroductionUn interrupteur idéal ne dissipe pas de puissance carUn interrupteur idéal ne dissipe pas de puissance car

• s’il est ouvert, son courant est nul (sa tension est quelconque)s’il est ouvert, son courant est nul (sa tension est quelconque)

• s’il est fermé, sa tension est nulle (le courant est quelconque)s’il est fermé, sa tension est nulle (le courant est quelconque)

Or, la puissance est le produit de la tension et du courant. On a donc Or, la puissance est le produit de la tension et du courant. On a donc dans tous les cas p = u i = 0 .dans tous les cas p = u i = 0 .

En électronique de puissance, on utilise des composants qui ne En électronique de puissance, on utilise des composants qui ne prennent que deux états : bloqué (courant nul) ou saturé (tension prennent que deux états : bloqué (courant nul) ou saturé (tension nulle). On dit qu’ils fonctionnent en commutation.nulle). On dit qu’ils fonctionnent en commutation.


La puissance que peut « commander » un tel composant est le produit du La puissance que peut « commander » un tel composant est le produit du courant maximum (qu’il peut supporter à l’état conducteur) par la tension courant maximum (qu’il peut supporter à l’état conducteur) par la tension maximum (qu’il peut supporter à l’état bloqué) .maximum (qu’il peut supporter à l’état bloqué) .

En fait, les composants ne sont pas idéaux et dissipent donc de la puissance En fait, les composants ne sont pas idéaux et dissipent donc de la puissance sous forme de chaleur. La puissance qu’un composant électronique de sous forme de chaleur. La puissance qu’un composant électronique de puissance peut dissiper en chaleur est cependant très inférieure à la puissance puissance peut dissiper en chaleur est cependant très inférieure à la puissance qu’il peut commander : il ne faut pas confondre les deux notions.qu’il peut commander : il ne faut pas confondre les deux notions.


On peut classer les composants électroniques de puissance en deux groupes :On peut classer les composants électroniques de puissance en deux groupes :

• Certains fonctionnent naturellement en commutation (diodes, thyristors, Certains fonctionnent naturellement en commutation (diodes, thyristors, triacs, GTO …). triacs, GTO …).

• D’autres peuvent fonctionner aussi dans des états intermédiaires (transistors D’autres peuvent fonctionner aussi dans des états intermédiaires (transistors bipolaires, transistors MOSFET, IGBT …). On ne peut les utiliser en bipolaires, transistors MOSFET, IGBT …). On ne peut les utiliser en électronique de puissance qu’à condition de les commander de telle sorte électronique de puissance qu’à condition de les commander de telle sorte qu’ils soient toujours bloqués ou saturés.qu’ils soient toujours bloqués ou saturés.

Actuellement, on n’utilise pratiquement que des composants formés de Actuellement, on n’utilise pratiquement que des composants formés de semiconducteurs.semiconducteurs.

Les puissances commandables couvrent une large plage. Il existe en effet des Les puissances commandables couvrent une large plage. Il existe en effet des composants capables supporter à l’état OFF des tensions de plusieurs composants capables supporter à l’état OFF des tensions de plusieurs centaines de volts, et à l’état ON des courants de plusieurs milliers d’ampères.centaines de volts, et à l’état ON des courants de plusieurs milliers d’ampères.


Le cristal de silicium pur

Le silicium est le matériau Le silicium est le matériau semiconducteur le plus semiconducteur le plus utilisé. Nous le prenons utilisé. Nous le prenons comme exemple dans cette comme exemple dans cette introduction. Le silicium a introduction. Le silicium a quatre électrons de quatre électrons de valence. Dans un cristal de valence. Dans un cristal de Si , ces quatre électrons Si , ces quatre électrons sont tous utilisés comme sont tous utilisés comme électrons de valence. En électrons de valence. En cela, le silicium ressemble cela, le silicium ressemble à un isolant (pas à un isolant (pas d’électrons libres).d’électrons libres).


Cependant, sous l’effet de l’agitation Cependant, sous l’effet de l’agitation thermique, certains électrons se libèrent. Il thermique, certains électrons se libèrent. Il existe donc un petit nombre d’ "électrons existe donc un petit nombre d’ "électrons libres ".libres ".

L’emplacement qui a perdu un électron L’emplacement qui a perdu un électron est un « trou » positif. Le trou peu est un « trou » positif. Le trou peu capturer un électron de valence voisin, ce capturer un électron de valence voisin, ce qui correspond à un déplacement du trou.qui correspond à un déplacement du trou.

Il existe donc deux types de porteurs de Il existe donc deux types de porteurs de charges (N et P). Un courant peut circuler. charges (N et P). Un courant peut circuler. On dit que le matériau est On dit que le matériau est semiconducteur.semiconducteur.

Les porteurs se comportent comme des Les porteurs se comportent comme des particules ayant une charge électrique particules ayant une charge électrique positive ou négative (égale en module à positive ou négative (égale en module à un quantum de charge) et une masse un quantum de charge) et une masse apparente (qui n’est pas celle d’un apparente (qui n’est pas celle d’un électron dans le vide).électron dans le vide).


Le cristal de silicium dopé

On peut substituer au sein du cristal un faible partie des atomes de On peut substituer au sein du cristal un faible partie des atomes de silicium par des atomes différents dits « impuretés ».silicium par des atomes différents dits « impuretés ».

• Si les impuretés sont des atomes pentavalents (phosphore…), elles Si les impuretés sont des atomes pentavalents (phosphore…), elles ont un électron excédentaire qui devient un électron libre. On dit que ont un électron excédentaire qui devient un électron libre. On dit que l’on a un semiconducteur de type N.l’on a un semiconducteur de type N.

• Si les impuretés sont des atomes trivalents (aluminium…), elles Si les impuretés sont des atomes trivalents (aluminium…), elles peuvent capturer un électron de valence voisin et produire ainsi des peuvent capturer un électron de valence voisin et produire ainsi des « trous ». On dit que l’on a un semiconducteur de type P.« trous ». On dit que l’on a un semiconducteur de type P.

Dans un cristal dopé, on distingue les porteurs majoritaires (négatifs Dans un cristal dopé, on distingue les porteurs majoritaires (négatifs dans un semiconducteur N, positifs dans un semiconducteurs P) et les dans un semiconducteur N, positifs dans un semiconducteurs P) et les porteurs minoritaires. Ces derniers sont moins nombreux que dans un porteurs minoritaires. Ces derniers sont moins nombreux que dans un semiconducteur non dopé car ils ont tendance à disparaître par semiconducteur non dopé car ils ont tendance à disparaître par recombinaison avec les majoritaires.recombinaison avec les majoritaires.


La jonction P-N

Une barrière de potentiel apparaît (voir cours)Une barrière de potentiel apparaît (voir cours)

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En provoquant une variation de la différence de potentiel, on peut En provoquant une variation de la différence de potentiel, on peut renforcer la barrière (d’où passage d’un courant inverse minuscule) ou renforcer la barrière (d’où passage d’un courant inverse minuscule) ou l’affaiblir (d’où passage d’un fort courant direct).l’affaiblir (d’où passage d’un fort courant direct).

Polarisation inverse : peu de porteurs Polarisation inverse : peu de porteurs peuvent contribuer au courant.peuvent contribuer au courant.

Polarisation directe : beaucoup de Polarisation directe : beaucoup de porteurs peuvent contribuer au courant.porteurs peuvent contribuer au courant.

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La diode

La diode est le plus simple des La diode est le plus simple des composants.composants.

La diode à semiconducteur La diode à semiconducteur s’obtient en reliant les deux s’obtient en reliant les deux côtés d’une jonction P-N à des côtés d’une jonction P-N à des électrodes (anode et cathode).électrodes (anode et cathode).

Pas de tension au repos (sinon Pas de tension au repos (sinon mouvement perpétuel !) car mouvement perpétuel !) car compensation de la différence compensation de la différence de potentiel de la jonction par de potentiel de la jonction par celles des contacts des celles des contacts des électrodes.électrodes.

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Transistor bipolaire

Actuellement peu utilisé en électronique de puissanceActuellement peu utilisé en électronique de puissance

La jonction située entre la base (B) et le collecteur (C) est polarisée en inverse. La jonction située entre la base (B) et le collecteur (C) est polarisée en inverse. Au repos, il n’y passe donc pas de courant. Si on polarise l’autre jonction dans Au repos, il n’y passe donc pas de courant. Si on polarise l’autre jonction dans le sens passant, le courant de cette dernière « continue » jusqu’au collecteur. Un le sens passant, le courant de cette dernière « continue » jusqu’au collecteur. Un petit courant de base suffit donc à contrôler un fort courant entre le collecteur petit courant de base suffit donc à contrôler un fort courant entre le collecteur (C) et l’émetteur (E).(C) et l’émetteur (E).

Ce composant est robuste et bon marché, mais la commutation est relativement Ce composant est robuste et bon marché, mais la commutation est relativement lente car il faut agir sur les porteurs minoritaires de la base.lente car il faut agir sur les porteurs minoritaires de la base.

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MOSFET

L’application d’une tension positive entre L’application d’une tension positive entre les électrodes G et S fait apparaître des les électrodes G et S fait apparaître des charges négatives dans la zone P, charges négatives dans la zone P, permettant le passage du courant entre la permettant le passage du courant entre la zone N (reliée au drain D) et la zone N1 zone N (reliée au drain D) et la zone N1 (reliée à la source S). La commutation peut (reliée à la source S). La commutation peut être rapide. En régime, la commande ne être rapide. En régime, la commande ne nécessite pas de courant. Par contre, la nécessite pas de courant. Par contre, la chute de tension est souvent plus grande chute de tension est souvent plus grande que dans un transistor bipolaire.que dans un transistor bipolaire.

L’électrode de commande G (est isolée par L’électrode de commande G (est isolée par une couche d’oxyde non conductrice (en une couche d’oxyde non conductrice (en brun sur la figure)brun sur la figure)

On note l’existence d’une diode « parasite » entre la zone P (en contact avec S) et la On note l’existence d’une diode « parasite » entre la zone P (en contact avec S) et la zone N (en contact avec S). Cette diode protège le composant mais n’est pas très zone N (en contact avec S). Cette diode protège le composant mais n’est pas très rapide : on évite donc de l’utiliser dans les applications à fréquence élevée.rapide : on évite donc de l’utiliser dans les applications à fréquence élevée.

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IGBT

L’IGBT ne diffère du MOSFET que par l’ajout d’une couche P L’IGBT ne diffère du MOSFET que par l’ajout d’une couche P supplémentaire entre la zone N et le drain (qui prend le nom de collecteur). supplémentaire entre la zone N et le drain (qui prend le nom de collecteur). La commande se fait comme dans un MOSFET mais, quand le composant La commande se fait comme dans un MOSFET mais, quand le composant est conducteur, la nouvelle jonction P-N transmet des porteurs positifs qui est conducteur, la nouvelle jonction P-N transmet des porteurs positifs qui facilitent le passage du courant entre N1 et N par un effet similaire à celui facilitent le passage du courant entre N1 et N par un effet similaire à celui d’un transistor bipolaire. La source est dès lors rebaptisée émetteur (E) . La d’un transistor bipolaire. La source est dès lors rebaptisée émetteur (E) . La chute de tension est plus faible que dans un MOSFET, mais la vitesse de chute de tension est plus faible que dans un MOSFET, mais la vitesse de commutation est aussi plus faible.commutation est aussi plus faible.

La diode parasite ne peut plus entrer en conduction.La diode parasite ne peut plus entrer en conduction.

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Thyristors

iA

uAK

A KG

circuit decommande

On distingue dans un thyristor deux transistors bipolaires, à savoir N2, P2, N1 On distingue dans un thyristor deux transistors bipolaires, à savoir N2, P2, N1 d’une part, et P1, N1 P2 d’autre part. Le collecteur de l’un sert de base à d’une part, et P1, N1 P2 d’autre part. Le collecteur de l’un sert de base à l’autre, de sorte que, une fois le dispositif conducteur, il reste conducteur l’autre, de sorte que, une fois le dispositif conducteur, il reste conducteur même si aucun courant de commande n’est plus appliqué à G.même si aucun courant de commande n’est plus appliqué à G.

Ce composant est très robuste et on l’utilise surtout aux grandes puissances. Ce composant est très robuste et on l’utilise surtout aux grandes puissances.

Ces composants comportent 4 zones. On appelle A l’anode, K la cathode. Ces composants comportent 4 zones. On appelle A l’anode, K la cathode. L’électrode de commande, G, s’appelle la gâchette.L’électrode de commande, G, s’appelle la gâchette.

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Thyristors

Exemple de circuit où le thyristor s’éteint spontanément :Exemple de circuit où le thyristor s’éteint spontanément :

Représenter une source de tension alternative en série avec une Représenter une source de tension alternative en série avec une impédance (résistance + inductance en série) et un thyristor.impédance (résistance + inductance en série) et un thyristor.

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GTOUn GTO (gate turn off thyrisor) n’est autre qu’un thyristor réalisé de telle Un GTO (gate turn off thyrisor) n’est autre qu’un thyristor réalisé de telle sorte que l’on puisse le bloquer en extrayant les porteurs de la zone P2 via la sorte que l’on puisse le bloquer en extrayant les porteurs de la zone P2 via la gachette. Cela nécessite d’appliquer à G un très grand courant inverse (plus gachette. Cela nécessite d’appliquer à G un très grand courant inverse (plus grand que le courant qui circule entre A et K), de sorte que ce composant grand que le courant qui circule entre A et K), de sorte que ce composant n’est utilisé qu’en très grande puissance, là où les semiconducteurs n’est utilisé qu’en très grande puissance, là où les semiconducteurs complètement commandés ne sont plus disponibles.complètement commandés ne sont plus disponibles.

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Triac

Le triac est, comme le thyristor, un composant que l’on peut commander uniquement à Le triac est, comme le thyristor, un composant que l’on peut commander uniquement à la mise en conduction : il ne se bloque que lorsque le courant s’annule.la mise en conduction : il ne se bloque que lorsque le courant s’annule.

Comme le thyristor, le triac est bloqué dans les deux sens en l’absence de commande. Comme le thyristor, le triac est bloqué dans les deux sens en l’absence de commande. Cependant, contrairement à celui-ci, il est bidirectionnel : la commande peut le rendre Cependant, contrairement à celui-ci, il est bidirectionnel : la commande peut le rendre conducteur aussi bien dans un sens que dans l’autre. En outre, l’impulsion de conducteur aussi bien dans un sens que dans l’autre. En outre, l’impulsion de commande peut être aussi bien positive que négative.commande peut être aussi bien positive que négative.

Nous ne décrirons pas ici la structure Nous ne décrirons pas ici la structure interne du triac, nous contentant interne du triac, nous contentant d’indiquer son symbole. On remarquera d’indiquer son symbole. On remarquera que l’on ne parle plus de cathode, mais que l’on ne parle plus de cathode, mais d’anode A1.d’anode A1.


Structures monophasées

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IntroductionLes principaux types de convertisseurs ayant une entrée et une sortie Les principaux types de convertisseurs ayant une entrée et une sortie bifilaires sontbifilaires sont

• AC vers DC (redresseurs)AC vers DC (redresseurs)

• DC vers DC (hacheurs et alimentations à découpage)DC vers DC (hacheurs et alimentations à découpage)

• DC vers AC (onduleurs) : fourniture d’énergie sous forme AC DC vers AC (onduleurs) : fourniture d’énergie sous forme AC

• AC vers AC (gradateurs … )AC vers AC (gradateurs … )

ApplicationsApplications

• alimentation sous tension constante d’équipements électroniquesalimentation sous tension constante d’équipements électroniques

• alimentation à tension variable de moteurs DCalimentation à tension variable de moteurs DC

• obtention d’un substitut du réseau alternatif monophasé à partir de obtention d’un substitut du réseau alternatif monophasé à partir de batteries (UPS…), panneaux photovoltaïques.batteries (UPS…), panneaux photovoltaïques.

• obtention de courants alternatifs à fréquence « élevée » pour tubes obtention de courants alternatifs à fréquence « élevée » pour tubes fluorescents, chauffage par induction… fluorescents, chauffage par induction…

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Redresseur à une seule diode

Courant d’entrée toujours dissymétrique (pénible pour le réseau) !Courant d’entrée toujours dissymétrique (pénible pour le réseau) !

Sortie sur charge résistive : formes d’onde peu intéressantes en généralSortie sur charge résistive : formes d’onde peu intéressantes en général

La présence de la diode divise par La présence de la diode divise par deux la puissance dissipée dans deux la puissance dissipée dans une résistance chauffante. La une résistance chauffante. La tension et le courant efficace sont tension et le courant efficace sont seulement divisés par racine de seulement divisés par racine de deux !deux !

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Sortie sur charge capacitive : courant d’entrée en impulsionsSortie sur charge capacitive : courant d’entrée en impulsions

Le courant redressé moyen de la Le courant redressé moyen de la diode et de l’entrée est égal au diode et de l’entrée est égal au courant de charge (supposé bien courant de charge (supposé bien filtré).filtré).

Par contre, le courant efficace de la Par contre, le courant efficace de la diode et de l’entrée peut être diode et de l’entrée peut être beaucoup plus grand. Attention à beaucoup plus grand. Attention à bien dimensionner les éléments bien dimensionner les éléments concernés !concernés !

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Sortie sur charge inductive : impossible si Sortie sur charge inductive : impossible si on veut un filtrage effectif caron veut un filtrage effectif car

• il n’y a qu’un seul courant, le même il n’y a qu’un seul courant, le même pour la source, la diode, la self et la pour la source, la diode, la self et la charge.charge.

• si on veut que le courant de la charge si on veut que le courant de la charge soit continu (non lacunaire, c.-à-d. ne soit continu (non lacunaire, c.-à-d. ne s’annulant pas à chaque période), la diode s’annulant pas à chaque période), la diode serait en permanence conductrice (pas de serait en permanence conductrice (pas de tension à ses bornes).tension à ses bornes).

• or, la tension moyenne d’une inductance or, la tension moyenne d’une inductance idéale est nulleidéale est nulle

• donc la tension de la charge, qui est égale à sa valeur moyenne si le filtrage donc la tension de la charge, qui est égale à sa valeur moyenne si le filtrage est efficace, serait égale à la tension moyenne de l’entrée, c’est-à-dire zéroest efficace, serait égale à la tension moyenne de l’entrée, c’est-à-dire zéro

• donc le courant est nécessairement lacunaire : le filtrage peut pas être donc le courant est nécessairement lacunaire : le filtrage peut pas être effectif sous peine de réduire le courant à zéro !effectif sous peine de réduire le courant à zéro !

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Redresseur à pont de diodes

Cas d’une charge résistiveCas d’une charge résistive

Courant absorbé sinusoïdalCourant absorbé sinusoïdal

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Cas d’une charge capacitiveCas d’une charge capacitive

La valeur efficace du courant La valeur efficace du courant d’entrée peut être beaucoup plus d’entrée peut être beaucoup plus grande que le courant de la charge.grande que le courant de la charge.

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Cas d’une charge inductiveCas d’une charge inductiveCourant de la self et de la charge quasi-constantCourant de la self et de la charge quasi-constantCourant d’entrée de forme carréeCourant d’entrée de forme carrée

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Redresseur à absorption sinusoïdale

Une façon d’obtenir un redresseur à absorption sinusoïdale est de faire suivre un redresseur ordinaire d’un convertisseur avec une commande ad hoc

Nous verrons plus loin le schéma d’un tel convertisseur. A noter qu’il Nous verrons plus loin le schéma d’un tel convertisseur. A noter qu’il comporte obligatoirement un dispositif d’accumulation d’énergie car la comporte obligatoirement un dispositif d’accumulation d’énergie car la puissance entrante n’égale pas à chaque instant la puissance sortante.puissance entrante n’égale pas à chaque instant la puissance sortante.

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Redresseurs à thyristors

A voir au cours magistral :A voir au cours magistral :

Forme d’onde de la tension Forme d’onde de la tension en amont de la selfen amont de la self

Note : l’inductance peut parfois Note : l’inductance peut parfois être évitée si la charge a un être évitée si la charge a un comportement suffisamment comportement suffisamment inductif (cas fréquent avec les inductif (cas fréquent avec les machines DC)machines DC)

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Hacheur série ou abaisseur de tension(buck)

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On peut réaliser une On peut réaliser une alimentation à découpage à alimentation à découpage à partir d’un hacheur sériepartir d’un hacheur série

On peut seulement abaisser la On peut seulement abaisser la tension et élever le courant tension et élever le courant (convertisseur « buck » )(convertisseur « buck » )

dtuLLL 0

0

DoncDonc

TuTu

dtudtuu

CL

C

T

T

C

T

LLf

0

0

0 )(

En régime, on a doncEn régime, on a donc uuC chS ii

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Hacheur parallèle ou élévateur de tension (boost)

TuTu

dtuudtu

CL

C

T

T

T

LLf

)1(

)(

0

0

0

uuC

1

1

On peut seulement élever la tension et abaisser On peut seulement élever la tension et abaisser le courantle courant

chS ii

1

1

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Exemple d’application : redresseur à absorption sinusoïdaleExemple d’application : redresseur à absorption sinusoïdale

La commande doit être réalisée de façon à obtenir un courant La commande doit être réalisée de façon à obtenir un courant d’entrée proportionnel à la tension d’entrée.d’entrée proportionnel à la tension d’entrée.

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Courant de la selfCourant de la self Courant d’entréeCourant d’entrée

Tension d’entréeTension d’entrée

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Hacheur à stockage inductif (buck-boost)

TuTu

dtudtu

CL

C

T

T

T

LLf

)1(0

0

0

On peut aussi bien élever que réduire la tension !On peut aussi bien élever que réduire la tension !

A taille égale, le rendement est moins bon que celui des A taille égale, le rendement est moins bon que celui des convertisseurs précédents car toute l’énergie transférée de l’entrée convertisseurs précédents car toute l’énergie transférée de l’entrée vers la sortie doit passer par un stockage dans la self.vers la sortie doit passer par un stockage dans la self.

A noter aussi le changement de polarité par rapport à la borne A noter aussi le changement de polarité par rapport à la borne commune à l’entrée et à la sortie.commune à l’entrée et à la sortie.

uuC

1

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Note : Il n’est pas indiqué d’utiliser les Note : Il n’est pas indiqué d’utiliser les convertisseurs DC/DC ci-dessus (sans isolation convertisseurs DC/DC ci-dessus (sans isolation galvanique) avec un grand rapport entre les tensions galvanique) avec un grand rapport entre les tensions d’entrée et de sortie, car il faudrait dimensionner les d’entrée et de sortie, car il faudrait dimensionner les éléments pouréléments pour

• la tension du côté où elle est la plus élevéela tension du côté où elle est la plus élevée

• le courant du côté où il est le plus élevéle courant du côté où il est le plus élevé

Cela conduirait à surdimensionner les composants Cela conduirait à surdimensionner les composants par rapport à la puissance réellement transmise.par rapport à la puissance réellement transmise.

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Montages avec isolation galvanique

C’est un buck-boost où la self C’est un buck-boost où la self a été remplacée par deux a été remplacée par deux inductances couplées.inductances couplées.

Le couplage doit être très bon Le couplage doit être très bon sous peine de perdre l’énergie sous peine de perdre l’énergie stockée dans l’inductance de stockée dans l’inductance de fuite.fuite.

Il y a isolation galvanique Il y a isolation galvanique entre l’entrée et la sortie.entre l’entrée et la sortie.

On peut donc connecter On peut donc connecter librement la sortie. En librement la sortie. En particulier, le changement de particulier, le changement de polarité n’a plus polarité n’a plus d’importance.d’importance.

« Fly-back »« Fly-back »

kuuC /1

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« Fly-through »« Fly-through »Le montage Le montage dérive du dérive du « buck »« buck »

L’énergie L’énergie stockée dans stockée dans l’inductance l’inductance parallèle du parallèle du transformateur transformateur est perdue. Il est perdue. Il faut rendre cette faut rendre cette inductance très inductance très grande (noyau grande (noyau magnétique sans magnétique sans entrefer)entrefer)

uuchch = = U / k U / k

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Les convertisseurs avec isolation galvanique permettent la Les convertisseurs avec isolation galvanique permettent la même commande de la tension de sortie que les convertisseurs même commande de la tension de sortie que les convertisseurs sans isolation, mais, en outresans isolation, mais, en outre

• ils permettent des changements important de niveau de ils permettent des changements important de niveau de tension sans surdimensionnement (en jouant sur le rapport des tension sans surdimensionnement (en jouant sur le rapport des nombres de spires)nombres de spires)

• ils assurent l’isolation galvanique, ce qui facilite l’utilisation ils assurent l’isolation galvanique, ce qui facilite l’utilisation de la tension de sortie et peut avoir une fonction de sécurité de la tension de sortie et peut avoir une fonction de sécurité (alors, respect strict de normes de construction).(alors, respect strict de normes de construction).

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Onduleurs monophasés

1. Pleine onde (de moins en moins utilisés)1. Pleine onde (de moins en moins utilisés)

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Onduleurs monophasés

Mode MLI (PWM en anglais)Mode MLI (PWM en anglais)

2. À modulation de largeur d’impulsion ( pulse wide modulation)2. À modulation de largeur d’impulsion ( pulse wide modulation)

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3. Onduleur moyenne fréquence à résonance3. Onduleur moyenne fréquence à résonance

Utilisé par exemple pour faire du chauffage par induction, ou encore pour Utilisé par exemple pour faire du chauffage par induction, ou encore pour réaliser un convertisseur DC/DC en le faisant suivre d’un redresseur (attention, réaliser un convertisseur DC/DC en le faisant suivre d’un redresseur (attention, ces convertisseurs ont une plage de fonctionnent réduite)ces convertisseurs ont une plage de fonctionnent réduite)

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Gradateurs

A voir lors du cours magistral :A voir lors du cours magistral :

• Formes d’onde dans le cas Formes d’onde dans le cas d’une charge résistived’une charge résistive

• Formes d’onde dans le cas Formes d’onde dans le cas d’une charge inductived’une charge inductive

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